排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 109 毫秒
1.
步进电机的单片机控制系统研制 总被引:1,自引:0,他引:1
采用AT89C51单片机对步进电机进行并行控制,实现了硬件和软件相结合的控制方法.给出了用单片机仿真软件Proteus绘制的硬件原理图,并简要介绍了仿真过程及结果. 相似文献
2.
将C 离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C 离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析. 相似文献
3.
4.
为解决HSC32K1芯片传统测试的不足,基于March C+算法的内建自测试(Built In Self Test,BIST)方法,并利用perl语言调用Mbist Architect工具自动产生March C+算法,生成时间只需要3.5 s,相比手动编写算法代码几十分钟甚至几小时来说缩短了测试时间,提高了测试效率。仿真结果表明,提出的测试方法,可以有效地达到测试效果。该方法可以推广到对其他芯片进行测试,适用性强. 相似文献
5.
设计了一种基于外接泵电容的1.33倍新型电荷泵电路.电路采用了预启动和衬底电位选择结构,并利用三相时钟信号方式控制电荷泵的工作状态.采用0.5μmCMOS工艺模型利用Cadence的Specter工具进行了仿真.结果表明:所设计的电路提高了芯片的启动速度,有效防止了闩锁现象的产生;在典型的3.3 V输入电压下,电荷泵效率为93.25%.与传统电荷泵相比优势在于输出电压低,有效地降低了无用功耗.1.33倍电荷泵必将具有广泛地应用前景. 相似文献
6.
用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能 总被引:8,自引:4,他引:8
提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 相似文献
7.
碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术 总被引:5,自引:0,他引:5
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNT-FED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构.同现有的CNT-FED制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、成本低廉的优点.采用新技术制造了对角线为14 cm的可矩阵寻址的二极结构CNT-FED,分辨率为160×120像素点阵.该器件在220 V电压下可达到1×104cd/m2的高亮度,工作电压降低到200 V以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制. 相似文献
8.
碳纳米管的手性对发射电流的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了SWCNT的发射电流与外加电场之间的关系式,分析了SWCNT的手性结构对发射特性的影响.数值计算的结果表明,在电场相同、管径相近的情况下,发射电流从大到小依次为锯齿型(金属性)、扶手椅型、手性(金属性)、手性(半导体性)和锯齿型(半导体性)管. 相似文献
9.
构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义. 相似文献
10.