氧化锌压敏电阻空间电荷与非线性特性的关系

为了从微观角度解释ZnO压敏电阻的导电机理，利用电声脉冲（PEA）法，对4种ZnO压敏电阻试样在不同电流密度下的空间电荷分布特性进行了试验．研究结呆表明，空间电荷和电流密度之间的关系与伏安特性曲线具有一致性，可以反映非线性特性．在小电流区，空间电荷与场强和电流密度呈线性关系，空间电荷的增加反映了晶界层表面态的减少和肖特基势垒的变化．小电流区到中电流区存在过渡区，过渡区的电流是由热电子激活和隧道电流共同构成．在中电流区，随着电流的增大，空间电荷会呈减小趋势，当耗尽层减小为零时，空间电荷会基本消失．     

ZnO压敏电阻交流老化TSC特性

氧化锌压敏电阻片的交流老化特性及机理一直以来广泛受到人们的关注.本文基于"十度倍半"法则开展了ZnO压敏电阻加速老化试验,并对老化各阶段的试样进行了功率损耗和热刺激电流(TSC)测试.测试结果显示,随着老化时间的增加,ZnO压敏电阻片的功率损耗增大、TSC陷阱电荷量增加,同时陷阱能级也有加深;此外,功率损耗增大与TSC陷阱电荷量增加有相同的趋势.初步分析表明,迁移的填隙锌离子影响了空间电荷的分布,导致肖特基势垒的降低,引起了陷阱能级的变化.     

晶粒尺寸对氧化锌非线性电阻片中温度和热应力的影响

微观温度分布不均匀将降低氧化锌(ZnO)非线性电阻片的冲击能量吸收能力. 采用二维Voronoi网络(Voronoi diagram)模型, 从微观角度分析了氧化锌非线性电阻片中的电流、温度和热应力的分布. 结果表明: 在击穿区(中电场区), 流经电阻片的电流集中于少数晶粒连结而成的通道, 导致电阻片吸收冲击能量时内部能量吸收不均匀, 引起局部高温和很大的热应力, 造成电阻片发生穿孔或破裂损坏. 另外讨论了晶粒尺寸对氧化锌非线性电阻片内部温度和热应力的影响.     

双钙钛矿Sr2Mn1-xGaxMoO6（x=0．0～1．0）化合物的制备及其结构的研究

采用固相反应法制备了双钙钛矿Sr2Mn1-xGaxMoO6（x=0．0～1．0）掺杂化合物。室温下的高分辨率X射线衍射分析表明，Sr2MnMoO6具有单斜晶体结构，空间群为P21／n。Ga的掺杂没有改变化合物的晶体结构，但衍射峰整体向高角度漂移。结构精修分析表明，Sr2Mn1-xGaxMoO6样品的晶胞体积随Ga含量的增加而逐渐减小；B／B’位离子占位有序度伴随Ga的掺入而逐渐降低；此外，Ga的引入导致〈B—O〉键长的缩短，〈B’-O〉键长的伸长。     

不锈钢表面ZnO-尖晶石复合氧化膜的制备及其可见光光催化性能

通过电沉积锌及空气气氛下两步热氧化，在304不锈钢表面形成具有可见光光催化活性的ZnO复合氧化物薄膜。运用X-射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Rarnan）、扫描电子显微镜（SEM）分析薄膜的结构及表面形貌，在可见光照射下测试了氧化膜催化降解罗丹明B的性能。结果显示：在0．05m0I／LZnSO4、2moL／LNH4Cl溶液中，以0．03A／cm^2的恒电流密度阴极极化120s，电沉积锌后于空气气氛中350℃下加热1h，然后升温至450℃下加热2h，在不锈钢表面形成了ZnO和尖晶石结构氧化物（AB2O4，A=Zn^2＋、Ni^2＋、Fe^2＋；B=Fe^3＋，Cr^3＋）的复合氧化膜，显示出良好的可见光光催化性能。     

基于修正随机梯度的永磁同步电机参数辨识

永磁同步电机为典型的多变量参数时变的非线性系统,为了获取其参数有效信息,以保证控制系统的高效运行,结合永磁同步电机系统电压方程,构建系统回归模型,采用随机梯度辨识算法辨识其模型参数,同时引入收敛指数构建修正随机梯度算法以提高辨识过程的收敛性能。仿真结果表明,收敛指数能有效提高算法辨识收敛的速度和精度。     

