镍基高温合金表面激光熔覆制备A12O3-TiO2陶瓷涂层

利用不同工艺辅助激光熔覆技术制备了Al2O3-TiO2陶瓷涂层,以判断激光熔覆制备陶瓷涂层的可行性.结果表明:利用激光熔覆技术直接制备陶瓷层存在一定难度,陶瓷层裂纹较大,存在剥落现象;采用基底预热辅助激光熔覆法制备的陶瓷层整体脱落,可行性较差;结合冷等静压与高频表面预热技术进行激光熔覆陶瓷层试验,制备的陶瓷层表面光滑平...     

高温银浆表面金属化研究

通过扫面电镜和能谱分析技术研究了烧结保温时间对中温银浆和高温银浆的金属化层形貌的影响.采用丝网印刷工艺将两种电子银浆料均匀分布在氧化铝陶瓷板表面,通过调整不同烧结保温时间探究不同金属化层的微观形貌及迁移情况,最佳烧结保温时间是20 min.基于实验结果,在银金属化层与氧化铝陶瓷基板界面处提出了银金属化层网状结构和玻璃的网状结构相互交错的模型.     

反应喷涂制备Ti-B-C-N涂层的研究进展

从涂层组成、粉末制备方法、喷涂工艺及配方对目前反应喷涂法制备Ti-B-C-N陶瓷涂层的研究进展进行了综述。总结了喷涂工艺、制粉方法与配方对涂层性能的影响,对采用反应喷涂制备Ti-B-C-N陶瓷涂层未来发展方向和研究重点进行了分析与展望。得出结论:选择适当的喷涂工艺、合理的制粉方法和粉末配方是获得优良涂层的关键。     

铝铝薄板爆炸焊接厚度匹配性研究

针对覆板、基板与炸药几何尺寸是实现高质量板材爆炸焊接的重要初始参数.利用数值模拟为主、验证实验为辅的方法,进行了炸药厚度对一定厚度铝质复板与基板爆炸焊接质量影响规律的研究.将爆炸焊接简化为二维问题,进行大量数值计算,综合板材温度、压力、材料密度、覆板速度等动态参数比较分析,得到一定条件下实现较薄铝板成功焊接的炸药极限厚度,并进行了实验验证.在数值模拟及实验数据基础上,进行了覆板、基板厚度与炸药厚度匹配性分析.利用拟合法得到了基板厚度一定条件下,炸药厚度极限值随覆板厚度变化的经验公式;利用多元回归方法,对炸药厚度、覆板厚度与基板厚度之间的关系进行了分析,这对于铝板爆炸焊接实际应用具有较重要意义.     

用于柔性液晶显示器件的粘结膜材料研究

柔性液晶显示器是液晶显示的重要发展方向.然而由于柔性基板不具备传统玻璃基板的刚性,无法保证其在工艺流程中的平整性,因此传统的液晶显示器件生产流程无法直接适用于制备柔性显示器件.现提出一种利用新型多层粘结膜材料,将柔性基板与辅助玻璃基板贴合,完成液晶显示器件制备的流程,最后通过直接剥离粘结膜即可分离出柔性显示器件的制备方法.全部的制备过程在传统液晶显示器件生产流程的框架下实现,并且可以直接剥离柔性显示器件与辅助玻璃基板分离,无需额外的紫外或其他工艺破坏粘结层来分离出柔性显示器件.通过模拟实际液晶显示的工艺流程,验证了粘结膜材料用于制备柔性液晶显示器件的可行性,并使用粘结膜材料贴合辅助玻璃基板的方法完成柔性液晶盒制备,测试液晶盒光电特性参数,对应用于柔性液晶显示器件的粘结膜材料的实际效果进行了评价.     

无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

超导配线的丝网印刷工艺研究

用硝酸盐热分解法制备Y-Ba-Cu氧化物高温超导微粉,与有机载体混合调配成超导浆料。用丝网印刷-烧结工艺,在高铝陶瓷基板上制得了厚约20～30μm,零电阻温度82K的厚膜超导电带。     

煤基直接还原—磁选超微细贫赤铁矿新工艺

针对某种超微细粒贫赤铁矿难选的特点,开发了煤基直接还原一磁选新工艺,制备出高品位铁精矿。采用预热团块煤基直接还原工艺制取高金属化率的直接还原团块,经磨矿一磁选,得到高品位高金属化率的铁精矿,从而为开发利用微细粒嵌布复杂低品位铁矿提供了理论依据。通过对还原温度、还原时间及C与Fe质量比等条件的优化,得到金属化率93．72％的还原矿,经三段磨矿一三段磁选得到Fe似为69．54％,金属化率为98．01％,且有害杂质含量少的铁精矿。该工艺所得的高金属化率的铁精矿可直接作为转炉炼钢的原料。     

PZT陶瓷表面金属化—化学镀的条件控制

报导了在用化学镀镍方法使ＰＺＴ陶瓷表面金属化以制备电极的过程中，化学镀液组分浓度的变化，以及ＰＨ值、施镀温度及施镀时间等因素对化学镀结果的影响，并选定了合适的工艺条件和控制标准。     

Si3N4陶瓷与铝的辉光钎焊

利用化学镀工艺使陶瓷表面金属化,进而采用辉光钎焊的方法实现了Si3N4陶瓷与纯铝的无钎剂钎焊.对接头的微观结构、接头中金属间化合物的行为及防止措施进行了分析和探讨.     

