金刚石薄膜热沉制备的研究

1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜,通过真空蒸发     

金刚石薄膜光致发光的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在硅、钼和碳化钨衬底上制备的金刚石膜的光致发光特性。     

铁族过渡金属的3d能带结构

本文用较完善的紧束缚方法系统地计算了铁族过渡金属中体心立方Ti,V,Cr,Mn,Fe和面心立方Fe,Co,Ni,Cu的3d能带结构与状态密度。计算中考虑了晶体中电子组态的特点和重迭积分及次近邻相互作用的影响,精确地计算了晶体场积分,计算得到的3d填充带宽和低温电子比热系数与实验值符合较好,通过系统的计算,得到了整个铁族过渡金属3d能带结构及状态密度的规律性。计算表明这些金属的3d能带宽度与金属原子间结合力存在着规律性的对应关系,最后讨论了重迭积分、晶体场积分和次近邻相互作用对带宽计算值的影响。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体在不同气氛中的高温相变

本文给出了在空气、真空和流动氮气的环境中,利用X-光跟踪监测YBa_2Cu_3O_(7-δ)高T_c超导体的X-光衍射峰的两个主要峰(130)/(101)和(031)峰的相对强度随温度的变化关系。结果表明,环境对高温相变温度及相变方式有很大的影响。并提出了“可动氧”模型。     

4GPa下固体等温状态方程的测定

本文在活塞—圆筒装置下,通过测量活塞位移的方法,测定了Bi_(1-2)和Bi_(2-3)的相变压力及4GPa下的铝和石墨的等温状态方程。我们的结果与Kennedy等人的结果相当一致。     

磁控弧光放电增强等离子体离子镀合成c－BN薄膜

采用能产生高密度等离子体的磁控弧光放电增强等离子体离子镀的方法，制备立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．     

快速生长金刚石薄膜的装置及其工作性能

本文设计了用直流电弧等离子体喷射法快速生长金刚石薄膜的装置,并对其工作性能进行了研究。