电化学组装一维纳米线阵列温差电材料

低维温差电材料具有比块状温差电材料更高的优值,因而研制具有纳米线阵列结构的温差电材料对于提高材料的温差电转换效率具有重要意义.以具有纳米孔阵列结构的氧化铝多孔模板为阴极,在含有Bi 3、HTeO2 1的酸性溶液中,采用直流电沉积技术,通过在氧化铝多孔模板的纳米级微孔中沉积铋和碲,实现了一维纳米线阵列铋碲温差电材料的电化学组装.环境扫描电子显微镜(ESEM)和透射电子显微镜(TEM)的分折表明,电化学组装出的铋碲纳米线分布均匀,形状规则.铋碲纳米线的组成可方便地通过调整电沉积电位加以控制.     

基于分频算法的VQ码书生成方法

提出一种简单有效的VQ码书生成的分频算法。该算法将图像分割为高频、低频两部分，在高频段采用阈值比较的方法，在低频段采用分块提取的方法生成VQ码书。实验结果表明，该算法生成的码书通用性较强，在码率为0．625bpp的情况下，重构图像的峰值信噪比为23．20～32．24dB，性能优于其他方法。     

USB2.0中CRC码的并行算法及硬件实现

基于CRC检错原理，针对USB2．0协议规定的要求，研究了一种通用的CRC16并行算法及硬件实现。该方法适用于不同的CRC生成多项式和不同的并行度，尤其对并行度大于8位的高速系统的CRC计算。与常用的串行算法及查表法相比，该方法使电路的硬件实现比较容易，提高了电路对数据的处理能力，减小了时延，具有现实性及优越性。     

HAN基液体发射药滴的着火现象研究

该文针对一种HAN基液体发射药——LP1846,在环境温度140～700℃的条件下,进行了单滴着火现象研究,测定了液滴的着火温度和着火延迟期,并定性解释了实验现象。     

光致变色材料方钠石的合成

用固相反应及水热合成两种方法制备了光致变色材料方钠石，并作比较。以多水高岭土为原料，经水热反应容易制得高纯度的、掺有ＮａＣｌ、ＮａＣｌ·Ｎａ２ＳＯ４、Ｎａ２Ｓ、ＮａＣｌ·ＮＨ４Ｃｌ、ＮａＦ或ＮａＢｒ的方钠石。它们在惰性气氛中活化后，对Ｘ光照射有明显的光致变色效应。     

Y_2O_3－ZrO_2陶瓷的高温动态疲劳特性

采用三点弯曲法测定了Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２陶瓷在动态疲劳条件下的裂纹扩展参数与温度的关系．结果表明：相变增韧陶瓷（３Ｙ）的裂纹扩展参数ｎ及ｌｎＢ随温度的升高而单调下降，而非相变增韧陶瓷（２Ｙ与６Ｙ）的ｎ值在室温～９００℃之间随温度的升高而上升，高于９００℃时下降，由此证实，温度对相变增韧陶瓷的弱化作用比强度及韧性变化所表征的更为严重．     

氧化物陶瓷与Ag－Cu－Ti钎料的界面反应

研究了氧化铝和氧化铬陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料合金的界面反应，分析了加热温度（１０７３～１３２３Ｋ）和保温时间（０～３．６ｋｓ）对界面反应的影响规律，扫描电镜和Ｘ射线衍射分析结果表明：两种陶瓷均与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金发生反应，反应层厚度随着温度和时间的增加而增加，对于氧化铝陶瓷，低子１１２３Ｋ时，反应产物为Ｃｕ２Ｔｉ４Ｏ和ＡｌＴｉ；在１１７３Ｋ以上温度时反应产物则为Ｔｉ２Ｏ、ＴｉＯ和ＣｕＴｉ２，此时，反应层是按Ａｌ２Ｏ３／Ｔｉ２Ｏ＋Ｔｉ０／Ｔｉ２Ｏ＋ＴｉＯ＋ＣｕＴｉ２／ＣｕＴｉ２／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布，对于氧化锆陶瓷，在整个试验温度范围，反应产物均为γ－ＡｇＴｉ３和δ－ＴｉＯ，反应产物也是按ＺｒＯ２／δ－ＴｉＯ／δ－ＴｉＯ＋γ－ＡｇＴｉ３／γ－ＡｇＴｉ３／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布的．     

在含Cl~－体系中LC－4铝合金腐蚀裂缝内溶液的化学变化及临界pH值

研究了在ＮａＣｌ溶液中，ＬＣ－４高强铝合金在模拟闭塞区内溶液的化学状态变化，即向闭塞区通入不同密度的阳极电流，测定其溶液的ｐＨ、Ｃｌ－浓度、金属阳离子的含量以及阳极区析氢量等随时间的变化．同时采用动电位极化扫描和线性极化法，测定合金在配制的不同阶段闭塞区溶液中的腐蚀速率．确定出相应条件的闭塞区临界ｐＨ值，其值约为３．８．