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2.
考虑了线性回归模型中,在Fisherian和Mahalanobis损失函数下,几乎无偏刘估计对于最小二乘估计的不可容许性;结论表明:几乎无偏刘估计在Mahalanobis损失函数下是不可容的;最后进行了数值模拟来表明结果. 相似文献
3.
有风险投资参与的企业往往表现出更出色的业绩,风险投资家在投资过程中既可能扮演侦察员角色又可能担当教练员角色,学术界对于风险投资家的哪种行为是影响企业业绩的主要来源存在争议;针对风险投资家这两种角色的相关研究成果进行了系统梳理和初步探讨,发现大部分文献对于风险投资家的培育作用持肯定态度。 相似文献
4.
魏晋南北朝时期,文体开始独立,具体表现在文笔说的变迁、对文体特征进行探讨、文体分类趋细和永明声律论的创建这几个方面。文体独立的原因与魏晋时期审美意识的变化息息相关,具体表现在审美心理结构的变化和审美风尚的变迁。 相似文献
5.
6.
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法, 在6-311+G(2df)基组水平上, 对气相赖氨酸(Lys)分子和Lys2-的基态稳定构型进行优化, 并用含时密度泛函理论(TD DFT)方法考察气相Lys分子和带电离子体系单重激发态的特性. 结果表明: Lys分子体系捕获双电子时, 其体系能量有所增加; S1单重激发态与S0基态能量差值变小; 分子体系的荧光波长增加; S7单重激发态跃迁轨道数减少. 相似文献
7.
魏晋南北朝时期,文体开始独立,具体表现在文笔说的变迁、对文体特征进行探讨、文体分类趋细 和永明声律论的创建这几个方面。文体独立的原因与魏晋时期审美意识的变化息息相关,具体表现在审美心理 结构的变化和审美风尚的变迁。 相似文献
8.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
9.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献
10.
目前,世界科学技术正迅速发展,以微型电子计算机等为标志的产业革命正在蓬勃发展,这对我国的科学技术事业是一次严竣的挑战。科技实力已成为一个国家的综合国力的重要标志,谁具有高科技的优势,谁就将占有政治、经济、军事发展的主动权。因此,加速我国科学技术的发展,迎头赶上世界科技先进水平,已成为实现我国的战略目标的关键。 相似文献