1394技术在TS流存储与控制系统中的应用

首先介绍了TS流存储与控制系统的设计思想。从1394总线的概念、特点及其协议栈三方面简要介绍了1394技术。重点阐述了TS流存储与控制系统的硬件和软件设计。最后探讨了系统的应用前景。     

氮化硼先驱体的合成与研究

以三氯化硼，三乙胺为原料，在氮气保护气下，经低温反应合成了配位键化合物Et3NBCl3，再与（Me3Si2)NH反应，得到了中间产物（Me2Si)2NBC2和（Me2Si)2NB(Cl)NHSiMe3，进而通过热缩合成环和高分 子化后，获得了具有B、N六元环结构的BN先驱体，合成的BN先驱体，软化点为40－50℃左右，且热处理后软化点的温度可提高至60－70℃左右，可纺性能良好，获得的淡黄色，半透明且表面光滑的先驱体丝，在氮气中热分解至1500℃，获得了含有不量Si3N4和SiC的BN粉体，陶瓷转化率为38％。     

优系青蒿法呢基焦磷酸合酶基因的克隆和酶学分析

从青蒿(Artemisia annua L)高产株系025的cDNA文库中克隆到了一个编码青蒿法呢基焦磷酸合酶(AaFPS1)的cDNA(af1). 序列分析表明, 这一cDNA编码一个含343个氨基酸残基的蛋白质, 分子量为39 kD. 推导出的氨基酸序列与来自其他植物、哺乳动物及酵母的FPS相似, 也包含异戊烯基转移酶和聚异戊烯基合酶所共有的5个保守域. 此cDNA在大肠杆菌中的表达产物表现出明显的FPS酶学活性. 通过离子交换层析纯化后, 进一步测定了其酶学动力学. 上述结果将进一步推动青蒿素生物合成分子调控的研究.     

高温胁迫对鳞叶藓失水量与可溶性糖含量变化的影响

通过测定高温胁迫过程中鳞叶藓(Taxiphyllum taxiramenum(Mitt.)Fleisch)失水量与可溶性糖含量的变化。结果表明,失水量随胁迫时间的进程呈饱和曲线,相关性分析得出高温胁迫过程中鳞叶藓失水量与蔗糖含量的变化呈正相关(r=0.545);其中在胁迫过程中的0.5～4.0h阶段相关性极显著(r=0.996)。根据热激响应理论推理得到高温胁迫过程中石生苔藓水分亏缺能激活蔗糖关键酶,使其获得特定阶段的抗热性。     

药食两用植物降血脂功能研究进展

对药食两用中药中降血脂功能性成分进行了综述，特别是对目前广泛存在于植物界的黄酮类化合物从其多种生物学作用、提取方法及应用进行了阐述，为该功能性成分的开发利用提供了参考，并说明黄酮类化合物是一类来源广泛，毒副作用少，具多种用途的天然植物成分。     

内置蜂窝陶瓷的气升式内循环生物反应器I.水力学特征及其影响因素

在鼓泡塔式(BC)和气升式内循环(IAL)生物反应器的基础上，于内循环导流管中间安装了蜂窝陶瓷载体，构成了带有蜂窝陶瓷载体的气升式内循环(IAL—CHS)生物反应器。用示踪技术测定了流体在BC、IAL和IAL—CHS反应器内的停留时间分布，并用组合模型建立了描述反应器中流体停留时间分布的数学模型。比较研究了这3种形式的生物反应器的水力学特性，探讨了曝气量对停留时间分布的影响。结果表明，相同条件下，相比BC和IAL，IAL—CHS生物反应器提高了反应器内完全混合区的比例，减少了流体走旁路的比例。曝气量越大，完全混合区越大，而流体走旁路的比例越小。     

稀土与3,5,3''-三碘甲腺原氨酸的作用

随着科学技术的发展,稀土已广泛进入生态环境研究领域,尤其是由于稀土微肥的使用,使稀土还可通过食物链等渠道进入人体,因此,稀土的生物效应及其作用机理的研究已经成为急待解决的重大问题。 Haley首次报道了稀土元素对内分泌系统的影响,而后长时间内无进一步研究。近年来我国学者用细胞培养、动物实验以及电生理等多种手段研究了稀土对内分泌系统的影响,而其作用机制尚待探讨。甲状腺是人体重要分泌腺体,3,5,3’-三碘甲腺原氨酸（T_3)）是甲状腺分泌的两种重要激素之一,在新陈代谢中起重要调解作用。此外,T_3也是丘脑-垂体-甲状腺     

亚纯函数唯一性问题的注记

讨论了亚纯函数的唯一性问题，推广了仪洪勋及华歆厚的有关定理，证明了下面定理：设ｆ与ｇ是非常数亚纯函数，ｎ是正整数．再设ａ与ｂ是亚纯函数，且满足Ｔ（ｒ，ａ）＋Ｔ（ｒ，ｂ）＝ｍｉｎ｛ｓ（ｒ，ｆ），ｓ（ｒ，ｇ）｝，ａ（ｎ）ｂ如果ｆ（ｎ）＝ｂｇ（ｎ）＝ｂ，δ（∞，ｆ）＝δ（∞，ｇ）＝１，且δ（ａ，ｆ）＋δ（ａ，ｇ）＞１，则ｆ≡ｇ或（ｆ（ｎ）－ａ（ｎ）·（ｇ（ｎ）－ａ（ｎ）≡（ｂ－ａ（ｎ）２．     

开关磁阻电机有限元辅助设计软件

软件在考虑了开关磁阻电机（ＳＲＭ）的磁饱和、非线性及磁场疏密分布的情况下，将整个电机圆域作为求解区域，适用于任意相数、转子极形状、相绕组电流值及转子位置角的ＳＲＭ磁场的二维有限元分析，据此可求得电机的参数和性能，并实现电机的优化设计     

高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜

尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘，但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和 磁化强度（Bs一258 T严之后．制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4］． 然而，由于它是亚稳相，迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单 晶薄膜，并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线．关于 卜；刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁．作者曾详 细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷，本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜，井清 晰地观察到了沿［l叫和［110方向的电子衍射花样．磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高 达 264～ 289 Wbha’．