P型碲化镉中1.41eV发光峰的研究

本文采用生长中控制不同的Cd和Te的比例的样品,在不同条件下热退火后,测量其光致发光谱。实验发现CdTe晶体中出现的1.41eV发光峰强度随样品中Te量的增加而增强。比较不同热退火条件处理后的样品的光致发光谱得到600℃真空热退火1小时后1.41eV发光峰的强度比有Cd气氛存在的同样温度热退火后要强得多。同一种样品1.41eV峰强度随退火温度增加而增强。实验结果表明1.41eV发光峰对应的发光中心可能是V_(cd)或T_(ei)的复合物。     

B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

B~+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

高压绝缘α—Al2O3涂层的XPS和EELS表面分析

用不同配方的Mn,Cr,Ti混合物涂复α-Al2O3绝缘瓷表面，在适当的条件下热处理，利用XPS和EELS测试分析了表面层的电子能态，发现在退火后各涂层成分的含量变化明显，由于配方元素不同程度地扩散、渗透进95Al2O3陶瓷基底内，通过反应生成了新相；根据价带谱和EELS分析，其表面层的价带项移向真空能级，使能隙减小；能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，有利于内次级电子的非弹性跃迁和二次电子发射系数的减小。     

高温制备非晶五氧化二钒薄膜的光学减反特性

采用超高真空磁控溅射在Al_2O_3/Si基底上制备非晶五氧化二钒(V_2O_5)薄膜,并研究了高温退火对其晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.扫描电子显微镜观察表明样品表面平滑致密具有连续性.在可见光波范围内,制备态薄膜在波长497 nm处出现反射率的最小值(约18%).经15 min高温退火处理后,样品X射线衍射光谱中除基底衍射峰外无其他衍射峰出现,表明样品依旧为非晶态.高温退火后的样品反射率最小值可进一步降低至约6%.上述结果对于以V_2O_5薄膜为基础的高温光学器件制备和应用有一定借鉴价值.     

溶胶-凝胶法ZnO薄膜的制备及性能表征

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜, X射线衍射(XRD)结果表明: 晶粒尺寸随退火温度的升高而增大, 与原子力显微镜(AFM)分析薄膜表面形貌的结果相符; UV\|Vis吸收谱线表明, 在ZnO带边吸收的位置出现较强的吸收, 并得到600 ℃退火处理的薄膜禁带宽度为3.23 eV; 室温光致发光谱表明, 所有薄膜均在386.5 nm处出现一个紫外发射峰, 当退火温度升高时, 深能级发射受到抑制.     

硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性

采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.     

氧离子注入砷化镓的理论问题——载流子补偿机理探讨(EHMO法)

一、引言氧离子注入n型或p型GaAs半导体材料中能形成具有热稳定性的半绝缘层。在前一篇报告中,已报导了关于它的物理特性的研究并对载流子补偿的机制作了初步讨论。我们认为,氧离子注入GaAs能引入双深能级:既能引入深施主能级,又同时引入深受主能级。深施主能级估计是由氧置砷(O_(As))引起的,深受主能级则可能是在砷位上的氧O_(As)与As的空位(V_(As))所组成的络合物(O_(As)—V_(As))所引起的。为了进一步探讨我们的推测是否合理,本文用原子簇模拟晶体,用推广的休克尔法(EHMO)计算了GaAs、O_(As)(氧置     

溅射法制备的ZnO薄膜的光发射

报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜，在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰；且随着氧分压的增加，绿光发射峰的强度减弱．经真空中退火该发射峰增强；而在氧气中退火该发射峰强度减弱．该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明：514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关，认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁．     

Oxide／GaAs的费米能级钉扎效应

用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21～320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费米能级钉扎位置应与晶面取向无直接联系。