横向电光效应中相位延迟的补偿方法

分析了光波以不同方向入射于磷酸二氢钾(KDP)晶体时产生的两种电光效应,对γ63纵向和横向电光效应进行比较.针对KDP晶体横向调制时会受到自然折射率的影响,提出了两种相位延迟的补偿方法.     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

一种新型光纤电流传感器的实验研究

利用在感应线圈内加入带气隙的铁磁材料,将大电流线性地转换成感应电压。利用铌酸锂晶体(LN)在电场作用下的线性电光效应,测出感应电压的大小.实验研究表明:调整铁磁材料气隙的间隔和LN晶体的半波电压,可满足不同测量范围的要求,并具有较好的线性.     

基于电光晶体缺陷层的一维光子晶体调谐滤波器

提出了一种新型的可调谐偏振光滤波器,通过在对称结构的一维光子晶体中引入电光晶体缺陷层,利用电光晶体的横向泡克尔斯效应实现对线偏振光的窄带调谐滤波,用传输矩阵法分析了这种滤波器的调谐特性,结果表明这种可调谐偏振滤波器具有结构简单、调谐方便、透射率高且透射峰半高宽度窄等突出优点.     

双面电极下铌酸锂晶体中的电场分布及其应用——电控λ/2波片

晶体内部的电场分布是影响其电光特性的主要因素.采用有限元法分析了双面电极下铌酸锂晶体中的电场分布情况,讨论了晶体内部电场均匀分布区域与电极尺寸、晶体尺寸之间的关系.在此基础上,分析了光波在均匀电场中沿光轴传输时,铌酸锂晶体的双横向电光效应,得到了光波偏振方向与电场之间的关系,从而设计了一种适用于任意波长的电控λ/2波片.     

锥光干涉图、光强透过率曲线对电光调制实验的影响

基于电光效应的基本原理，讨论了铌酸锂（LiNbO3）晶体横向电光调制实验中利用锥光干涉图暗十字线图样确定起偏器和检偏器偏振方向分别平行于晶体x,y光轴的方法，及光强透过率曲线偏移对测量铌酸锂晶体半波电压的影响．     

3阶非线性效应对飞秒脉冲在掺镁铌酸锂晶体中时域延迟的影响分析

将3阶非线性效应引入至基于电光效应控制的超短脉冲群速度理论模拟研究:当改变输入光强、操作温度、波矢失配、极化周期以及横向直流电场时,2阶和3阶非线性效应的共同作用对超短脉冲在掺镁铌酸锂晶体中传播群速度的影响要明显大于仅考虑2阶非线性效应的作用效果.3阶非线性的引入进一步完善了基于块状晶体电光效应的偏振耦合效应,实现“慢光”方案的理论指导意义.     

一种新的电光系数的测量方法研究

确定电光晶体的电光系数通常的方法是把电光晶体加工成规则的长方体进行测量.本文主要介绍如何对不规则形状立方氮化硼(cBN)晶体的电光系数的测量方法.cBN晶体是一种人工合成晶体,宏观点群对称性属于Td群,能够产生线性电光效应.但是合成的cBN晶体体积小,大约只有0.3mm×0.3mm×0.1mm,其硬度仅次于金刚石,不易将其加工成规则的长方体.根据cBN晶体的实际情况,进行理论推导,得到了适应于不规则形状的cBN晶体的线性电光系数的测量方法,并以此为指导,进行了实验测量,得到了cBN晶体的线性电光系数γ41=1.17×10-14m/V.     

LiNbO_3及LiTaO_3晶体的光折变性能研究

光折变效应是电光晶体的一种效应，ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光折变效应对于该材料的应用具有重要意义，本文从理论和实验两方面研究ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光析变效应特性，理论分析与实验结果吻合得很好。     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了BGO和LN等几种不同晶体对测量灵敏度的影响.利用HP-8011A型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明LN晶体具有较高的灵敏度、线性度以及较好的频率响应.     

圆形缺口裂纹扩展的晶体相场模拟

【目的】研究初始缺口为圆形的样品在纵轴拉伸应力作用下起裂,并在样品裂纹扩展方向确定后,再加上横轴压力下裂纹的扩展情况。观察横轴压力对其扩展方向的影响,从而得出施加压力修复正在扩展的裂纹样品的模拟结果。【方法】使用晶体相场法(PFC)进行模拟,获得裂纹扩展的演变图。【结果】在纵轴拉应力条件下,应变在达到一定数值后圆形缺口开始发射位错和空位,位错向前运动;之后柏氏矢量相反的位错相遇并相互湮灭,没有湮灭的位错组合成位错对并产生裂纹;最后微裂纹之间、微裂纹与原始缺口之间相互合并。裂纹稳定地朝着横轴方向扩展,在此基础上施加横轴的压应力,发现左侧裂纹扩展方向发生两次改变,并往裂纹扩展方向发射位错。同时初始设置的圆形缺口也有形状变化,并往纵轴发射位错。【结论】晶体相场法能有效模拟晶体裂纹扩展的微观现象。     

