基于改进空间划分的目标分群算法

针对战场目标分群中存在的类数未知和阈值选取欠缺有效方法的问题,提出一种基于改进空间划分的目标分群算法。首先,通过敌我及作战单位属性划分,约减分群目标数规模,降低计算量;其次,通过对空间距离划分进行改进,能够动态地优选阈值,有效解决类数未知的分群问题。通过引入划分独立性和逆χ²分布概率区间约束,消除计算冗余并提取出候选阈值,在此基础上选取最大的候选阈值作为最终分群阈值,可以有效滤除过程噪声与观测噪声干扰,提高分群准确率。仿真结果表明,该算法对战场环境下的多目标编队分群具有良好的有效性、稳健性和实时性。     

电流滞环跟踪的双闭环调速系统仿真设计

为提高抗干扰能力和改善动态性能, 设计了双闭环调速系统。 采用由电流滞环和转速外环构成的感应电 动机双闭环控制, 以进一步提高动态特性。 当 1. 5 s 时, 负载由 15 N·m 变为 30 N·m, 转速仍维持恒定的 1 400 r/ min, 同时加强磁链控制, 构建了基于动态模型的异步电动机的多重闭环控制的调速系统。 实验结果表 明, 该系统动态性能更好, 磁链轨迹更接近于圆。     

基于创新扩散模型的市场营销组合策略

采用随机过程方法构建包含营销组合的3阶段创新扩散模型,通过动态规划方法求得模型的最优控制策略.在分析最优控制策略的基础上,采用数值模拟的方法对模型进行仿真.     

石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...     

货架摆放量影响需求的库存管理

建立某些商品的需求与库存管理模型,从商品自身的销售弹性与替代品的销售弹性出发,设定摆放量充足时货架摆放量与需求量是指数函数关系;当摆放量小于一定量时,顾客的需求为一常数,并且允许顾客流失和延迟销售;在此基础上建立货架摆放量与需求量的模型.并通过解析解的情况,求出最优解.     

O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.     

110kV分段及备投保护运行规程

110kV分段及备投保护屏由四方继保CSC-215母联充电保护装置和CSC-246备用电源投切装置组成.CSC-215保护方面的主要功能有:①短充电流保护、零流保护;②长充电过流、零流保护.CSC-246备投方面的主要功能有:①线路备投方案;②变压器备教方案;③可编程方式制定特殊的备投方式;④备投逻辑中充放电自动完成.     

基于锥模型的非单调自适应信赖域算法

基于锥模型,结合提出的新的自适应技术,建立了一个求解无约束最优化问题的非单调自适应信赖域算法.当试探步不被接受时,采用非单调线搜索,减少了计算量.充分利用包含当前迭代点信息的新的自适应策略调节信赖域半径.在适当的条件下,证明了算法的全局收敛性和Q-二阶收敛性.数值试验表明该算法是有效的.     

超导薄膜临界磁场的非线性非局域效应研究

在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。