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PZT／SiO2／Si界面的XPS分析 总被引：3，自引：0，他引：3
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善。 相似文献
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采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善． 相似文献
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设计了一种新的微处理器温度补偿晶体振荡器(MCXO)，通过对硬件和软件的精心设计，使其达到设计要求. 相似文献
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提出了一种新的可应用于晶体管参数提取的全局寻优算法，简化了参数提取过程.在该算法中，首次采用了一种新的方差调整方案，从而提高了收敛速度和精度，对MJE13005晶体管进行参数提取与PSPICE模拟，模拟结果与器件测试结果符合较好. 相似文献
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以聚合物核孔膜为模板，利用电化学沉积方法成功地制备出α-Fe纳米线阵列组装膜.通过室温穆斯堡尔谱测量研究α-Fe纳米线阵列的结构特性，结果表明样品中存在明显的超顺磁颗粒，显示了孔径对α-Fe生长形态有强烈的影响. 相似文献
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微处理器温度补偿晶体振荡器的设计 总被引：5，自引：0，他引：5
设计了一种新的微处理器温度补偿晶体振荡器（ＭＣＸＯ），通过对硬件和软件的精心设计，使其达到设计要求。 相似文献
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论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性。 相似文献
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研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析 相似文献