微电子器件工业生产中的静电防护研究

从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。     

关于静电危害与静电防护的探讨

本文论述了形成静电危害的基本条件、放电类型、静电测试技术、静电放电理论模型与静电防护理论与技术,并提出了防护静电的措施。     

基于可编程多轴控制器的红外传感器片上测试系统设计

探针测试台是一种传统半导体工艺中间测试设备,用于在硅片划片前测试电子器件性能、良率,并给出其在晶圆上分布的映射图表。目前国内外自动或半自动探针测试台都是针对传统IC电路设计,采用封闭式结构,无法根据传感器多变的特性、复杂的测试环境需求完成对器件的片上测试。采用美国Delta Tau公司推出的PMAC可编程多轴运动控制器作为核心控制系统,构建了一套针对红外热电堆器件特殊测试需求的批量化片上测试系统。该测试系统具有响应速度快、控制精度高、可扩展性强的特性,不仅可满足红外热电堆器件的片上批量化测试需求,还可通过定制性的模块删减以满足不同传感器的片上测试。     

浅谈静电危害与静电防护

综述了形成静电危害的基本条件、放电类型、静电测试技术、静电放电理论模型,提出了防护静电的具体措施。     

微电子器件静电防护探讨

随着我国IT产业的迅速发展和技术水平不断提高,高分子材料、微电子器件广泛应用于各领域及其产品,静电放电损伤给企业造成了重大的危害,因此,静电防护受到企业的普遍重视。研究了微电子器件静电防护的相关内容,提出了静电防护措施,以期为相关工作者提供借鉴。     

基于PMAC控制器的红外传感器片上测试系统设计

探针测试台是一种传统半导体工艺中间测试设备,用于在硅片划片前测试电子器件性能、良率,并给出其在晶圆上分布的映射图表.目前国内外自动或半自动探针测试台都是针对传统IC电路设计,采用封闭式结构,无法根据传感器多变的特性、复杂的测试环境需求完成对器件的片上测试.采用美国Delta Tau公司推出的PMAC可编程多轴运动控制器作为核心控制系统,构建了一套针对红外热电堆器件特殊测试需求的批量化片上测试系统.该测试系统具有响应速度快、控制精度高、可扩展性强的特性,不仅可满足红外热电堆器件的片上批量化测试需求,还可通过定制性的模块删减以满足不同传感器的片上测试.     

ESD防护器件测试系统性能研究

静电放电(ESD)的测试方法主要为人体模型(HBM)、人体-金属模型(BMM)和机器模型(MM)等,近年来传输线脉冲(TLP)测试方法得到广泛使用。基于TLP测试理论建立了ESD防护器件测试系统,并对测试系统的性能进行了测试研究。测试发现不同脉宽的测试方波对器件的峰值电流、峰值电流时间和箝位时间影响不大,但脉冲结束电流和箝位电压随着脉宽增大而减小,同时较长的传输线会产生较宽的延迟脉宽,对测试结果并未产生影响。     

静电放电电磁脉冲理论建模与作用机理研究进展

通过静电放电效应实验和理论分析,研究了IEC6100042标准规定的实验方法与实验平台的局限性,提出了改进的ESD电磁场理论模型,探讨了静电放电电磁脉冲对微电子器件作用机理,提出了相应防护对策。     

电子产品SMT生产过程中的ESD

在电子产品SMT生产过程中,静电放电往往会损伤器件,甚至使器件失效,造成严重损失,因此SMT生产中的静电防护非常重要。本文介绍并分析了电子产品制造中的静电产生源及静电防护原理,较详细地介绍了SMT生产中的一些静电防护技术基础与相应措施。     

静电放电模型及其失效特征分析

该文通过从理论入手,分析了3种静电放电模型,即:人体模型、机器模型及带电器件模型,找出3种静电放电模型所导致的器件失效特征,进而更加有效地帮助企业找出静电放电的根源,从而加强改进静电防护措施,减少因静电放电引起的不必要损失,提高产品可靠性。     

移动终端的静电损伤及其防护技术研究

为了有效地改善移动终端的防静电性能,分析了静电放电产生的传导干扰和辐射干扰对移动终端的损伤.采用静电发生器及相关辅助设备对20部手机进行了静电放电实验,实验结果证明了辐射干扰和传导干扰是静电对移动终端的主要损伤途径.针对移动终端的静电损伤方式提出了移动终端的静电防护措施:改进壳体结构、增加静电屏蔽层、设计接地通道、设计保护电路,再次进行静电放电实验,实验结果表明,所采用的静电防护措施对移动终端的防静电特性有很大的改善.     

