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相似文献
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1.
刘超 《科学技术与工程》2012,12(16):3827-3830
采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。研究薄膜的晶体结构、磁化行为以及磁场对马氏体相变应变的影响。试验结果表明,经823 K退火1 h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜,室温下处于奥氏体态,呈较强的(110)织构特性,且室温饱和磁化强度约为40 emμ/g。试验还发现,当沿膜面方向施加0到0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。  相似文献   

2.
通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。  相似文献   

3.
通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。  相似文献   

4.
借助光学金相、示差热分析、振动样品磁强计和x-射线能谱分析等分析方法,研究Ga含量对Co41Ni32-Al27-xGax合金马氏体相变和Curie点的影响。研究结果表明:合金马氏体相变温度与Ga含量成正比,在1573和1623K淬火时,X增加1,马氏体相变温度提高25K,但Ga含量对Curie点影响不大;在1573K淬火时,具有高有序度的马氏体相比B2结构相的Curie点高32K,说明结构有序度对Curie点影响较大;淬火温度升高会显著提高合金的马氏体相变温度和Curie点,当淬火温度从1573K升高到1623K时,马氏体相变温度升高43~69K,Curie点平均升高41K;随着Ga含量的增加,合金的熔点降低,在1623K淬火时Co41Ni32Al18Ga9合金发生部分熔化。  相似文献   

5.
金相观察了Ni53.2Mn22.6Ga24.2单晶样品应力诱发马氏体相变和中间马氏体相变过程中微观结构的变化.实验发现,在单轴应力作用下,马氏体相变和中间马氏体相变的变体重取向的机制不同,马氏体相变生成的变体的重取向是通过孪晶界移动的方式实现的,而中间马氏体相变生成的变体是处于择优取向的变体以逐渐长大的方式完成的.依据应力-应变曲线计算了应力加载和卸载过程的储能、输出功和能耗,结果表明储能、输出功和能耗随形变温度的升高而增大,但在更高的形变温度能耗反而减小.  相似文献   

6.
价电子浓度和晶格体积是影响Heusler合金马氏体相变温度的两个主要因素.为了研究Ni-Mn基Heusler合金马氏体相变温度的变化规律,我们利用第三主族元素Al,Ga,In分别对Ni44Mn45Sn11合金中的Sn进行替代研究.实验结果表明:Al,Ga和In与Sn相比具有较少的价电子和较小的离子半径,替代导致合金价电子浓度降低和晶格体积收缩,但马氏体相变温度并不随着价电子浓度和晶格体积单调地上升或下降,价电子浓度和晶格尺寸机制均不能独立地解释Ni44Mn45Sn10R(R=Al,Ga,In和Sn)合金中的马氏体相变温度变化规律.综合价电子浓度和晶格尺寸因素,我们提出用电子密度可很好地解释Ni-Mn基铁磁形状记忆合金体系中马氏体相变温度随着电子密度的升高而升高的变化规律.  相似文献   

7.
通过实验和第一性原理研究了Ni50-xMn10+xGa30Cu10(x=0-10)系列Heusler合金的结构、马氏体相变和磁性.实验研究发现,当用Mn原子在化学上替换Ni原子,合金的晶格参数随成分线性增大,相应体系的马氏体相变温度线性降低;理论分析认为,体系合金的单胞尺寸和电子浓度的共同作用使马氏体相变温度随成分变化线性降低直至消失;体系中Mn对Ni原子的替换使交互作用较强的Ni(A,C)-Mn(B)原子对逐渐形成,这增强了磁性原子间总的交换耦合作用,实验观测到体系合金的居里温度随成分逐渐上升.基于KKR-CPA-LDA的第一性原理计算结果表明,在体系合金中Mn原子磁矩始终与Ni原子磁矩保持铁磁排列,且Mn原子为体系分子磁矩的主要贡献者,因此体系合金的分子磁矩随Mn原子数量线性增加,这与实验结果相一致.  相似文献   

8.
利用音频内耗仪测试了Fe-Mn-Si基形状记忆合金热诱发马氏体、一般应力诱发马氏体和热-机械训练后的应力诱发马氏体的逆相变过程.结果表明,热诱发马氏体的逆相变在400~500K完成;经训练后的应力诱发马氏体逆相变开始温度与热诱发马氏体逆相变开始温度相近,但高于一般应力诱发马氏体的逆相变开始温度;一般应力诱发马氏体的逆相变温度低于热马氏体的逆相变温度,随应变量的增加,A  相似文献   

9.
为探讨沉积温度对GaAs薄膜外延生长过程中微观结构的影响,运用分子动力学方法模拟不同沉积温度时的GaAs薄膜外延生长过程.结果表明:在温度低于800 K时,沉积薄膜的晶格完整度和临界外延生长厚度随沉积温度的升高而增加;当沉积温度在800~1500 K时,晶格完整度随沉积温度的升高变化较为平缓,但此时薄膜中仍含有一定的点缺陷.随着温度的升高,点缺陷逐渐减少.As2的吸附率对温度的变化较为敏感,当沉积温度高于800 K时,As2开始脱吸,致使沉积薄膜中As原子比例随沉积温度的升高而降低.在整个沉积过程中,Ga的吸附率较为稳定,在温度低于1000K时,其吸附率几乎为100%;在1000 K时,Ga逐渐发生少量脱吸;在温度高于1400 K时,Ga才发生明显脱吸.  相似文献   

