浅谈大学物理教学改革

论述了传统大学物理教学内容改革的必要性，并结合自己的体会提出了对大学物理教学改革的一些看法和设想．     

吊杆式钢楼梯的设计和研究

出于空间无遮挡的视觉要求,对苏州大剧院中北部的半室外钢楼梯采用了无梯柱的吊杆支撑形式。对该吊杆式钢楼梯进行静力分析、自振模态分析、地震响应分析,以及人行激励荷载下的舒适度分析,发现该楼梯的最大应力比、最大挠度、最大水平位移、层间位移角、前三阶模态的频率、舒适度等均满足设计规范的要求。     

立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性

通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。     

GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 μm为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.     

籽粒苋病害调查与防治研究

通过1996 ～1998 年的系统调查与试验研究,查明江西籽粒苋病害19 种,其中真菌病害13种,细菌病害3 种,病毒病害2 种,线虫病害1 种;对以上病害的症状、病原物及发生情况进行了描述。根据籽粒苋病害发生态势,确定了主要防治对象并提出综合防治策略及措施。     

GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究

为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4eV）看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论（SCLC）分析由金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V〈V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1〈V〈V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V〉V2的区域电流电压遵循SCLC平方率。     

土地规划环境影响评价中公众参与的意义

对公众参与在土地规划环评中的工作原则和积极意义作了梳理和探讨,以期为规划环评中公众参与的具体进行提供有益的参考。     

脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜的膜厚分布特征

【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN薄膜时薄膜的厚度分布规律,以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中,靶材和基片并不平行,取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析,研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时,靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大,以该点为中心,基片两侧膜厚呈对称分布,且越远离基片中心点,膜的厚度越小;当靶材与基片的倾斜角不为0°时,基片左右两侧膜厚不对称分布,靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度,倾斜角越大,两侧膜厚的差异越大,膜厚最大的点不在基片中心处,而是偏向靠近靶材的一端,倾斜角越大,偏离越明显。靶基距增大,所形成的膜厚度均匀性提高,但与靶基距较小时相比,相同时间内沉积的膜厚度要低得多。【结论】PLD制备InGaN薄膜过程中,基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响,厚度不均匀,存在一个厚度分布。     

基于两级定位跟踪的自然光导光照明装置设计

为了使人们在地下室等一些特殊环境下享受健康、绿色的自然光照明,更好地利用太阳能资源,提出一种基于两级定位跟踪的自然光导光照明装置设计方案。通过采用粗级跟踪和精确跟踪两级定位跟踪模式和在系统的机械传动机构中采用谐波传动方式等措施,由此来提高系统的跟踪稳定性和跟踪精度;同时,对聚光单元进行改进设计,以及在照明灯具处增设智能调光功能,以此进一步提高系统的光利用率和光强稳定性。实验测试表明,系统能获得较好的照明品质,具有一定的应用价值。     

HP3054系统多路供电的技术改造

用ＨＰ３０５４自动数据采集及控制系统来采集和测量多路现场信号时，各传感器的电源供给存在着问题，特别是当现场信号数量很大时，由于供电卡的输出端数量和功率的限制，往往只能给一部分传感器提供电源，需要增加供电卡的数量或者多个外部直流电源。通过对ＨＰ３０５４系统的数据采集卡和供电卡的线路进行改造，编制了相应的采集程序，实现了随着数据采集卡上采样点的切换，供电卡供电对象也随之改变。