贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

外腔半导体激光器

本文利用传输线描述法,推导了复合外腔半导体激光器的振荡条件,详细分析了外腔半导体激光器的阈值特性、光谱特性、选模特性及线宽加强因子对光谱的影响,实验结果与理论分析一致。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

掺杂半导体的电离率

本文从电子占据能级的几率出发,经过严格数学推导,得到了杂质半导体的电离率、电离能、浓度及温度各量关系的一般表达式,并与某些极端条件下的近似结果进行了比较。分析表明,本文得到的表达式具有普遍意义,该关系式对于分析上述各量关系,特别是在非极端条件下,具有实际意义。     

非均匀能带结构简并半导体的电流方程

从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度项，给出了一种新的便于半导体器件数值分析的包含影响材料能带结构各主要因素的电流广义漂移扩散模型及相关系列公式。应用该模型对Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的热电子效应进行了数值模拟和讨论。     

贝尔实验室半导体材料的研究

着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程，这包括锗和硅的制备，Ⅲ－Ｖ族半导体化合物，区域纯化法和区域致匀性，以及外延，掺杂和掩蔽工艺等。     

混晶GaAs1—xPx：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ的光致发光进行了研究，在发光谱中分别明显地出现ＮＮｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎｘ束缚激子从孤立Ｎｘ中心到ＮＮｉ中心的热激活转移，分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转     

两种激光器温度控制方法的比较

温度对半导体激光器的特性有很大的影响,在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度控制,因此,对半导体激光器的温度控制技术的研究有重要的意义。采用半导体制冷器实现对激光器温度控制是一种常用的方法,本文对该方法的两种改进型温控系统进行了比较,得出了相关结论。     

半导体制冷技术及其在电冰箱中的应用

阐述了半导体制冷的技术特点及其在电冰箱中的应用。半导体制冷具有许多优越性,随着半导体制冷技术的进步,其应用有着广阔的前景。     

半导体制冷技术及其发展

半导体制冷主要是帕尔帖效应（Peltier effect）在制冷方面的应用。文章介绍了半导体制冷的原理、优点和不足。半导体制冷器由热电堆和导线组成,无任何机械运动部件,噪音低,无磨损,寿命长 具有高度的可靠性和良好的可维修性 不用制冷剂,对环境没有污染,绿色环保 不足是用于制冷时效率较低,损耗大。半导体制冷在工业、医疗卫生、军事等很多方面得到了广泛的应用。此外在电子设备的方面,半导体制冷也有着广泛的应用。     

相变型光存储薄膜的脉冲激光制备

系统地探索脉冲激光闪蒸法制备相变型光存储薄膜的工艺,发现激光脉冲能量的大小和淀积衬底的温度都是影响薄膜质量的重要因素.当激光能量高时,膜粗糙、成份与靶材保持一致;而当激光能量较低时,膜均匀、光滑,而成份与靶材有偏离.当衬底温度在约25℃时,形成非晶膜;而当衬底温度较高时,可形成多晶膜;衬底温度过高,则不能形成连续膜.     

两种激光器温度控制方法的比较

温度对半导体激光器的特性有很大的影响,在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度控制,因此,对半导体激光器的温度控制技术的研究有重要的意义。采用半导体制冷器实现对激光器温度控制是一种常用的方法,本文对该方法的两种改进型温控系统进行了比较,得出了相关结论。