应用科学学报1993年(第十一卷)总目录

第1期硅太阳电池类金刚石增透膜的研制………安其霖 夏义本 居建华 吏伟民 王 鸿电子束蒸发的驴8i1一。a％薄膜的光吸收特性……甘润今 张仿清 张津燕 陈光华在工作状态下感应反型层太阳电池的薄层电阻………0………………一.张秀淼俨Si:H太阳电池的光照及热处理研究…………………………………………… ………………………郑家贵 冯良桓 周心明 邱上源 蔡 伟 罗昭和 蔡亚平等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用………………周淑琴金祥风采用S巩+0。反应离子刻蚀聚酰亚胺膜…………………………………………… ………………………     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

硅各向异性腐蚀对偏压依赖和重掺杂停蚀机理的新模型

系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式.     

自加热气敏电阻热奔走机理分析

对自加热气敏电阻工作电压超过一定值时，由本片激发而产生的热奔走现象机理进行了分析。结果表明，该电压值随空气中ＣＯ浓度的上升而下降，并与气敏电阻自身的结构特性有关。     

二氧化硅簿膜驻极体的电荷动态特性

系统地研究了二氧化硅薄膜驻极体的负表面电荷和正表面与体电荷受激脱阱后在体内的输运规律。并考察了这种驻极体的放电特性，化学表面处理对该驻极体的电荷稳定性及电荷层在体内的迁移规律的影响。充电后的适当老化程序，可使电荷重心从样品的自由面附近向体内迁移，由此导致的二氧化硅的体内负电荷具有极好的稳定性。这一结果对正在研制中的二氧化硅微型传感器的质量改善是十分重要的。     

电路分析中特殊电阻的处理

阐述了在应用网孔电流法、结点电压法分析电路时 ,如遇到与电流源串联的电阻 ,处理的方式是不同的 .在应用网孔电流法分析电路时 ,如遇到与电流源串联的电阻 ,电阻可以省略 ,也可以不省略 .在应用结点电压法分析电路时 ,如遇到与电流源串联的电阻 ,电阻必须省略     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

关于微波混频器的一些理论极限值

本文采用散射矩阵分析了理想电阻性混频器在四种特定工作条件下变频损耗和噪声系数的理论极限值.特定的工作条件是:镜频、和频以及其余各谐波均为电阻性终端、均为电抗性终端、部分电阻性终端和部分电抗性终端等.目的在于阐明混频器中能量回收的一些基本概念.其结果汇集于表1.从中可获得若干有价值的结论,例如镜频回收将比和频回收得益较多;在镜频匹配条件下单道噪声系数有可能低于3dB以及当所有端口均匹配时极限噪声系数为3.92dB等.这些概念在混频器的设计与实验中可作为参考.     

硅片直接键合机理研究

提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦斯力互相吸引.在200-400℃,两表面吸附之羟基互相作用形成键合界面的硅醇键.温度高于800℃,硅醇键间发生显著化学聚合反应,形成硅氧键及水.水分子高温下扩散入体内与硅氧化,使键合强度增大,并使键合界面处空洞形成局部真空,有利于空洞消失.水扩散系数随温度而指数增大,在1050℃附近有一转折点,扩散系数增加速率显著减慢.由以上键合机理确定了优化的两阶段键合工艺,制得3英寸直接键合硅片.成功地利用SOI/SDB衬底制备了1-3μm CMOS器件,典型的电子和空穴沟道迁移率为680cm²/V·sec及320cm²/V·sec.     

模具钢的B-AI共渗层组织性能研究

本文探讨了Ｔ８、５ＣｒＭｎＭｏ、２Ｃｒ２Ｗ８Ｖ钢在添加氧化铝和还原剂的熔融硼砂浴中ＢＡ-１共渗工艺，还探讨了Ｂ-ＡＩ共渗层组织及其特性．结果表明，Ｂ-ＡＩ共渗层的结合强度、抗氧化性、抗热疲劳性均优于渗硼层且工艺简单易行。     

一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器

基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25 μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处ⅡP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.     

基于.NET的通用数据访问层的设计与实现

本文从研究ADO．NET的体系结构及其接口技术出发,研究了．NET平台下的通用数据库编程技术,并利用Factory等设计模式完成了一个通用数据库访问层的设计与实现。     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

削弱GPS卫星和接收机硬件延迟对TEC反演精度影响方法的研究

利用地基GPS观测技术可反演区域甚至全球范围电离层的总电子含量(TEC),但其中GPS卫星和接收机硬件延迟是影响反演TEC精度的最重要的一个系统偏差。为消减此系统偏差,利用双频载波平滑伪距和球谐函数建立电离层延迟改正模型,进行TEC反演并与IGS公布的TEC对比,以验证反演的有效性。此外,分析2013年6月的太阳和地磁活动与反演的TEC,结果表明,太阳和地磁活动指数变化与反演的TEC变化趋势一致。     

In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.     

励磁自动电压整定数字电位器

在模拟型可控励磁调节器中,带有动触头或手动调节的自动电压整定电位器长期使用后容易磨损老化,轻者接触不良,重者形成开路引起发电机失磁,本文根据模拟型励磁系统的工作原理,运用数字电路技术,构成自动电压整定数字电位器以取代电阻电位器,数字电位器具有高灵敏度、电阻的线性特性、调节稳定性好以及便于操作等优点,在励磁系统中起着电压比较、电压跟踪、增减控制、发电机空载预置与零起升压控制、快速逻辑复位等作用。     

三相反应式步进电机驱动器的设计

介绍步进电机驱动器的一种设计方法。设计时将LM331芯片接成电压／频率（V／F）转换方式，将输入控制电压转换成一定宽度的脉冲信号。方向控制信号由电压比较电路生成。PMM8713为集成脉冲分配芯片，可将输入脉冲信号分配成一定相序的控制各相通断的脉冲信号。功率驱动部分采用串联电阻电压驱动。     

高压功率VDMOST的SPICE直流模型

基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)等效电路模型.该模型由level3 NMOS管、控制源、电容等元件组成,较准确地模拟了高压器件的特性.与以往文献的结果相比,该模型物理概念清晰,准确性高,避免过多工艺参数引入的同时,简化了等效电路.将该模型嵌入SPICE进行仿真,得到了全电压范围内连续的I-V特性曲线,与实际测试结果相比,误差接近5%.