铊系超导体中铁掺杂诱导的氧缺陷研究

利用Ｈａｌｌ系数测量、热重分析和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等多种实验手段并结合有效价键模型计算，研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２（Ｃｕ１－ｘＦｅｘ）３Ｏ９＋ｙ超导体中由于铁掺杂所诱导的额外氧缺陷对载流子浓度和微结构的影响，在低浓度掺杂水平（ｘ＝０￣０．０５）上，铁掺杂样品的超导转变温度与载流子浓度有非常明显的对应关系，零电阻温度Ｔ∞随铁掺杂量线性降低，Ｈａｌｌ系数测量结果也     

超重力水溶液金属镍电沉积及极化反应研究

以电沉积镍箔为例，在离心力场条件下，研究了超重力对水溶液金属电沉积的影响．结果表明超重力电沉积金属镍，晶粒细化、韧性和抗拉强度显著提高；杂质元素H含量减少，但电效降低；超重力场促进析氢反应，析氢过电位降低；超重力场促进溶液中离子传质，降低过电位，提高极限电流密度；对于离心力场超重力条件下的电沉积、电极反应及材料组织性能还与惯性力和电流方向有关，惯性力与电流方向同向有利于获得组织结构致密性能更好的电沉积材料．     

基于模糊PID的数字控制在DC／DC变换器中的应用

针对DC／DC变换器这种非线性系统，提出了一种基于模糊PID的数字控制方法。该方法通过对输出电压的偏差及偏差变化率的识别，进行模糊推理，实现对PID控制器参数的在线调节。电流连续模式和断续模式下的Buck变换器仿真结果表明，该方法能有效减小系统的超调量，提高系统的响应速度，缩短系统的调节时间，增强控制系统的动态性能。     

立方氮化硼晶体的电学性质与电流控制微分负阻

研究了非故意掺杂的n型cBN晶体的电学性质．所研究的cBN晶体是由六角氮化硼在高温高压下以镁粉为催化剂转化而来．在室温下，测量了cBN晶体的伏安特性，为非线性伏安特性．当电场强度在10^5～1.5×10^5V／cm范围内时，cBN晶体发生电击穿．同时，cBN晶体发出波长为380～400nm的蓝紫光．继续测量cBN晶体伏安特性，发现cBN晶体出现电流控制型微分负阻．这些实验现象是可以重复的．     

晶硅电池温变过程中的输出参数及温度场特性

利用有限差分法,分析了环境温度从250 K变化到500 K,且电池前后表面存在两种温差时,晶硅电池输出参数的温度特性及电池内部温度场的分布情况.研究表明:当电池前后表面温度相同,且温度逐渐增加时,短路电流基本不变,开路电压以0.02 V/K的速率线性减小,电池效率以0.07%/K的速率线性降低,温度场分布不均匀现象主要集中在接近电池前后表面的区域,最大温度梯度达?0.0002 K/?m;当电池前后表面存在1.5 K温差,且温度逐渐增加时,电池各输出参数均出现不同程度的改善,特别是开路电压相对无温差时可增加0.25%~1.2%,电池效率相对无温差时可增加0.4%~1.5%,温度场分布出现明显偏离由前后表面温差决定的温度梯度(0.0075K/?m)的现象.     

Sn/In/Ti纳米复合氧化物对可燃和有毒气体敏感特性研究

采用可控溶胶-共沉淀法合成了二元Sn／In和三元Sn／In／Ti纳米复合氧化物作为半导体CO，NO2和CH4传感器的敏感材料．通过优化可控制备参数研制出化学均一、高热稳定的纳米晶体复合氧化物．利用各种分析方法表征了纳米粉体的物性和结构，并对CO，CH4和NO2的气敏特性进行了考察．实验结果表明，所研制的二元纳米气敏材料对CO有高灵敏度和选择性，引入适量TiO2提高了对CH4的灵敏度和选择性，经少量金属元素掺杂和氧化物添加后气敏性质有大幅度提高．研究了复合物组成，先驱物焙烧温度及气敏操作温度和待测气体浓度对灵敏度的影响．其优化条件为金属盐总浓度0．05mol／L，金属阳离子比Sn^4＋：In^3＋为40％（摩尔分数）的纳米复合物在600℃时焙烧6h，则在150℃～250℃之间对CO和NO2有较高灵敏度，在气敏条件下以程序升温吸脱附实验研究了复合物表面的吸脱附行为，X射线光电子能谱分析证实复合物组分间存在着电子和化学的协同效应，气敏机理为表面吸附控制型．     

