室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究

采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2 的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.     

基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论

根据本文作者提出的以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度,并根据一般研究中采用的实验条件,分别取沉积速率为0.00125ML/s和0.004ML/s(单层/秒,Mono-layer/second,以下同),基底温度为500K～800K.模拟结果表明,随着基底温度的升高,薄膜中SrO分子和Ti O2分子的数目逐渐减少,当超过某一临界温度,薄膜为完全的SrTi O3薄膜;而且随着沉积速率的升高,同质外延生长SrTi O3的最低温度也随之升高.     

基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法

提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.     

沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响

报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.     

铁电复合材料介电性的研究现状

在材料研究领域中,具有电学性能的陶瓷/聚合物复合材料是一种新型的复合材料,其中具有高介电性能的0-3型陶瓷/聚合物复合材料,以其广泛的应用前景已经引起人们极大的关注.作者对近年来有关高介铁电复合材料的介电性研究进行了总结,介绍了具有高介电性能的铁电陶瓷/聚合物复合材料的介电理论模型、制备方法、介电性的影响因素、国内外的研究现状及应用,并展望了其未来的发展趋势.     

（1-x）Pb（Sc1／2Ta1／2）O3-xPbTiO3陶瓷的结晶特性与介电性能研究

在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅 钛酸铅固溶体(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3 xPbTiO3(简称PSTT(x)),可有效提高钽钪酸铅材料体系的居里点、降低其制备温度,从而扩大PST体系的应用范围.用常规氧化物合成电子陶瓷方法制备了钽钪酸铅 钛酸铅弛豫铁电陶瓷,采用XRD,SEM等分析技术,研究了PSTT(x)陶瓷的结晶特性和微观形貌,测试了PSTT(x)陶瓷的介电性能.实验结果表明,利用常规氧化物合成电子陶瓷方法可以合成钙钛矿结构的PSTT(x)陶瓷,其钙钛矿相的含量可达到90%以上,最高达100%.SEM分析表明,PSTT(x)陶瓷的晶粒饱满、晶界清晰.PSTT(x)陶瓷的热滞温度随x的不同,大致在6～12℃之间变化;PSTT(x)陶瓷的居里常数C 为3.7～8.3×106K2.     

(Pb,La)TiO_3铁电薄膜的铁电畴的研究

压电力显微镜(PFM)和非线性介电扫描显微镜(SNDM)是近年来发展起来的一项专门测量压电系数的技术.本实验中,分别通过LPFM,VPFM,SNDM观察了(Pb,La)Ti O3薄膜的面内畴、面间畴和非线性介电常数的分布.分析结果表明,薄膜内部存在面内极化电畴、向上、向下的电畴以及介电常数分布具有非线性特性.PFM可以描绘薄膜电畴的三维立体图形,SNDM和PFM都可以较好地表征铁电薄膜的表面极化状态.     

为了我国电介质物理、材料与器件更加辉煌的明天——祝第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议胜利召开,并代本专集序

由中国物理学会电介质物理专业委员会暨IEEE北京分部共同发起、全国同行热烈响应踊跃投稿的第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议,将于2005年10月24~27日在四川省成都市四川大学举行.本次会议旨在为我国电介质物理、材料和应用领域的大学、科研单位和企业的研究人员以及工程技术人员提供一个交流和研讨的平台,以分享研究成果,启迪创新思维,繁荣科学技术,促进社会进步.人们已经进入了以微电子学和光电子学为基础的信息社会;知识经济的全球化和世界的数字化已经来临;无线式计算与通信的集成,计算机软件与硬件的集成,全球化的E-business正在变成现实;材料、产品和商务的环境协调性以及社会经济的可持续发展已经引起各国的高度重视;.......我们完全有理由相信,建立在高新技术基础上的新型社会经济结构,将更大程度地改变人类社会的生活方式、生产方式和工作方式,为我们构筑无限灿烂辉煌的明天.毫无疑问,在上世纪后半叶信息社会的建立和发展过程中,电介质材料和器件起到了不可替代的作用,电介质物理这一凝聚态物理中的重要部分也得到了长足的发展.21世纪前期,以电子和光电子作为载体的信息社会,可望由以光电子和光子作为载体而取代,这将使电...     

软溶液技术制备钼酸钙薄膜

作者报道了利用软溶液法制备了钼酸钙的溶胶.用XRD对薄膜的晶相结构进行了分析,用SEM对薄膜的表面形貌进行了分析,用EDAX对薄膜的表面化学组分进行了分析.实验结果表明在近室温(40℃至50℃)的条件下就得到了四方相的钼酸钙多晶薄膜,表面分析的结果表明晶粒的尺寸在纳米的范围内,能谱分析表明薄膜成分的化学计量比钙与钼接近1∶1.