退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响

用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有钙钛矿结构的PLT薄膜.随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的相经历了钙钛矿相-焦绿石相共存→纯钙钛矿相→钙钛矿相-焦绿石相共存的变化.探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的成因.发现随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的晶粒逐渐增大,钙钛矿相质量百分比越高,轴比(c/a)也越大,PLT薄膜的铁电性越强.     

TiO_2/Cr_2O_3复合气敏陶瓷元件的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法,在Ti O2中掺入一定配比的Cr2O3,制得了Ti O2/Cr2O3复合粉体.通过采用传统的陶瓷传感器制备工艺,制备了旁热式烧结型陶瓷元件.分别在不同浓度的苯和甲醛气氛中,测试了陶瓷元件的气敏特性.研究了加热功率和湿度对陶瓷元件的灵敏度和初始阻值的影响.气敏测试结果表明,制备出的传感器对浓度范围为10～650ppm的苯和甲醛气体都有较好的响应,特别在10～100ppm浓度范围具有较良好的灵敏度.     

(1-x)Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-xPbTiO_3弛豫铁电陶瓷介电和压电性能的研究

采用氧化物混合烧结法,在烧结温度为1250℃的条件下,制备了(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-xPbTi O3弛豫铁电陶瓷,并对其压电性能和介电性能进行了研究.发现在x=0.45时,(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-xPbTi O3弛豫铁电陶瓷体系具有较好的压电性能和介电性能,实验结果表明该体系的准同型相界应该在x=0.45附近.     

ZnO掺杂对铌酸锂钠钾陶瓷性质影响的研究

以传统的电子陶瓷制备工艺制备了ZnO掺杂的(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3(LNKN6/50)无铅压电陶瓷.研究表明,ZnO的适量引入,不仅可以保持(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3陶瓷本身所具有的高机电耦合系数的性质,还可以有效地提高(Li0.06Na0.5K0.44)NbO3陶瓷的机械品质因数,降低陶瓷的烧结温度.     

高性能、高居里温度压电陶瓷研究进展

随着现代科学技术的发展,迫切需要能够在更高的温度下工作的新型压电陶瓷材料及其器件.作者介绍了高性能、高居里温度压电陶瓷材料的研究进展,认为高性能、高居里温度压电陶瓷的研究应当着重在陶瓷体系的MPB附近进行研究,在(1-x)Bi(Me)O3-xPbTi O3(Me=Sc,Ta,Ga,Yb,In)基和(1-x)Li NbO3-x(Na,K)(NbyTa1-y)O3基陶瓷材料体系中可望发现新的高性能、高居里温度的压电陶瓷体系.     

新型Al2O3基半导体陶瓷甲烷气体传感器

研制了一种新型气敏材料体系－Ａｌ２Ｏ３基半导体陶瓷材料体系,并用以制备了高性能的对甲烷敏感的气体传感器,这类新型高性能甲烷气体传感器具有工作温度低,气体选择性好,检测灵敏度与气体浓度呈近似线性关系,响应时间和恢复时间快等优点,可望进行工业规模生产。     

掺锰对[Bi_(0.5)(Na_(1-x)Ag_x)_(0.5)]_(1-y)Ba_yTiO_3系陶瓷压电和介电性能的影响

利用传统陶瓷工艺制备了MnO2(0～0.4wt%)掺杂[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTi O3(x=0.06,y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响.结果表明,陶瓷的压电常数d33随锰掺杂量增加而减小;适量锰离子的引入可降低介电损耗tgδ,提高机械品质因数Qm.当锰掺杂量达到0.4wt%时,陶瓷的压电性能大幅度降低.锰含量为0.15wt%时该体系陶瓷具有较好的性能压电常数d33=160pC/N,机电耦合系数kp=34%,kt=52%,介电常数εr=804,机械品质因数Qm=163,介电损耗tgδ=2.0%.