螺旋槽管污垢特性及其影响因素的实验研究

本文对6种螺旋槽管在不同条件下进行了污垢特性实验，考察了冷水硬度、温度及结构参数对螺旋槽管污垢特性的影响．实验表明，冷水温度降低时，螺旋槽管的污垢热阻随之降低．当增加冷水硬度时渐近污垢热阻也随之增加，但增至某硬度时渐近污垢热阻出现降低现象．螺旋槽管几何参数对污垢热阻有显著影响，槽深增加和螺距减小会使污垢热阻呈现降低趋势．在本文研究范围内，小螺距大槽深的螺旋槽管具有最低的渐近污垢热阻．     

基体开裂对黏弹性层合圆柱壳延迟失稳的影响

研究了基体蠕变开裂对黏弹性层合圆柱壳的前屈曲变形特征和分岔蠕变屈曲的影响．采用Schapery的耦合基体开裂的积分型本构关系描述铺设单层的力学行为，由细观力学方法将损伤变量值与基体裂纹密度相关联，并建立基体裂纹密度演化与拉伸应力的幂型关系．基于Donnell型扁壳理论和Karman．Donnell几何非线性关系得到黏弹性层合圆柱壳在轴向压缩下的前屈曲变形与分岔屈曲控制方程，综合应用有限差分、三角级数展开以及Taylor的卷积积分数值递规算法求解问题．针对多组几何参数、损伤演化参数以及两端边界条件，分析对称铺设玻璃纤维／环氧复合材料圆柱壳在耦合基体蠕变开裂时的分岔蠕变屈曲行为．数值结果表明：基体横向开裂损伤显著降低了短圆柱壳分岔蠕变失稳的临界时间和持久临界荷载，但这种影响随着圆柱壳径厚比的增加而减弱直至消失，对中长圆柱壳，损伤效应与圆柱壳两端的边界条件有关．     

多自由度强非线性随机系统非能量依赖的精确平稳解

提出了构造具有非能量依赖特性精确平稳解的多自由度强非线性随机系统的新方法．首先用外微分法导出与高斯白噪声外激和参激作用下的多自由度强非线性随机系统等价的Fokker-Planck-Kolmogorov（FPK）方程，该等价FPK方程与原FPK方程的主要区别是增加了任意反对称的扩散矩阵，然后通过确定反对称扩散矩阵的系数用逆解法可得到原系统的精确平稳解，它一般是非能量依赖的，也包括了已有的能量依赖的几类精确平稳解，是迄今为止最广泛的一类多自由度强非线性系统的精确平稳解．     

Al2O3／TiAI基复合材料在空气中的高温氧化行为

研究了热压烧结的Al2O3／TiAI基复合材料在900℃静止空气中的断续氧化行为．结果表明，随着Nb2O5掺量的增加，氧化增重减小，氧化抗力明显改善，其初始氧化动力学符合线性规律，断续氧化动力学服从抛物线规律．Nb2O5掺量大的材料，因氧化产物中含有TiAI和Ti2AIN相，显示其良好的抗高温氧化性．在900℃温度断续氧化120h后，氧化膜主要由TiO2外表层、Al2O3次表层以及TiO2和Al2O3的混合内层构成，由外向内为富AI向富Ti的氧化物混合层过渡．靠近基体TiO2和Al2O3混合内层为多孔疏松状结构，孔洞是由于形成Ti的氧化物后生成的．整个氧化层厚约20μm．氧化膜表面均未形成均一的Al2O3保护膜，但形成的内层Al2O3膜与外层TiO2膜粘附性高，没有发生氧化膜脱落现象．原位自生的Al2O3微细颗粒，高温下促使其本身成核与生长，使得热力学形成其膜所需的最低Al含量降低；同时，增加了Ti离子由M／MO界面向O／MO界面扩散的势垒，从而降低了TiO2的生成率，提高了抗氧化性能；另外，形成从外向内由富AI向富Ti氧化物混合层过渡的复层结构，降低了O^2-的内扩散，改善了复合材料的抗氧化性能．     

