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采用随机过程方法构建包含营销组合的3阶段创新扩散模型,通过动态规划方法求得模型的最优控制策略.在分析最优控制策略的基础上,采用数值模拟的方法对模型进行仿真. 相似文献
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以成年态南丰蜜橘茎段为材料,在不同激素配比的MS培养基中进行再生芽的诱导和继代增殖培养,确定了最佳的诱导培养基改良MS+6-BA0.5 mg/L+KT0.5 mg/L+NAA0.1 mg/L,把诱导培养基中的蔗糖浓度由3%提高到6%可以很好地解决再生芽的叶片发黄、脱落问题;再生芽增殖的最佳培养基为改良MS+6-BA0.4 mg/L+ZT0.1 mg/L+NAA0.05 mg/L,增殖系数达5.40.SDS-PAGE电泳结果表明33.4 kD相对分子质量的蛋白谱带出现于再生芽正常分化生长时期,可能是维持再生芽生长发育的特异蛋白组分. 相似文献
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采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强... 相似文献
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建立某些商品的需求与库存管理模型,从商品自身的销售弹性与替代品的销售弹性出发,设定摆放量充足时货架摆放量与需求量是指数函数关系;当摆放量小于一定量时,顾客的需求为一常数,并且允许顾客流失和延迟销售;在此基础上建立货架摆放量与需求量的模型.并通过解析解的情况,求出最优解. 相似文献
89.
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 相似文献
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在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。 相似文献