用于内转换电子穆斯堡尔谱仪中的多丝正比室

多丝正比室作为穆斯堡尔谱仪有用的探测器，不仅在透射式中测量γ射线，还可在背散射式中测量内转换电子．本文详述了这类多丝室的结构和特性．由于每一根丝有信号输出，这些信号与微机控制的多路数据获取和处理系统相连时，便有高的几何效益，可以同时从几个不同的方位获取信息，以研究表面背散射测量时样品的结构．     

碘化钠探测器和高纯锗探测器γ能谱仪性能比较

用碘化钠(NaI)闪烁体探测器和高纯锗(HPGe)半导体探测器γ能谱仪测量了^137Cs-^152Eu标准放射源和铅室本底的γ射线能谱．分析研究NaI探测器与HPGe探测器的能量分辨率、探测效率等特性，通过能谱分析还给出了铅室本底中可能含有的放射性核素，并对HPGe探测器进行了部分能量范围内的效率刻度．     

光信号自动拾取丝扫描测量系统设计

为了提高同步辐射丝扫描探测器的测量分辨率与缩短数据处理时间,设计了光信号自动拾取丝扫描测量系统.该系统采用多进程优先级机制管理采样过程,对信号进行降噪处理后使用Allen函数对信号幅度变化特征进行放大,长短时平均法与赤池准则结合拾取光信号,自动确定拟合区间,同时采用能量变化法对高斯拟合参数初值进行估测.经实验验证,该测量系统拾取光信号位置准确,可有效提高丝扫描探测器的测量分辨率,缩短数据处理用时.     

RHIC-STAR时间投影室的升级

位于美国布鲁克海文国家实验室的相对论重离子对撞机RHIC计划于2019–2020年进行能量扫描二期实验项目,其主要科学目标是研究强相互作用物质的相结构并寻找相变临界点. STAR时间投影室内扇区丝室升级(inner TPC, iTPC)是该项目关键的探测器升级. iTPC升级将拓展STAR带电粒子测量的赝快度覆盖区间,并提高动量及能量损失测量的分辨率. iTPC升级将重新制作包括读出丝室和电子学在内的全部24块内扇区模块. iTPC丝室包括阳极丝、阴极丝、门极丝共3层丝面,丝张力及丝面的高度都需要高精度控制.我们设计了丝张力精密测量装置以及高精度丝面安装系统,高质量完成了全部iTPC丝室探测器的研制.实现了探测器增益均匀性1.5%(RMS)、能量分辨率25%(FWHM),及强辐射环境下稳定工作的出色性能,已在STAR实验安装并开始实验运行.     

用于扩展X射线吸收精细结构谱仪的多丝正比室的研制

本文介绍了一个用于扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)谱仪的多丝正比室的研制。重点讨论了补偿电压与并丝技术的运用对丝室性能的影响。前、后多丝室最高计数率分别可达3×10~6计数/秒和6×10~6计数/秒。测量结果表明,室的性能适用于EXAFS测量。     

利用GEANT4模拟研究RIBLL中的飞行时间探测器

基于GEANT4对兰州放射性束流线(RIBLL)中的飞行时间探测器进行了系统的模拟研究,得到了入射粒子在不同入射位置情况下光子总的收集效率、光子到达光阴极3种情况的收集效率和时间分辨,给出了影响探测器时间分辨的主要因素和改进方案.     

PIPS-低本底α、β测量影响因素的研究

PIPS(passivated ion-implanted planar silicon)探测器作为低本底α、β活度分析的发展方向,其影响因素有很多。为了探究PIPS探测器影响因素对低本底α、β测量仪性能的影响,采用PIPS-低本底α、β测量仪、²³⁹Pu平面源和⁹⁰Sr平面源等试验器材,用改变探测器工作偏压、探测距离及真空度的试验方法,进行α、β和本底测量,分析测量结果,再根据本底计数率、探测效率和串道比的极差与仪器分级差值的比值研究了偏压、源距和真空度对测量的影响。结果表明:源距较偏压和真空度对PIPS-低本底α、β测量仪的影响更大,尤其体现在探测效率上,增大源距使α探测效率的极差与仪器分级差值的比值达到2.593,β探测效率的极差与仪器分级差值的比值为0.479。偏压和真空度对测量性能的影响都很小。     

闪烁室本底的来源及降低方法

闪烁室是一种常用于测量氡的探测器．介绍了闪烁室的探测原理以及闪烁室本底的各种来源、特点和相应的降低方法。     

改善PIC丝室边缘电场分布的研究

1 引言在LEP3实验中,倾斜式多丝正比室PIC(proportional inclined chamber)是用来监测束流亮度和双光子物理事例测量的。该室可以确定粒子位置,与BGO量能器配合,测量巴巴散射事例和双光子事例。实验上要求PIC室能在尽可能大的小角度范围内测量出射粒子     

基于微波S参数测试的PIN光探测器小信号等效电路模型的参数提取

介绍了PIN光探测器的测试系统,具体说明了测试系统中各个组成部分的功能.利用该系统对PIN光探测器的S参数进行了测试,并结合分析法和优化法,在ADS软件中对PIN光探测器的小信号模型进行模型参数的提取,给出了具体的计算公式及不同偏置电压下模型的参数提取值.结果表明:在1~40 GHz的频率范围内,S参数的模拟结果与测量结果吻合良好,证明了该参数提取方法的有效性.