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20世纪70年代,英特尔公司(Intel)的戈登-摩尔(Gordan Moore)预言:芯片上晶体管的数量将每隔18个月至两年就会翻一番。这即是电脑行业在幕后称之为的“摩尔定律”,这一定律至今依然在发挥着作用。但是,如果“摩尔定律”一直有效,那么小小芯片上的晶体管数量将继续呈指数级的增长。,可以想像不久的将来芯片将承受怎样的负担,这就需要将整个系统集成在一个小小芯片上的SoC(System on Chip)技术。这个激动人心的技术将曾经占据整个房间的庞大的计算机变得如今只有小拇指的指甲那么大小。正如很多专家所言,自从以半导体和集成电路为基础的计算技术出现以来,片上系统(SoC)技术已经成为最重要的一项技术。 相似文献
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一、重视发挥市场竞争的作用。 在信息产业范围内,由于其高投入高产出的特性,吸引了众多的投资者加入信息产业的行列,使得这个行业的竞争变得异常激烈,一些企业如众所周知的王安公司不适应市场竞争的需要而在市场中落败。1965年,美国国际商用机器公司(IBM)只有2500个竞争对手,而到1992年,其竞争对手增加到5万个。在市场容量不断扩大的同时,IBM的市场占有份额也在相对下降。 二、注重技术进步和产品的开发。 以Intel公司创始人戈登·摩尔的名字命名的摩尔法则指出,微芯片的处理能力平均每18个月扩大1倍。该公司1978年推出的8086芯片包含了2.9万个晶体管,4年后推出的 相似文献
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随着生物计算机科学的诞生,以生物过程为基础,以蛋白质为材料,制造出超微、超速、低能耗的计算机已成为可能。这种蛋白质计算机不但可以植入人体,而且可以代替细胞的功能,甚至像活的细胞一样具有繁衍再生的能力。 计算机沿着微型、高速、低能耗的方向,经过好几代的发展,从使用电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路到超大规模集成电路;从使用硅材料、砷化镓材料到超导材料,集成度已快接近固体材料的物理极限;1平方毫米芯片上最高集成45万个元件。还能否突破这个“物理极限”?生理学研究表明: 相似文献
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《中国科学:物理学 力学 天文学》2016,(10)
硅基互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)场效应晶体管工艺已经发展到了14 nm技术节点,预计将很快到达其极限,需要寻找新的信息器件来延续摩尔定律.由于具备超小尺寸、高迁移率等显著优点,碳纳米管被认为是后摩尔时代最有潜力替代硅作为晶体管沟道的纳米材料之一.经过近20年的研究,基于碳纳米管场效应晶体管的技术已经取得了巨大的进步.本文将回顾碳纳米管场效应晶体管领域的关键性技术,包括N型欧姆接触实现、"无掺杂"CMOS技术、自对准顶栅结构以及尺寸缩减技术等.而且我们将分析碳纳米管晶体管在大规模材料制备以及碳管和电极接触方面存在的问题,并提出可能的解决方案.在此基础上,通过分析实验数据和模拟结果,对碳纳米管电子学的未来发展做出预测和展望,结果表明碳纳米管晶体管的潜力巨大,通过对材料和器件结构进行合理优化,碳纳米管晶体管在性能上可能远远超过硅基半导体对应技术节点的晶体管,成为后摩尔时代极其具有竞争力的信息器件. 相似文献
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刘先曙 《科技导报(北京)》2003,(6):64-64
据英《新科学家》2002年11月16日报道 :美国硅谷大规模集成逻辑电路公司最近申请了一项用声波修理有故障的显微芯片的专利(专利号为6372520)。芯片在制造过程中 ,通常要把高速的离子发射到纯硅上 ,用这种方法制造出来的半导体芯片往往会在硅表面留下小坑和裂纹 ,使硅片质量存在缺陷。虽然用高温退火可以修理这些缺陷 ,但又可能破坏芯片的电路。为了避免这种两难的境地 ,大规模集成逻辑电路公司发明了用高压声波照射有故障的芯片的技术。它的原理是通过高压声波使表面分子产生运动 ,让有些分子运动到小坑和裂纹中去 ,以填补和修理损坏的硅片… 相似文献
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刘先曙 《科技导报(北京)》1999,(12)
据英《新科学家》1999年6月26日报道:美国密执安大学州立大学和多伦多大学的研究人员设计出一种纳米“自来水笔”。1纳米只有1米的10亿分之一,你想这种“自来水笔”写出的“字”会有多么小。研究人员说,他们用一种称为“原子打气筒”的东西可以把一个个原子喷射(书写)到表面上。这样,小型打印器不久可能变得更加小巧玲珑得多。如果设计和制造成功,这种能书写原子的“笔”就可以在显微芯片制造中用来取代细线平板印刷术,使书写的精细度在现在的微米级极限下进一步发展,即可使晶体管、接触点及连接线一类的器件更小,并用… 相似文献
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《清华大学学报(自然科学版)》2006,(4)
该项目分别受到信息产业部“移动专项”和科技部“八六三”计划支持。该芯片是SoC级的TD-SCDMA和GSM/GPRS双模多频的核心芯片,能够提供384 KB的数据服务,TD-SCDMA/GSM/GPRS基带芯片SC8800的280pin产品大小只有13mm×13mm。该系统芯片集成(SoC)技术在世界上有4个重大技术突破:第一,是世界上首次手机核心芯片的硬、软件的整体开发,以达到硬、软件功能综合最佳规划及合理功能划分;第二,突破了芯片整体结构优化设计;第三,突破了芯片内各功能块之间的有效通信方式;第四,单芯片集成超过4 000万晶体管,也是世界最高集成度的手机核心… 相似文献
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为了提高电子产品的集成化生产能力,在20世纪60年代发展起来的一种半导体器件——集成电路,它是采用集成工艺把晶体管;场效应管;二级管;电阻;电容等元器件以及它们之间的连线集成在,一个芯片上,由于半导体基片上不可以制造大阻值电容,所以集成电路一般采用直接耦合的结构,这样就出现一个新问题即零点漂移,本篇分析了产生零点漂移主要原因,提出解决方法。 相似文献
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跨世纪的通信信息技术发展和我国的对策 总被引:1,自引:1,他引:0
钱宗珏 《科技导报(北京)》2000,(1):46-49
一、前言自20世纪80年代以来,以微电子、光电子为基础的光导纤维、数字通信和计算机技术等蓬勃发展,高新技术不断涌现、层出不穷。微电子技术仍在沿着著名的摩尔曲线向前发展,芯片上的晶体管数每18个月增加1倍,估计直到21世纪的前10年这样的速度仍不会改变。这将为以计算机和通信信息系统设备等为主导的信息工业的发展提供充足的技术源泉。可以预见,片上系统(SystemOnChip)将是系统设备发展的主要趋向;软件工程和先进的算法配合超大规模高密度集成电路的出现,将使各种网络元件和系统设备增添巨大潜力;在数… 相似文献
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在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
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田恬 《科技导报(北京)》2014,32(7):11-11
1965 年4 月19 日,英特尔公司创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)在Electronics Magazine 发表“让集成电路填满更多的组件”一文,预言半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年增加一倍。这被后人称为摩尔定律。 相似文献
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