多层陶瓷电容器端电附着力研究

结合生产实际，从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手，对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究，制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极，并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平。     

环(L-苯丙-L-脯)的合成

从Ｌ苯丙氨酸和Ｌ脯氨酸出发,分别保护两种氨基酸的Ｎ 端和Ｃ端,将Ｎ 端保护的Ｌ苯丙氨酸与Ｃ端保护的Ｌ脯氨酸经ＤＣＣ缩合,得直链二肽,再经Ｐｄ／Ｃ催化氢化,甲醇中回流,得环（Ｌ苯丙Ｌ脯）,结构经ＨＲＥＩＭＳ、ＤＥＰＴ ＮＭＲ等波谱证实     

环（L—苯丙—L—脯）的合成

从Ｌ－苯丙氨酸和Ｌ－脯氨酸出发，分别保护两种氨基酸的Ｎ端和Ｃ端，将Ｎ端保护的Ｌ－苯丙氨酸与Ｃ保护的Ｌ－脯氨酸 经ＤＣＣ缩合，得直链二肽，再经Ｐｄ／Ｃ催化氢化，甲醉中回流，得环（Ｌ－本丙－Ｌ－脯），结构经ＨＲＥＩＭＳ、ＤＥＰＴ ＮＭＲ等汉谱证实。     

MLNi4Cr和MLNi4Si贮氢电极的性能

利用交流阻抗、循环伏安及扫描电镜（ＳＥＭ）观察等方法，测定了ＭＬＮｉ４Ｃｒ和ＭＬＮｉ４Ｓｉ（ＭＬ：富镧混合稀土金属）贮氢电极的性能，并对两电极性能差别的原因进行了分析和讨论。结果表明，ＭＬＮｉ４Ｃｒ电极比ＭＬＮｉ４Ｓｉ电极易活化、放电容量大、过电位小以及快速放电能力强；而ＭＬＮｉ４Ｓｉ电极具有较好的循环充放电特性。     

蛋氨酸在长链硫醇修饰电极上的电化学行为研究

研究了蛋氨酸在ＨＳ（ＣＨ）１１ＮＨ２,ＨＳ（ＣＨ２）１１ＣＯＯＨ,ＨＳ（ＣＨ２）１１ＯＨ,ＨＳ（ＣＨ２）１１ＣＨ３４活跃步同末端官能团长链硫醇修饰电极上的电化学行为。结果表明ＤＬ－Ｍｅｔ不仅可以渗透自组单分子层膜,而且ＤＬ－Ｍｅｔ在不同末端官能团的ＳＡＭｓ上的渗秀速率不同。     

羧甲基纤维素取代基沿分子链分布的均一性（Ⅱ）─—异丙醇－水组成比的影响

用电位滴定法实验测定异丙醇－水体系内醇与水不同比例下生成的羧甲基纤维素（ＣＭＣ）完全酶解及酸解后的还原端基数和其酸解速率，研究溶剂组成对ＣＭＣ取代基均一性的影响．发现在异丙醇含量为７５％～９５％范围内，随异丙醇用量增大，生成的ＣＭＣ取代度升高，取代基分布均一性变好，表现为取代链段长度Ｌｓｎ变长．而未取代ＬＧｍ变短，且Ｌｓｎ／（Ｌｓｎ＋ＬＧｍ）也增大，在Ｓｎ中夹杂的未取代葡萄糖单元（ＡＧＵ）数目也降低，ＣＭＣ表现出很好的耐酸性．     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