PIA法制备MMCs骨架工艺及进展

综述了有机前驱体浸渍烧蚀法(PIA)制备金属基复合材料(MMCs)用金属间化合物或陶瓷网络结构预制体的工艺过程及技术方法，分析了其制备工艺特点，指出。PIA法是目前制备MMCs最方便有效的方法。并论述了工艺进展的情况，展望了其发展前景，提出下一步需要解决的问题。     

(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电性能研究

用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷的热释电系数.采用两步法工艺制备的PSTZT陶瓷和在较高烧结温度下制备的PSTZT陶瓷的热释电系数较大.     

Si3N4陶瓷与铝的辉光钎焊

利用化学镀工艺使陶瓷表面金属化,进而采用辉光钎焊的方法实现了Ｓｉ３Ｎ４陶疱与屯铝的无钎剂焊。对接头的微观结构,接头中金属间化合物的行为及防止措施进行了分析和探讨。     

激光熔覆沉积TC11钛合金基板应力预测和微观组织研究

对损伤的TC11钛合金零部件进行激光熔覆沉积修复,可在不影响零件使用性能的前提下,节约贵重钛合金资源,提高零件利用率。分析修复后熔覆层和基材组织性能和开裂倾向是激光熔覆沉积修复工艺的基础研究工作。采用高斯热源,建立了单道单层激光熔覆应力预测三维数值模型,研究了激光熔覆基板的应力分布规律。随后,进一步实验研究了TC11激光熔覆区的显微组织结构。结果表明,激光熔覆区可分为熔覆层、热影响区和热应力层3部分。基板热应力层的晶粒受到应力的作用变形显著。激光熔覆后基板应力仿真和实验结果分布趋势一致,且最大热应力深度随激光功率的增大而增大。     

一种新型SISL分支线3 dB定向耦合器

为了构造高性能的定向耦合器,提出一种新型介质集成悬置线(SISL)分支线3 dB定向耦合器。该耦合器在SISL空气腔的中心放置由覆铜板和金属化通孔包围的介质基板,提高了SISL结构的稳定性。馈电方式采用同轴接头直接馈电,在SISL与接头连接处增加了接地金属化过孔,减小了插入损耗,改善了电路的电性能。测试结果表明:耦合器中心频率为2.45 GHz,在2.3~2.6 GHz回波损耗和隔离度均优于20 dB,插入损耗低于0.6 dB,幅度不平衡度小于0.5 dB,相位误差小于±1°。该新型定向耦合器结构稳定、损耗低、自封装和电磁屏蔽性能好,具有良好的工程应用前景。     

超高温陶瓷基复合材料制备与性能的研究进展

综述超高温陶瓷基复合材料的研究体系,制备技术,材料力学、抗氧化、抗烧蚀性能等方面的研究进展,重点关注碳化物、硼化物陶瓷基复合材料以及连续纤维增韧陶瓷基复合材料体系,简述烧结致密化制备工艺和连续纤维增韧陶瓷基复合材料的制备方法,重点解释碳纤维(Cf)在微观结构层面对于ZrB_2-SiC复合材料力学性能的影响,着重分析ZrC-SiC和ZrB_2-SiC复合材料的高温抗氧化和抗烧蚀性能,对超高温陶瓷基复合材料面临的挑战和发展前景进行了展望。     

金属基复合粉末制备方法研究进展

金属基复合粉末是制备金属复合材料的重要原料,应用前景非常广阔。对金属基复合粉末的制备技术从物理和化学方法两个方面进行综述,并例举了一些应用。物理法包括机械合金化法、溶胶-凝胶法、喷雾干燥法和物理气相沉积法等;化学法包括化学镀覆法、还原法和共沉淀法等。     

陶瓷薄膜的气相制备及热力学应用

综述了通过气相法制备陶瓷薄膜的方法,介绍了热力学在薄膜生成时的应用,讨论了基片温度和沉积速率对薄膜结构的影响,并对薄膜与基片间的结合问题进行了简单论述。     

Experimental study of laser direct cladding of Zr02 coating on titanium substrate

采用激光同轴送粉工艺在钛基体上直接熔覆ZrO。陶瓷涂层,研究不同工艺参数对单道熔覆层熔覆质量的影响规律;采用光学显微镜观察陶瓷涂层的微观组织,并采用电子探针技术分析基体和zrO：陶瓷结合区成分分布;利用XRD分析激光熔覆前后zroz陶瓷物相变化情况．结果表明：在一定的功率范围内,熔覆层宽度受激光功率的影响不大,熔覆层高度和基体熔化深度随工艺参数的变化呈现一定的规律性;ZrO。和Ti基体结合区形成很好的成分梯度渐变过渡,陶瓷微观组织为细小的枝状晶组织;激光熔覆ZrOz陶瓷后,单斜相（m相）衍射峰强度相对减弱．     

钛基体激光直接熔覆ZrO 2涂层实验研究

采用激光同轴送粉工艺在钛基体上直接熔覆ZrO2陶瓷涂层,研究不同工艺参数对单道熔覆层熔覆质量的影响规律;采用光学显微镜观察陶瓷涂层的微观组织,并采用电子探针技术分析基体和ZrO2陶瓷结合区成分分布;利用XRD分析激光熔覆前后ZrO2陶瓷物相变化情况.结果表明:在一定的功率范围内,熔覆层宽度受激光功率的影响不大,熔覆层高度和基体熔化深度随工艺参数的变化呈现一定的规律性;ZrO2和Ti基体结合区形成很好的成分梯度渐变过渡,陶瓷微观组织为细小的枝状晶组织;激光熔覆ZrO2陶瓷后,单斜相(m相)衍射峰强度相对减弱.