荧光性CdTe量子点自组装膜的合成及对Cu~(2+)的界面传感

以巯基乙酸为稳定剂,直接在水相中合成CdTe量子点,同时以石英片为基底,制备荧光性CdTe量子点自组装膜(SAMs),并建立一种新的传感分析方法.通过合成条件的优化,得到荧光峰形对称、半峰宽窄、强度高的CdTe量子点;巯基乙酸(TGA)稳定的CdTe量子点回流2～4 h,可得到最好的荧光性能;由光漂白实验得出,TGA稳定的CdTe量子点的稳定性很好.实验结果表明,Quartz/APES/CdTe量子点自组装膜的荧光强度随着Cu2+浓度增大而增强,且在一定浓度范围内呈良好的线性关系,其相关系数为0.999 97,检测限为1.33 nmol·L-1,可实现对痕量Cu2+的定量测定.     

水相中长波长CdTe量子点的制备及其荧光性能

分别用谷胱甘肽(GSH)和巯基乙酸(TGA)为稳定剂,在水相中制备长波长荧光发射峰CdTe QDs.并用透射电子显微镜、X线粉末衍射和荧光光谱技术对其进行表征,研究不同水相合成条件对CdTe QDs荧光性能的影响.研究结果表明:以GHS为稳定剂制备得到的CdTe QDs为立方晶系纤锌矿结构,平均粒径约为5nm,分散性良好.在2h内能获得光发射峰为530～650 nm之间的任意波长量子点,具有明显的量子尺寸效应和较强的荧光强度;以TGA为稳定剂制备的CdTe QDs,平均粒径在10nm以下,其中在水热条件下制备的CdTe QDs分散性较差,但能加快量子点的生长速率和荧光半峰宽的窄化.而在加热回流(分别为空气和氮气)条件下制备的CdTe QDs,分散性较好.相对于氮气保护氛围下的合成,通过氧气参与作用,也能加快CdT QDs的生长.     

L-半胱氨酸修饰CdTe量子点的合成及其对Cu2+的荧光猝灭检测

采用水相合成法,在氮气保护加热回流条件下,以L-半胱氨酸为稳定剂合成了水溶性的CdTe量子点,并通过X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱(PL)和紫外可见光谱(UV-Vis)对样品进行了表征。结果表明所合成的量子点为立方闪锌矿结构,形状为球形,粒径2~4nm;以罗丹明6G为参照标准,回流时间为2h合成的CdTe量子点的荧光量子产率为45.08%。当CdTe量子点浓度为3.2×10-5mol/L、反应时间为3h时,其荧光猝灭程度与Cu2+浓度在400~4000nmol/L范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.99601,方法检出限为85nmol/L。     

巯基琥珀酸包被的CdTe量子点的制备及其对毕赤酵母生长的影响

以巯基琥珀酸作为稳定剂,合成CdTe量子点.通过荧光发射光谱、紫外吸收光谱对其荧光性能进行表征,结果表明在505 nm左右出现明显的特征吸收峰,在551 nm处出现一个很强的发射峰.实验又以毕赤酵母为指示生物,考察了毕赤酵母与CdTe量子点共培养后的生长曲线,结果表明CdTe量子点须控制在一定浓度(5.1μmol/L)范围内,对毕赤酵母的生长影响不大.     

以巯基羧酸为混合稳定剂制备CdTe量子点

选用巯基乙酸、巯基丙酸,以及两者一定比例的混合物作为稳定剂,分别在水相中合成表面带负电荷的水溶性CdTe量子点,并对其性能进行比较.研究结果表明,以巯基乙酸和巯基丙酸混合物(摩尔比为1∶4)作稳定剂合成的CdTe量子点,比单独采用巯基乙酸或巯基丙酸作稳定剂制备的CdTe量子点具有粒径可控、尺寸均一,更易获得长波长的量子点,而且有相对较窄的荧光半峰宽和较高的荧光量子产率.     

