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SnO2纳米颗粒对CH4气敏特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米颗粒.通过X射线衍射和扫描电子显微镜手段对材料的晶体结构和表面进行分析,结果表明所得材料为纯SnO2纳米颗粒.以所制备的SnO2纳米颗粒为气敏材料制备电阻式气敏元件,在CH4体积分数为2.5×10-4时,测试SnO2纳米颗粒对CH4气体的气敏特性,包括工作温度-气体灵敏度和响应-恢复特性,结果表明SnO2颗粒在工作温度为350℃时对CH4的最大灵敏度为11,响应-恢复时间分别为5s和8s.实验结果表明,该SnO2纳米颗粒气敏传感器对CH4具有快速响应和高灵敏度的特性,在工矿安全运行和环境保护方面具有重要的应用价值. 相似文献
12.
碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装 总被引:21,自引:0,他引:21
通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术,实现了场发射显示器真空平板封装,这种封装稳定、可靠且成本低廉,同时,配套的弹性阴极装配技术,可以方便地对不同材料的阴极进行组装,形成二极管结构的场发射平板显示器,弹性装配技术 具有通过拼接得到大面积阴极的潜力,采用这套技术,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品。 相似文献
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首次利用前馈3层神经网络模型,结合薄膜场发射的特性,建立了场发射薄膜功函数的神经网络预测模型,并用金刚石薄膜的实验数据样本进行了验证,结果表明,该模型预测的相对误差小于6.4%,具有很好的预测性能,从而可以通过已知薄膜的功函数来预测未知薄膜的功函数。 相似文献
14.
用于变压器故障特征气体分析的气敏阵列传感系统 总被引:4,自引:0,他引:4
提出将气敏元件阵列技术和径向基函数神经网络(Radial Basis FunctionNeuralNetwork,RBF-NN)相结合,以检测电力变压器油中的4种微量故障特征气体(1*10^-6-10*10^-6级H2、C2H4、C2H2和50*10^-6级CO)。实验结果表明,与目前基于误差反向传播算法(ErrorBack-PropagationAlgorthm,BP)神经网络的气体分析结果相比 相似文献
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用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能 总被引:8,自引:4,他引:8
提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 相似文献
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碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术 总被引:5,自引:0,他引:5
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNT-FED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构.同现有的CNT-FED制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、成本低廉的优点.采用新技术制造了对角线为14 cm的可矩阵寻址的二极结构CNT-FED,分辨率为160×120像素点阵.该器件在220 V电压下可达到1×104cd/m2的高亮度,工作电压降低到200 V以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制. 相似文献
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提出了一种基于多条耦合器声表面波器件实现小波重构的新方案.利用基于多条耦合器声表面波器件的传递函数等于输入与输出加权换能器传递函数之积的关系,对输入、输出叉指换能器分别进行小波和重构小波加权,在单块器件上实现了小波重构功能,避免了二次插入损耗的产生.利用多条耦合器和双声路对称结构,将沿晶体表面传播的体声波进行了分离和消除,抑制了三次渡越信号,降低了接收损耗,使器件的响应特性得到了改善.实验结果表明,用新方案实现的小波重构器件比用早期方案实现的小波重构器件在插入损耗、体声波抑制、通带波纹和接收损耗方面均有明显的改善. 相似文献
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碳纳米管的手性对发射电流的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了SWCNT的发射电流与外加电场之间的关系式,分析了SWCNT的手性结构对发射特性的影响.数值计算的结果表明,在电场相同、管径相近的情况下,发射电流从大到小依次为锯齿型(金属性)、扶手椅型、手性(金属性)、手性(半导体性)和锯齿型(半导体性)管. 相似文献
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为解决采用丝网印刷技术制作的碳纳米管显示器件(CNT-FED)驱动电压高、亮度均匀性差的问题,设计并实现了电压控制的寻址与显示分离型的驱动电路.采用分离高压控制器件实现了行、列驱动电压波形,并利用反向高压控制暗像素点,不仅能满足丝网印刷CNT-FED 700~1 000 V的高压驱动要求,并且有效抑制了漏电流导致的串亮现象.在各行电路上设计了限流电阻,对场发射电流起到反馈作用,有效改善了亮度均匀性.该驱动电路成本低,且从电路角度提升了丝网印刷CNT-FED的亮度和发光均匀性.测试结果表明:由新电路驱动的CNT-FED可实现动画显示,峰值亮度可达到1 400 cd/m2. 相似文献
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提出了一种可显著改善碳纳米管(CNTs)场致发射性能的ZnO/Ag双层膜负反馈阴极电极的制备方法.在条形银电极上溅射沉积一定厚度的Zn膜,经热氧化和湿法刻蚀制备成ZnO/Ag双层膜电极.同单层的Ag或氧化铟锡电极相比,该电极不仅具有足够的负反馈电阻(限流电阻)阻止CNTs场发射中过流的发生,而且降低了条形阴极电极的线性电阻,确保了场发射的均匀性.当溅射沉积Zn膜的厚度从40 nm增到120 nm时,热氧化形成的ZnO由孤岛状的颗粒变为连续体的薄膜,ZnO/Ag双层膜电极的表面光洁度比单层的Ag电极有很大的提高,负反馈电阻层的电阻增大,负反馈的能力增强.CNTs薄膜阴极场发射特性曲线证明,ZnO/Ag双层膜电极能明显降低场发射电流的波动,有效提高器件的稳定性和寿命. 相似文献