| O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 刘卉敏,周峰,崔进,邓艳红,叶超.O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响[J].苏州大学学报(医学版),2011,27(2). |
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| 作者姓名： | 刘卉敏 周峰 崔进 邓艳红 叶超 |
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| 作者单位： | 江苏省薄膜材料重点实验室,苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 |
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| 摘 要： | 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.
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| 关 键 词： | SiCOH薄膜刻蚀 O2/C4F8等离子体 双频电容耦合放电 |
Effect of O2 flow rate on etching of SiCOH low-k films in O2/C4F8 dual-frequency capacitive coupling plasma |
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| Liu Huimin,Zhou Feng,Cui Jin,Deng Yanhong,Ye Chao.Effect of O2 flow rate on etching of SiCOH low-k films in O2/C4F8 dual-frequency capacitive coupling plasma[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2011,27(2). |
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| Authors: | Liu Huimin Zhou Feng Cui Jin Deng Yanhong Ye Chao |
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