硬脂酸对超微CaS:Eu荧光粉的表面包覆改性

采用乙醇溶液中溶解脂肪酸和超声波分散的方法研究微米级CaS:Eu荧光粉颗粒表面均匀包覆硬脂酸(SA).用IR与XRD表征了包覆物(硬脂酸)与CaS:Eu颗粒表面的结合情况.采用荧光光谱测试了荧光粉包覆前后的荧光性质和耐候性.用粒度分布表征了荧光粉的粒径变化情况,通过平均粒径推算出最佳包覆厚度是1.67μm.研究表明包覆后的荧光粉的耐候性能明显增强.     

CaS∶Eu2+的性质与合成方法的关系

分别用高温固相反应法和微波辐射法合成了CaS∶Eu2+.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),激光衍射粒度分析仪和荧光光谱对样品的物相组成、形貌、粒径大小及分布和发光性能进行了表征. 发现用微波辐射法制得的样品粒度小,粒径分布窄,发光强度高.     

共沉淀法制备Eu~(3+)掺杂Gd_2(MoO_4)_3荧光粉及其发光性质研究

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3∶Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3∶Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

硅树脂改性CaS:Cu+,Eu2+荧光粉

采用硅树脂薄膜直接包覆碱土硫化物荧光粉CaS：Cu^ ，Eu^2 (RBI)以保护其发光在潮湿的空气中不衰减．通过荧光光谱、红外光谱(mR)、热重分析(TGA)、X射线能谱(EDX)和扫描电镜(SEM)比较了经硅树脂包覆改性的CaS：Cu^ ，Eu^2 (RBI-Si)和RBI的各种性能．红外光谱显示RBI-Si既有硅树脂的特征峰又有CaS的特征峰．TGA表明RBI-Si的失重率大于RBI．EDX显示RBI-Si表面有Si元素存在，确证RBI-Si表面包覆了硅树脂有机层．硅树脂的最佳用量为7％左右．改性后的RBI-Si的转光有效期比RBI的明显延长．     

沉淀法合成（Ce,Tb）MgAl_（11）O_（19）绿色荧光粉及其发光性能研究

探索沉淀法合成（Ce0.67,Tb0.33）MgAl11O19绿色荧光粉工艺条件,研究了滴定方式,pH值以及Mg含量变化对合成荧光粉性能的影响.利用X-射线衍射,SEM和荧光光谱对粉体的物相、颗粒粒径、表面形貌以及发光性能进行表征.结果表明：沉淀法的合成温度比固相法低250℃,且粉体在254nm光源激发下,样品在主峰544nm处的发光强度与固相法合成的样品相当.     

共沉淀法制备Eu3+掺杂Gd2(MoO4)3荧光粉及其发光性质研究术

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3:Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

CaS：Eu^2＋的性质与合成方法的关系

分别用高温固相反应法和微波辐射法合成了CaS：Eu^2 ．通过X射线衍射(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)，激光衍射粒度分析仪和荧光光谱对样品的物相组成、形貌、粒径大小及分布和发光性能进行了表征．发现用微波辐射法制得的样品粒度小，粒径分布窄，发光强度高．     

SrNb2O6:Eu3+, Bi3+红色荧光粉的固相合成及发光性质研究

采用高温固相反应法合成稀土离子Eu3+掺杂的铌酸锶红色荧光粉，对其晶体结构和荧光性质进行了X射线衍射（XRD）、荧光光谱（PL）的表征，同时研究了共激活剂Bi3+对SrNb2O6:Eu3+发光性质的影响结果表明，在1 200 ℃焙烧后可得到SrNb2O6纯相；Sr1-xNb2O6:Eux3+荧光粉可以被395 nm近紫外光有效激发，发射峰以Eu3+的5D0→7F2（614 nm）电偶极跃迁为最强峰，Eu3+ 在SrNb2O6中应处于偏离反演对称中心的格位，当x=015时，SrNb2O6:Eu3+在614 nm处的发光强度最大；共激活剂Bi3+的掺入可以增强SrNb2O6:Eu3+荧光粉在325 nm左右激发峰的强度     

Sm3+掺杂纳米晶ZrO2材料的制备及表征

用化学沉淀法制备纳米晶ZrO2∶Sm3 发光粉体,用X射线衍射谱对材料的粒径和晶体结构进行了表征,探讨了制备条件对样品粒径和晶体结构的影响.用荧光激发和发射光谱对材料的发光性质进行了表征,合理地归属了各谱项和跃迁.     

Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的燃烧法制备及发光性能研究

以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,紫外-可见分光光度计（UV-vis）和荧光分光光度计（PL）对样品进行了表征.结果表明：Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3％时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3＋半导体材料的发光性能为最强.     

L-半胱氨酸包覆ZnS微球的制备表征及荧光性能

通过一步水热法制备了 L-半胱氨酸包覆ZnS (L-Cys-ZnS)微球,对水热反应的温度、水热反应时间、表面活性剂和硫源等实验条件进行了优化研究.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、荧光光谱对该微球的形貌和结构进行了表征,并对其荧光性能进行了研究.     

LED用CaMoO_4:Eu3~(+),Tb~(3+)白光荧光粉的制备及发光性质的研究

采用化学共沉淀法制备了荧光粉Ca Mo O4:Tb3+、Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+,并对其发光性质进行了研究.Ca Mo O4:Tb3+样品在488nm激发下能发出很强的绿光,此时Tb3+的最佳掺杂浓度为15%;在Eu3+和Tb3+共同掺杂的体系中,可以观察到由于Tb3+向Eu3+的能量传递使Tb3+敏化Eu3+的发光现象.该荧光粉在近紫外光(379nm)激发下发出较强的白色荧光,光谱测试显示Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+的发射光谱存在三个激发峰,分别位于488、543和613 nm处,能够合成较理想的白光.     

Y2O3:Eu3+红色荧光粉的制备及其发光性质研究

采用固相法、溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法4种实验方法,分别制得Y2O3:Eu3+红色荧光粉,并对所制得的样品进行了XRD、SEM以及荧光光谱等表征.结果表明：所制得的Y2O3:Eu3+样品均为纯的立方晶相;都能够被256 nm的紫外光激发,在612 nm处发出强烈的红色荧光,对应于Eu3+ 的5D0→7F2电偶极跃迁,当检测波长为612 nm时,4种实验方法制得的荧光粉体均在256 nm附近出现较明显的激发峰,该处的激发峰对应于从O2-的2p轨道到Eu3+的4f轨道的电荷转移跃迁.且3种湿化学方法（溶胶凝胶法、共沉淀法和水热法）的发光强度强于固相法.     

共沉淀法合成La2O2S∶Tb3+荧光粉

采用共沉淀法合成了La2O2S∶Tb3+绿色荧光粉并进行了相关表征.结果表明,合成样品的晶体结构与La2O2S相同,属于六方晶系.颗粒的形貌多为长方形或矩形,结晶性能良好,晶粒大小2～10 μm.发射光谱由波长为490 nm、544 nm、587 nm、621 nm的一系列锐发射峰组成.最佳掺杂浓度x(Tb3+)为0.05 ～0.06.低浓度的Dy3+离子对La2O2S∶Tb3+荧光粉的绿色发光有敏化作用,Dy3+的适宜掺杂浓度x(Dy3+)为0.001 ～ 0.008.     