交流阻抗法对几种铜缓蚀剂比较研究

采用交流阻抗法研究了在ＮａＣｌ溶液中缓蚀剂ＢＴＡ、ＴＴＡ、５ＭＢＴＡ ＣＢＴＭＥ对铜电极的缓蚀行为并进行了比较。４种缓蚀剂的缓蚀性均随浓度的增加而增加，当浓度达到７０ｍｇ／Ｌ时缓蚀性最佳。缓蚀剂浓度低于２０ｍｇ／Ｌ时ＢＴＡ、ＴＴＡ、５ＭＢＴＡ有效好的缓蚀性，超过４０ｍｇ／Ｌ时ＣＢＴＭＥ的缓蚀性明显优于其他３种。复合配方试验结果表明，当缓蚀剂总浓度为４０ｍｇ／Ｌ，ＢＴＡ与５ＭＢＴＡ复配的最佳比例为２     

L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

稀土掺杂普鲁士蓝化学修饰电极上过氧化氢的伏安性质研究

研究了过氧化氢在稀土掺杂的类普鲁士蓝化学修饰电极（ＲｅＭＰＢＣＭＥｓ）上的电化学行为．结果表明,该修饰电极对过氧化氢的还原有稳定的催化作用．过氧化氢在修饰电极上有较低的过电位,其还原峰电位为－０９Ｖ,在１５×１０－４～２０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内峰电流与浓度呈线性关系,电极稳定可靠．     

金刚石薄膜电极在离子水洗衣机中的应用研究

离子水洗衣机的电解装置一般采用金属氧化物涂层阳极(DSA——Dimensionally Stable Anode),本论文研究采用硼掺杂金刚石薄膜(BDD)电极做离子水洗衣机的电解阳极,通过分析其特性曲线,表征参数,并和DSA电解电极对比性能,同时做一些洗涤实验来验证其洗涤效果,以此来展现硼掺杂金刚石薄膜电极具有更加稳定和良好的电化学特性,所以更适合于用做离子水洗衣机的电解装置.此外,离子水洗衣机主要是把水电解成碱性离子水来洗涤衣物,BDD电极可以做到不用离子隔膜分离出碱性离子水就可以达到洗净衣物的效果.     

AWGN信道下基于Kite码的多级编码技术

多级编码（multilevel coding,MLC）技术将编码和调制相结合,在不占用额外带宽且不降低实际数据传输速率的情况下,可有效提高数据传输的可靠性。根据MLC技术分级编码的特性及信道编码定理分析,将无码率码与MLC技术结合,理论上会得到较好的误比特率及吞吐量性能。Kite码作为一种新型的无码率码,兼有喷泉码与低密度奇偶校验码的优势。以MLC技术中各等价信道的容量计算为理论基础,设计了以Kite码为分量码,结合BP（block partitioning）集分割方式与高阶调制的MLC新方法。仿真结果表明,以Kite码作分量码的MLC译码性能明显优于以传统喷泉码作分量码的MLC译码性能。      

附加电极半径对空心圆管端点附近离子注入剂量的影响

在带有共轴零电位附加电极的空心圆管等离子体源离子注入过程中,附加电极半径的大小直接影响到空心圆管端点内表面、端点表面和外表面的离子注入剂量,进而影响空心圆管表面的结构和性质,对空心圆管的不同部位这种影响是不同的.利用无碰撞两维流体动力学模型,研究了有限上升时间的电压脉冲作用下,共轴放置附加零电位的半无限空心圆管端点附近等离子体源离子注入过程中,附加电极半径变化时,空心圆管端点附近离子注入剂量分布随时间的演化规律.计算机模拟结果显示了附加电极半径改变时,空心圆管内部、外部及端点表面处的离子注入剂量分布发生变化.     

电化学方法合成乙二醇的研究（Ⅰ）

本文报导以甲醛为原料,氯化钠为支持电解质,在水溶液中,以石墨为阴极,选择合适的条件,通过甲醛电化学合成乙二醇的实验结果。     

Dual-FTL:一种基于MLC/SLC双模闪存芯片的闪存转换层

为了解决多级单元(MLC)闪存相对于单级单元(SLC)闪存写入性能低和擦除寿命短的问题,提出了一种基于MLC/SLC双模闪存存储芯片的闪存转换层Dual-FTL.利用MLC/SLC双模闪存芯片的双烧写模式,Dual-FTL将闪存空间分为容纳热数据的小容量SLC区域和容纳冷数据的大容量MLC区域.同时,Dual-FTL提出了识别数据冷热度的方法,并可以根据负载变化动态调整策略参数.实验结果表明,Dual-FTL可以让MLC/SLC双模闪存在一半的比特成本下提供和SLC闪存相似的性能和使用寿命.     

