基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源 |
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引用本文: | 王振民,吴健文,范文艳,叶春显.基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源[J].华南理工大学学报(自然科学版),2019(1). |
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作者姓名: | 王振民 吴健文 范文艳 叶春显 |
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作者单位: | 华南理工大学机械与汽车工程学院;深圳市鹏源电子有限公司 |
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摘 要: | 利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260~310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.
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