非放射性红色荧光粉的合成和发光

本文采用特殊的灼烧工艺，在还原气氛准封闭体系中合成了SrS:Eu,Er非放射性红色荧光粉，用365nm紫餐光激发，测试了样品的发光特性，其实验结果表明，SrS,Eu,Er荧光粉的发射光谱主峰位在620nm,色坐标x＝0.620,y＝0.375，余辉时间为3h，采用半导体平面工艺技术进行SiO2包膜，改善了荧光粉的稳定性。     

共沉淀法合成La2O2S∶Tb3+荧光粉

采用共沉淀法合成了La2O2S∶Tb3+绿色荧光粉并进行了相关表征.结果表明,合成样品的晶体结构与La2O2S相同,属于六方晶系.颗粒的形貌多为长方形或矩形,结晶性能良好,晶粒大小2～10 μm.发射光谱由波长为490 nm、544 nm、587 nm、621 nm的一系列锐发射峰组成.最佳掺杂浓度x(Tb3+)为0....     

CaMoO_4:Eu~(3+)荧光粉的制备及发光性质

利用共沉淀法制备了纳米CaMoO4∶Eu3+发光粉体.并对不同掺杂浓度和不同煅烧温度下所制备的CaMoO4∶Eu3+发光粉体进行室温发光性质的研究.在室温下观测到CaMoO4∶Eu3+样品具有较强的Eu3+离子特征发射.通过对不同煅烧温度下样品发射谱的对比,发现800℃下煅烧的样品,荧光强度最强,样品的晶相与发射性质的研究表明:所制备的样品经不同温度热处理后,晶相与标准卡07-0212一致,荧光强度与Eu3+离子掺杂浓度关系研究表明:在不同掺杂浓度中,Eu3+离子浓度为20%时,其相对发射强度最强.在四个不同的煅烧温度中,经800℃煅烧的样品其发光效果最好.此外,还观察到基质与Eu3+之间的能量传递.CaMoO4∶Eu3+与CaWO4∶Eu3+的激发谱、发射谱进行比对,并且通过计算发现M6+-O的共价键比W6+-O结合的强.     

一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉.     

Ag包覆MnO_2的制备及其作为锂锰一次电池正极材料的性能研究

以AgNO_3为银源,通过热分解法在MnO_2表面包覆了一层Ag纳米颗粒,从而得到了具有核壳结构的Ag-MnO_2颗粒。利用XRD、EDS、SEM和TEM对所合成Ag-MnO_2的物质结构和微观形貌进行了表征,通过恒流放电和电化学阻抗测试表征了以Ag-MnO_2为正极的Li/MnO_2的电池性能。结果表明,在400℃下分解得到Ag包覆量为5%(质量百分比)的Ag-MnO_2性能最优,在0.5 C和1 C放电下,其放电比容量分别为172.0和110.6 m Ah·g-1,相比于未改性的MnO_2,其放电比容量分别提高了59.85%和50.68%,这是由于Ag颗粒均匀地包覆在MnO_2表面,提高了MnO_2的导电性,改善其电子传输速度,从而显著提高了电化学性能。     

退火气氛对铽掺杂氧化锌纳米薄膜发光性能的影响

以Zn(Ac)_2 2H_2O和Tb_4O_7为原料,采用溶胶-凝胶、浸渍-提拉技术在单晶硅(100)衬底上制备了铽掺杂的氧化锌(ZnO∶Tb)薄膜。分别在氮气和氢气气氛下对薄膜进行退火处理,并进行了XRD、IR、EDS和AFM表征,同时结合荧光光谱测试详细研究了退火气氛对薄膜发光性质的影响。结果表明,经氮气和氢气气氛处理的薄膜中,ZnO∶Tb粒子均具有六方纤锌矿结构,且排列致密均匀,相应的ZnO∶Tb粒径分别为59和45 nm。经氮气气氛处理的ZnO薄膜,掺杂前后的发光情况变化显著,由485 nm的蓝光发射移到382 nm的紫外发射。用氢气进行退火处理时,掺杂前后薄膜的荧光光谱都由强的紫外发射和弱的蓝光发射组成,但掺杂后薄膜的紫外光发射减弱,蓝光发射增强。薄膜层数为3、Tb掺杂量为3.85 mol%时,ZnO∶Tb薄膜的荧光发射效果最佳。