内外环电容传感器空间灵敏度特性

为了设计应用于两相流相关流速测量的电容传感器,研制了一种新型的内外环电容传感器,利用有限元仿真的方法对内外环电容传感器的轴向灵敏度、空间滤波特性以及时间频率响应3个空间灵敏度特性指标做了定量分析．结果显示,内外环电容传感器的轴向灵敏度曲线近似于高斯分布,而电极宽度的变化会引起轴向灵敏度峰值的改变,当电极宽度为20mm时,轴向灵敏度峰值最大;内外环电容传感器相当于一个低通滤波器,电极宽度增加,空间频带变窄,同时时间频带也变窄．     

集电极电阻的供电方式对稳压电源的影响

在串联型晶体管稳压电路中 ,集电极电阻有内部电源和外部电源两种供电方式。文中定量分析了在电网电压和负载电流发生波动时 ,不同供电方式对输出电压的影响     

抗脱落铁基二氧化铅电极的研究

采用3步阳极氧化法在铁片表面依次生成铁氧化膜、β-PbO₂和α-PbO₂，制得结合牢固、抗脱落性能优良、具有 Fe/Fe_xO_y/β-PbO₂/α-PbO₂结构的铁基二氧化铅电极。采用XPS、XRD、交流阻抗和扫描电镜对铁氧化膜组成、β-PbO₂和α-PbO₂的晶型及电化学活性、电极切面结构进行了分析表征。借鉴漆膜性能标准测试方法，对铁基二氧化铅镀层的抗机械脱落性能进行了综合测试评价。研究发现，预先将铁基体放在4 mol/L KOH水溶液中，在温度80℃、阳极电流密度60mA/cm²条件下，使铁片表面预氧化生成一层棕红色的Fe₃O₄薄膜，然后再依次阳极氧化电镀β-PbO₂和α-PbO₂，能够获得抗机械脱落性好、电化学反应活性高的铁基二氧化铅电极。     

耐水性水玻璃复合涂料的研制

采用适量氟硅酸钠改性剂和有机胺促进剂对基料水玻璃进行改性,协调粘性,耐水性和凝胶时间的相互关系,以磷酸,氧化硅氧化锌,铝盐,钙盐及钡盐等为原料制备磷硅酸盐固化和固化剂促进水玻璃的聚合和二氧化硅凝胶的缩合,拼用苯丙乳液作为辅助成膜物质。然后利用正交法优选配方,制得耐水性良好,附着力强的水玻璃复合涂料,它具有成本低廉,不污染环境和耐老化等特点,可应用于防火涂料和外墙涂料上。     

内外环电容传感器灵敏度仿真

为设计应用于两相流相关流速测量的电容传感器,得到传感器的几何参数对其灵敏度特性的影响,利用数值方法对内外环电容传感器的灵敏度特性进行分析．利用有限元分析软件建立传感器电场的仿真模型并进行了基本仿真,采用正交实验设计方法安排仿真实验．分析结果表明,屏蔽罩长度和内管壁厚度是影响传感器相对灵敏度的主要因素,而屏蔽罩与外极板间距对检测场均匀性误差影响比较大．优选出一组传感器的结构参数,内管壁厚度3mm,外管壁厚度2mm,屏蔽罩与外极板间距3mm,对管壁相对介电常数的要求则是越接近于1越好．利用优选的结构参数进行仿真,可以得到比较好的传感器灵敏度特性,为内外环电容传感器的设计提供了理论依据．