非固体电解质钽电容器阴极表面的处理方法

非固体电解质钽电容器阴极表面的处理方法往往对于钽电容器的电性能参数有着决定作用。非固体电解质钽电容器采用银壳作为负极时,通过氯铂酸或者硫酸对阴极进行处理,阴极面的电容可以达到更高的水平,使得非固体电解质钽电容器的可靠性得到提升。本论文重点对钽电容器阴极表面的处理方法进行分析。     

稻草水解渣制炭磺酸及催化合成甘油缩环己酮

以稻草水解残渣为原料,经减压热解炭化和发烟硫酸磺化制备出了新型固体酸稻草炭磺酸.炭化是从室温以10℃/min升温到150℃,恒温3 h;磺化按1:10的炭酸质量比加入发烟硫酸(50%SO3),在80℃下恒温3h,制得的稻草炭磺酸的酸量达到2.0 mmol/g.稻草炭磺酸在甘油缩环己酮反应中表现出了良好的催化活性.在环己酮用量0.10 mol,丙三醇0.12 mol,催化剂用量10 mg,带水剂环己烷15 mL,反应2.5 h,环己酮转化率达99.3%,并以良好的稳定性而可重复使用.     

Fe修饰炭化树脂吸附诺氟沙星的性能研究

以阳离子交换树脂和氯化亚铁为原料,经离子交换、炭化工序,制备铁修饰的炭化树脂作为吸附剂.通过对水溶液中诺氟沙星吸附实验的初步结果表明,对诺氟沙星的吸附量可达40.49mg/g.分别用Langmuir和Freundlich方程拟合吸附平衡数据.考察了吸附时间、pH、诺氟沙星浓度及温度等实验条件对吸附效率的影响.在吸附时间3 h、pH6、诺氟沙星初始质量浓度10 mg/L、室温条件下,铁修饰的炭化树脂吸附诺氟沙星的能力较好.诺氟沙星在铁修饰的炭化树脂上的吸附均符合准二级动力学模型.吸附过程为放热过程,吸附等温线符合Freundlich方程.     

LiTa0.9Nb0.1O3晶体及其结构相变的喇曼研究

本文利用喇曼散射方法系统地研究了钽铌酸锂(LiTa_(0.9)Nb_(0.1)O_3)晶体的晶体振动及其高温下发生的由铁电相到顺电相的结构相变。常温实验中,观察到了所有喇曼激活的模式,与群论分析的结果相符合。高温实验中,发现钽铌酸锂的相变过程中有模式软化的现象发生,但软模并未软化至零频率,即结构相变并非软模导致的位移型相变而是一种有序—无序型的相变。     

钙钛矿基阴极催化剂制备方法的研究进展

钙钛矿材料因电导率良好,价格便宜,具有灵活的物理和化学性质而在能源转换和存储技术方面具有良好的发展前景.作为金属-空气电池阴极催化剂,钙钛矿材料性能的好坏在很大程度上取决于制备方法.为此,对金属-空气电池钙钛矿基阴极催化剂的制备方法进行了总结概述.     

炭化对活性炭电极电容去离子性能影响的研究

利用自制粘结剂与活性炭(AC)粉末混合制备活性炭电极(ACE),为了提高电极的电容去离子性能,将ACE进行炭化处理.利用数码相机、接触角测定仪、循环伏安、交流阻抗研究炭化温度对ACE的表面形貌、亲水性、电容和扩散内阻的影响,并对电极在NaCl溶液中电容去离子除盐性能进行考察.实验结果表明:当炭化温度为850℃时,电极的强度和韧性适中,亲水性好,双电层形成速率快,比电容大,扩散阻力小,电容去离子过程中除盐性能高.     

