MOSFET高频感应加热电源的研究

以功率MOSFET为开关元件,采用多管并联的方式研制出10kW高频感应加热电源,对该电源的逆变电路、控制电路、多管并联驱动等问题做了研究和实验,实验结果表明：采用MOSFET多谱井联时,正的温度系数能够自动均流,串联谐振电流简单、启动容易、谐振频率高,适应于小功率感应加热电源系统。     

VD-MOS高频感应加热装置的研究

以功率MOSFET为开关元件 ,采用多管并联方式研制出高频感应加热电源。该电源逆变控制采用了锁相技术 ,利用锁相技术使功率MOSFET实现零电流开关 ,并使逆变器的工作频率跟踪系统因有谐振频率。使得该电源始终能运行在负载功率因数为1的状态 。     

VD-MOS高频感应加热装置的研究

以功率MOSFET为开关元件,采用多管并联方式研制出高频感应加热电源。该电源逆变控制采用了锁相技术,利用锁相技术使功率MOSFET实现零电流开关,并使逆变器的工作频率跟踪系统因有谐振频率。使得该电源始终能运行在负载功率因数为1的状态。     

高频电源功率控制器的设计与研究

文章对感应加热电源结构分析得到了串联谐振感应加热及电路的直流侧采用不控整流相对于并联谐振的优点,并对调功电路进行分析,运用先进的神经网络控制对其控制,并进行仿真。     

IR2110的功能及其在高频感应加热电源中的应用

对功率MOSFET的几种基本驱动电路与由IR2 110构成的驱动电路进行了分析比较 ,详尽地分析和研究了IR2 110的工作原理、功能及在高频感应加热电源中的应用技术。还通过实验结果说明了IR2 110在高频感应加热电源中用作电力半导体开关器件功率MOSFET的驱动器 ,既可以满足其驱动要求 ,又极大简化硬件 ,提高工作可靠性并弥补其它驱动电路的不足 ,具有良好的应用前景。     

IR2110的功能及其在高频感应加热电源中的应用

对功率MOSFET的几种基本驱动电路与由IR2110构成的驱动电路进行了分析比较,详尽地分析和研究了IR2110的工作原理、功能及在高频感应加热电源中的应用技术。还通过实验结果说明了IR2110在高频感应加热电源中用作电力半导体开关器件功率MOSFET的驱动器,既可以满足其驱动要求,又极大筒化硬件,提高工作可靠性并弥补其它驱动电路的不足,具有良好的应用前景。     

纺织器材专用VD-MOS高频感应加热装置

采用VD -MOS研制出纺织器材专用串联谐振感应加热电源 .利用锁相技术将逆变器的工作频率锁定在槽路的固有谐振频率内 ,使得该电源始终能运行在负载功率因数为 1的状态 ,运用斩波电路实现功率调节     

水暖加热系统感应加热电源Matlab仿真研究

研究和设计了水暖加热系统串联型IGBT感应加热电源。以新型功率半导体器件IGBT为主,采用PLL锁相及PWM逆变调功控制方式,构建了电压串联谐振型PWM全桥逆变电路,同时利用Matlab/Simulink的模块化优点构建了该感应加热电源的仿真模型,并给出了仿真波形和数据测试结果。     

厚炉衬中频感应炉及其应用前景

针对中频感应炉炉衬过薄问题,设计了一种全新的电路拓扑感应加热中频电源. 验证了半Q值谐振中频感应加热电源具有Q值越高输出功率越大的反常功率输出特性. 应用该电源的中频感应炉炉衬厚度达到了炉膛直径的1/4,试验了内层110mm镁砂砖砌筑、外层90mm石英砂打结的双层结构炉衬. 试验数据表明,这种具有双层厚炉衬结构的感应炉可以大大提高中间包的炉衬寿命,被广泛应用于熔炼、冶炼、感应透热等领域.     

基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源

利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.