10.
采用磁控溅射法在STO(001)基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜,研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响.研究结果表明,随退火温度的升高,薄膜中氧含量及Mn^4+/Mn^3+比逐渐升高,LCMO薄膜中的Mn^4+/Mn^3+比与薄膜中的氧含量有关,当氧含量增大时,Mn^4+/Mn^3+比相应增大.LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小,而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高,经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属.绝缘相变温度可达257K.  相似文献   

11.
NiMnGa是最早发现的铁磁形状记忆合金,是一种新型的形状记忆材料。自发现以来,许多学者对其进行了深入的研究,但对磁转交和马氏体转变共同发生的转变特性却缺乏系统的表征。本文采用多种测量手段,如相变潜热、电阻、交流磁化率和应变测量,对提拉法生长的Ni46Mn35Ga19单晶的磁转变和马氏体相变同时发生的转变行为进行了系统表征;根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。应变测量结果表明,伴随该转变行为,材料展现出应变量达-0.89%的自发双向形状记忆效应和应变量高达-1.90%的磁控形状记忆效应。  相似文献   

12.
时效近等原子比钛镍形状记忆合金TEM分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用TEM分析技术对一种富Ni钛镍形状记忆合金时效后的组织进行了研究 ,结果表明 ,在不同温度下时效析出物的相结构和形态是不同的 .在 6 73~ 773K温度时 ,析出物都是Ti1 1 Ni1 4 相 ,随时效温度的提高 ,析出物的形态由细点状变为透镜状截面的椭圆板 ,这种相与B2母相是共格的 ,它的应变场使R相变与马氏体相变分离 ,Ti1 1 Ni1 4 相的析出会改善钛镍形状记忆合金的性质 .此外 ,在更高温度下时效合金将析出稳定的TiNi3相 ,该相与基体没有共格关系 ,同时导致基体镍含量下降 ,提高了马氏体转变温度 .  相似文献   

13.
The amorphous Ti-Ni-Hf thin films with the specific compositions were prepared from single Ti-Ni-Hf alloy target by adjusting processing parameters of direct current magnetron sputtering deposition. Prior to the crystallization,a glass transition occurred in the present Ti-Ni-Hf thin films. The annealed Ti-Ni-Hf thin films were characterized by the nano-crystalline. With the annealing temperature increasing, the grain size firstly increased and then decreased owing to the presence of(Ti,Hf)_2Ni precipitate. Two endothermic and exothermic peaks corresponding to B19'■B2 martensitic transformation in heating and cooling curves were observed for the Ti-Ni-Hf thin films with the lower annealing temperature and shorter annealing time, which was closely related to the inhomogeneous composition. However, the Ti-Ni-Hf thin films annealed at higher annealing temperature and longer annealing time showed the single stage B19'■B2 martensitic transformation. In addition, the martensitic transformation temperatures firstly increased and then decreased with the annealing temperatures rising.  相似文献   

14.
This article reports the effect of ageing on the microstructure, martensitic transformation, magnetic properties, and mechanical properties of Ni51Fe18Ga27Ti4 shape memory alloy. There are five specimens of this alloy aged at 573 up to 973 K for 3 h per each. This range of ageing temperature greatly affects the microstructure of the alloy. As the ageing temperature increased from 573 up to 973 K, the microstructure of Ni51Fe18Ga27Ti4 alloy gradually changed from the entirely martensitic matrix at 573 K to the fully austenitic microstructure at 973 K. The volume fraction of precipitated Ni3Ti particles increased with the ageing temperature increasing from 573 to 773 K. Further increasing the ageing temperature to 973 K decreased the content of Ni3Ti in the microstructure. The martensitic transformation temperature was decreased steadily by increasing the ageing temperature. The magnetization saturation, remnant magnetization, and coercivity increased with the ageing temperature increasing up to 773 K. A further increase in ageing temperature decreased these magnetic properties. Moreover, the hardness values were gradually increased at first by increasing the ageing temperature to 773 K, and then dramatically decreased to the lowest value at 973 K.  相似文献   

15.
NiMnGa是最早发现的铁磁形状记忆合金,是一种新型的形状记忆材料。自发现以来,许多学者对其进行了深入的研究,但对磁转交和马氏体转变共同发生的转变特性却缺乏系统的表征。本文采用多种测量手段,如相变潜热、电阻、交流磁化率和应变测量,对提拉法生长的Ni46Mn35Ga19单晶的磁转变和马氏体相变同时发生的转变行为进行了系统表征;根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。应变测量结果表明,伴随该转变行为,材料展现出应变量达-0.89%的自发双向形状记忆效应和应变量高达-1.90%的磁控形状记忆效应。  相似文献   

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