光轴任意取向的单轴晶体间光的传播

在晶体光学、薄膜光学和光学偏振仪器的设计以及激光通讯元件的研制过程中 ,经常需要确定在两各向异性的单轴晶体间光的传播方向 ,特别是e光 (非常光 )的轨迹问题 .对此 ,虽然国内外已有一些文献进行过讨论 ,但所提出的解决问题的办法 ,其运算过程都十分繁琐 ,且晶体光轴的取向往往是所限定的 .本文通过研究、分析和计算 ,提供了一种较为简便的在光轴取向任意的各向异性的单轴晶体间精确求解光线轨迹的方法 ,并着重提出了在计算过程中应该注意之处 ,最后给出了计算实例 .     

RCC方式输出变压器漏磁分布及其影响

阐述了ＲＣＣ方式输出变压器的结构特征,采用感应电压法测量了漏磁分布。分析了漏磁对输出电压稳定性的影响。结果表明,带有绝缘夹片的输出变压器的漏磁主要分布在主磁通的轴线方向上,输出滤波器的电感线圈应尽量避免配置在主磁通轴线方向附近,否则,由于漏磁的影响,将引起输出纹波电压的变化。     

单晶体材料WTe2的Raman光谱

利用波长为532 nm的激光分别沿单晶体材料WTe₂的b轴和c轴进行激发获得相应的Raman光谱, 结合第一性原理计算, 对两种激发条件下单晶体材料WTe₂的Raman光谱进行研究, 并根据单晶体材料WTe₂的偏振Raman光谱及理论计算结果, 分别对测量获得单晶体材料WTe₂的Raman光谱进行归属. 实验结果表明, 沿单晶体材料WTe₂的b轴比c轴激发获得的Raman光谱变化明显.     

向列型液晶的界面效应强度

本文讨论了向列型液晶扭曲盒在外加磁场的作用下，基板的易取向轴与液晶指向矢的倾角与界面结合强度和磁场强度的关系。     

非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射-透射研究

通过对非寻常光在光轴平行于入射面的单轴晶体中传播情况的分析,研究了光轴平行于入射面时,非寻常光在单轴晶体薄膜中的反射与透射特性.根据入射光、反射光和折射光之间的相位匹配条件,利用单轴晶体的折射率面和非寻常光光线与光波法线的关系,得到单轴晶体光轴平行于入射面时其表面的边界条件.然后根据晶体内部前后表面处电场量的相位关系,联系两表面处的边界条件,计算了单轴晶体薄膜的反射率与透射率.应用得出的计算方法,计算了石英(正晶体)薄膜和铌酸锂(负晶体)薄膜的透射率和折射率随光轴角度的变化关系.结果表明,计算方法正确,不仅适合正晶体对负晶体也适用,求解方法简单实用,所给的表达式具有一般性,可以直接使用.     

偏振光学中几个问题的探讨

本文讨论了晶体的光轴与晶片快、慢轴及其相互间的关系 ,并提出一种测量 1/ 4波长片快慢轴的简单方法     

掺铑BaTiO_3晶体的二波耦合特性

对ＢａＴｉＯ３：Ｒｈ晶体中的相向和前向二波耦合特性进行了实验观测,并进行了理论分析．结果表明,掺铑ＢａＴｉＯ３晶体相向二波耦合（ＣＴＷＭ）能量转移特性与前向二波耦合（ＦＴＷＭ）能量转移特性存在较大差别．二波耦合的能量转移方向不仅依赖于光生载流子的电荷符号,而且与光折变晶体的电光系数各分量的相对大小有关．ＣＴＷＭ的能量转移方向与电光系数各分量的关系十分密切．     

当前儿童归纳推理研究的理论与范式

儿童归纳推理受儿童特定年龄阶段的认知发展水平的限制。目前对儿童归纳推理的研究主要包括年龄分期、特征分析以及发展的影响因素等。当前,不同的研究范式的目标取向和结论都存在较大分歧。心理理论的研究为儿童归纳推理提供了间接的证据,同时,心理理论的研究范式为儿童归纳推理的研究提供了很好的研究方法,而归纳推理的研究也为心理理论提供了基础假设,所以,儿童归纳推理与心理理论的研究正表现出整合的趋势。     

PPLT光参量振荡实际输出波长偏差分析

通过分析OPO实现参量的过程,分析了在样品周期和抽运波长确定时,光传播方向严格平行于晶体通光主轴时由温度调谐实际所引起的PPLT-OPO输出波长的偏差。同时也对光束传输方向与通光主轴方向成小角度的情况作了相应的分析,并对两种情况加以比较。