类钙钛矿型中温固体氧化物燃料电池Sm1.5Sr0.5NixCo1-xO4阴极材料的制备与电化学性能研究

采用甘氨酸-硝酸盐(GNP)法合成了中温固体氧化物燃料电池(IT-SOFC)阴极材料Sm1.5Sr0.5NixCo1-xO4(x=0.0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0),利用XRD和SEM对其物相结构和微观形貌进行了表征.结果表明,该阴极材料与电解质Ce0.9Gd0.1O1.9(CGO)在1200oC烧结时不发生反应,且在1100oC烧结4 h后,二者之间可以形成很好的接触界面.电化学性能结果表明,Sm1.5Sr0.5N i0.6Co1.4O4阴极在空气中700oC条件下测试得到的极化电阻为3.78 ohm.cm-2.电极的短期稳定性测试结果表明,在7200 s测量范围内,阴极电流密度随着测试时间的延长而缓慢下降最后逐渐趋于平稳,降幅约为2.1%.     

改性玉米淀粉缓释膜制备中引发剂对吸水率的影响

用玉米淀粉/聚乙烯醇包膜材料给尿素涂膜制得包膜尿素,具有良好的缓释性和保水性.在制备工程实验中采用不同引发剂及不同用量对其吸水率进行测定,通过实验找到引发剂最佳用量.     

衬底偏压对磁溅射生长氮化碳薄膜的影响

采用非平衡磁溅射方法，在不同衬底偏压条件下，在Ｓｉ（００１）衬底上制备出氮化碳薄膜，实验发现，氮化碳薄膜的沉积率取决于衬底偏压。通过对红外、电子能量损失谱的测试分析发现，衬底偏压对氮化碳薄膜中原子间的键合情况也有一定影响。     

Ru(bpy)_3~(2+)阴极电化学发光行为的机理研究

为了研究发光电位在0.20 V(vs.Ag/AgCl)左右的Ru(bpy)32+阴极电化学发光行为的机理,改善此电化学发光体系的灵敏度和重现性,考察了电位扫描圈数、扫描范围对此阴极电化学发光行为的影响。结果表明,Au和Nafion在这种独特的阴极电化学发光中起了关键的作用。基于实验结果,提出了一种可能的激发模式,并应用此激发模式对一些电化学发光现象进行了解释。     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

(Pb1-xSrx)TiO3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的MnO₂,制备了系列(Pb_1-xSr_x)TiO₃(PST)红外敏感铁电陶瓷材料.对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究.结果表明,材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系,每增加mol比1%的Pb,将使居里温度提高约5℃.而随着测试频率的增加,居里温度与温度系数基本不变,但介电常数却略有下降.通过对PST系样品热释电性能的测量,可知材料的热释电系数约在10^-3C/(m²·K)量级.     

K5Bi1-xErx(MoO4)4固溶体的晶体数据

用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm.     

聚醚基磁性液体的研制及其在真空转轴密封中的应用

共沉淀法制得的磁性粒子经聚醚磷酸酯表面活性剂处理并分散于基液聚醚中,得到了稳定的聚醚基磁性液体,透射电镜分析表明磁性粒子在基液中分散良好,其粒径大多在8~12nm.磁性液体RE-Ⅲ(4πM_s=0.0450 T)被应用于X-射线衍射仪的旋转阳极密封中,仪器已使用了两年多,在3000r/min条件下,真空度可达到2.7×10^-5Pa左右.     

指数和在扩频序列设计中的应用

设p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ r ≤ e-1,(r,e)=1,k是p次本原单位根,q=p^m,J:z→k^trm₁(z)是有限域F_q上加法特征.对任意a,b∈F_q^e,定义指数和e_(a,b)=∑_x∈Fq^eJ[tr_mⁿ(ax+bx^qr+1)],其中tr_mⁿ(°)表示从F_q^e到F_q上的迹函数.文中求出了指数和e_(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

加细函数的卷积构造算法

通过两个加细函数的卷积运算,给出构造加细函数的新方法.讨论了由卷积运算产生的加细函数的性质,特殊地当伸缩因子为2时,得到任意两个B-样条尺度函数N_i(x)和N_j(x)的卷积仍是一个N_i+j(x)B-样条尺度函数.最后给出构造算例.     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.     

一类线性时滞控制系统的镇定

本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑_i=0^k (B_iu(t-r_i))+∫₁⁰ (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r₀ < r₁ < … < r_k=r<∞)).