移动终端的静电损伤及其防护技术

为了有效地改善移动终端的防静电性能,分析了静电放电产生的传导干扰和辐射干扰对移动终端的损伤。采用静电发生器及相关辅助设备对20部手机进行了静电放电实验,实验结果证明了辐射干扰和传导干扰是静电对移动终端的主要损伤途径。针对移动终端的静电损伤方式提出了移动终端的静电防护措施:改进壳体结构、增加静电屏蔽层、设计接地通道、设计保护电路,再次进行静电放电实验,实验结果表明,所采用的静电防护措施对移动终端的防静电特性有很大的改善。     

静电放电发生器的结构原理及研究现状

静电放电发生器是模拟静电放电过程、进行静电放电抗扰度试验的平台。本文在IEC61000-4-2标准的基础上,介绍了静电放电发生器的基本结构原理和测试模型。并概述了目前国内外市场上两种基本类型的静电放电发生器产品的原理及特点,提出存在的问题,为静电放电发生器今后的改进提供了依据。     

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

集成电路静电放电电压与注入能量的相关性研究

为了研究静电放电注入时损伤电压与损伤能量之间的关系,本文进行静电放电电压与注入的平均峰值能量之间的对应关系研究.实验采用静电放电模拟器在人体模型下对几种集成电路器件进行注入放电,通过Agilent inifniium示波器记录并计算得到静电放电注入时相应的能量波形,取五次能量峰值的平均值记为该电压下注入的峰值能量,采用曲线拟合的方法,得到注入的静电电压与平均峰值能量之间的关系表达式.     

CMOS零中频接收机片上系统直流偏差的消除

针对CMOS直接下变频接收机片上系统,提出了采用系统优化设计与数字校正的综合方法来解决系统中的直流偏差问题.通过降低混频器开关级晶体管的偏置电流和片上系统技术的优化设计,将由器件不匹配和本振自混频造成的直流偏差控制在数字校正可以解决的范围内,在低功耗的前提下,通过数字校正的方法就可以进一步将直流偏差控制在系统允许的范围内.测试结果表明该方法有效.     

绝缘垫在火箭弹静电防护中的作用

针对电发火弹药静电放电中的绝缘垫作用问题,以63式130 mm火箭弹为例,采用相对静电感度测试系统测试两种电火工品不同条件下50%的临界发火电压.使用升降法统计不同条件下50%临界发火电压估计值,通过比较相同条件下有无绝缘垫时的电压,发现二者的差值在标准误差范围内.这表明可以将弹体所接受的能量视作全部作用于火工品上,绝缘垫起不到防静电作用,必须采用其它的静电防护措施杜绝电发火弹药的意外发火.     

静电放电保护器件性能测试技术研究

为准确测试静电放电(ESD)保护器件的性能、解决ESD产生的辐射场及其高频反射对测试结果的影响,本文研制了基于微带设计和电磁场屏蔽理论的专用测试夹具,评价了该夹具的传输特性,建立了由高频脉冲模拟器、专用测试夹具和示波器等组成的测试系统.利用该系统测试了某型号ESD保护器件的限幅响应时间、箝位电压和峰值电流等性能参数.测试结果表明,该测试系统能够满足ESD保护器件性能测试要求,可广泛应用于ESD保护器件设计和优化研究.     

六维位移测试传感器的研究

研究刚体多维位移测试传感器的结构和工作原理。方法采用３个半导体激光器和３个二维光电器器件构成传感器。激光器固定在被测体上,由光电器件确定３个光点在投影屏幕上的位置,经过数学运算,得到 刚体的多维位移。     

电子产品静电放电的测试技术

随着科学技术的发展与进步,越来越多的通信和电子设备应用到我们的生产、生活、工作和科研中来。电子产品静电放电的测试莩术也得到了越来越快的发展,本文主要研究了电子产品静电放电的测试技术,探讨了静电放电形成的机理及其对电子产品的危害,相关测试要求及其测试技术。