基于尖点位移突变模型的多夹层盐穴储气库群间矿柱稳定性分析

考虑到盐穴储气库群问矿柱失稳破坏可以看成矿柱变形从连续逐渐变化到系统发生突变的过程，是一种典型的非线性突变问题．本文建立了盐穴储气库群间矿柱稳定性分析的尖点位移突变模型，克服了单纯采用有限单元强度折减法计算矿柱稳定性安全系数过程中不能精确量化失稳判别标准的缺点，大大提高了矿柱稳定性安全系数模拟计算精度．利用上述模型研究了埋深、内压、矿柱宽度、蠕变时间等因素对多夹层盐穴储气库群间矿柱稳定性影响规律，并实例计算得到国内某盐穴储气库Y一1和Y一2间矿柱的稳定性安全系数，给出相应作业参数推荐值．计算结果表明：尖点位移突变模型具有很好的实用性，能精确给出矿柱稳定性安全系数；矿柱安全系数随着埋深和运行时间增加而降低，随着内压和矿柱宽度增加而增加．由于Y-1，Y-2盐穴储气库为采卤形成的溶腔再利用，导致矿柱宽度过小，造成矿柱稳定安全系数低，受到内压、运行时间、内压差和采气降压速率影响较为显著，建议内压不低于7MPa，使用年限不大于5年，内压差不大于3MPa，采气速率不大于0．50MPaJday．     

双绕组多相高速整流异步发电机系统的分析

在分析和定量计算双绕组多相高速整流异步发电机电流谐波和磁势谐波关系的基础上，提出了把发电机系统分成两个子系统分别进行分析计算的新思路．对十二相功率绕组与整流负载系统采用电路分析方法，用基于电路拓扑理论的回路电流法列写网络方程，求解过程中定步长和变步长联合使用，解决了计算结果的稳定性问题，得出了功率绕组电压、电流及其基波分量．对定子双绕组与实心鼠笼转子系统采用电磁场分析方法，电磁场有限元和多变量优化法迭代相结合求出了控制绕组电流和定子频率．计算结果和实验结果吻合，说明了所提方法的有效性和准确性．     

基于CCII的一种双采样保持电路的研究与设计

本文设计了一种高性能双采样保持（DSH）电路，在165V的电源电压下，其性能满足12位精度、200MS／s转换速率的流水线型ADC的要求。设计中采用了轨到轨自偏置第二代电流传输器（CCII）提高了S／H电路的可靠性和线性度；采用双采样结构，使得在同样性能的CCII条件下，采样速率成倍提高；对于大带宽自偏置CCII，采用了两个电流跟随器降低了端口的寄生电阻。DSH电路的采样电压幅度达到2V，对于输入为20MHZ的正弦波，测得其平台稳定精度为89μV，平台稳定时间为1．05ns，噪声失真比（SNDR）达到了84dB，满足12位ADC的要求，整个电路的功耗约为3．41mW。     

ZnO纳米柱的可控生长及其光学性质

以高分子聚合物聚乙烯醇（PVA）为软模板，通过PVA与乙酸锌（Zn（CH3COO）2．2H2O）之间发生的离子络合反应，在PVA亚浓溶液所提供的空间位阻力作用下，经过烧结，获得了直径在15—50nm之间的呈放射状簇形排列的ZnO纳米柱．X射线衍射（XRD）表明，所得产物结晶良好，呈六方纤锌矿晶体结构．利用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）分析了不同热处理温度对产物形貌的影响，结果显示，随温度从400℃增加到700℃，ZnO纳米柱生长趋势总体趋于明显，同时产物形貌的规整性也明显变好．采用室温下光致发光（PL）光谱对制得的ZnO纳米柱的光学性能研究表明，随着温度升高，ZnO发光性能在逐渐改善，除在384nm处出现了较常见的紫外发射外，PL光谱曲线在354nm处还出现了少见报道的较强的紫外发射峰，显示出良好的紫外发光性能．