氨系水溶性CdTe量子点的生长规律研究

在密闭容器的水相中以过量的NaBH4保护合成的碲源与以巯基丙酸为稳定剂的镉溶液合成CdTe量子点,无需氮气保护,简化了合成工艺。合成的样品用透射电子显微镜(TEM)对其形貌进行表征。用吸收光谱、荧光光谱、红外光谱研究其光谱特征。考察了17mmol前驱浓度下的CdTe在不同条件获得的量子点的发光特征。试验结果表明:在碱介中控制不同的反应时间可获得发射绿光到红光区间的荧光波长可调的CdTe量子点,荧光光谱半峰宽约37~60 nm、峰形对称。量子点储藏半年后外量子效率仍达16.45%,发光效率高。通过实验建立量子点的OA和OR生长模型,探讨和分析了CdTe量子点的生长规律。     

CdTe/聚乳酸荧光膜的制备与研究

采用丙交酯开环聚合制备高纯度的聚乳酸,以十二胺为相转移剂,将一锅法合成的巯基CdTe量子点转移到三氯甲烷中,采用共聚的方法,合成了CdTe/聚乳酸(CdTe/PLA)纳米掺杂杂化材料及荧光膜的制备.通过紫外-可见光谱仪(UV-vis)、荧光(PL)等表征方法考察合成的CdTe量子点的光学性能,通过扫描电镜(SEM)、XRD及拉伸试验机系统研究了改性后的荧光膜的力学性能和纳米材料在聚乳酸膜中的分散情况.结果表明:CdTe量子点在聚乳酸中分散程度很好,并且保留了PLA膜的力学性能,所制备的复合膜具有优越的荧光性能.     

水相中合成CdTe半导体量子点

用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移,即粒径在不断长大;选用不同的修饰剂,反应相同的时间,可以得到不同粒径的量子点;合成CdTe量子点的发射谱的平均半峰宽约为50 nm,单分散性很好;以巯基乙酸为修饰剂,反应时间为240 min时,是水相合成CdTe量子点的最佳条件;量子点水溶液的Zeta电位受修饰剂和pH值的影响;水溶性的、带有官能团的量子点适合于进一步的生物应用.     

SiC和CdTe量子点间荧光共振能量转移

采用水相法制备了巯基乙胺包裹的CdTe量子点,用湿化学刻蚀法制得了SiC量子点,并对CdTe和SiC量子点的光学特性进行了研究.结果表明:随着激发波长的增加,因量子限制效应,SiC量子点荧光的最大发射峰出现红移;CdTe量子点的发射谱和SiC量子点的吸收谱有较大的重叠,且带边发射有较大的能量分离;CdTe量子点和SiC量子点之间存在福斯特共振能量转移.同时,CdTe和SiC混合液蒸干后的荧光光谱显示,供体SiC的荧光减弱,而受体CdTe的荧光增强;相同大小的CdTe、SiC及CdTe和SiC混合物的液滴在空气中自然蒸发时,液滴的颜色在紫外灯照射下发生了变化,这是由于蒸发过程中,液滴体积减小,导致液滴中量子点间的距离减小,有利于CdTe量子点和SiC量子点间发生福斯特共振能量转移.     

静电作用对金纳米粒子猝灭CdTe量子点荧光的影响

分别合成了表面带正电荷和表面带负电荷且粒径相同的水溶性CdTe量子点,以及表面带有负电荷的金纳米粒子(AuNPs),考察了AuNPs对表面带不同种类电荷的CdTe量子点荧光的猝灭作用.结果表明:AuNPs对表面带正电荷CdTe量子点荧光具有更强的荧光猝灭能力,在pH=5~9时,AuNPs对表面带正电荷CdTe量子点的荧光猝灭率为0.640~0.846,对表面带负电荷CdTe量子点的荧光猝灭率为0.534~0.690.静电吸引可以增强AuNPs与CdTe量子点之间的相互作用.