氮离子轰击改善胶体石墨薄膜平面场发射特性的研究

研究了氮离子(N )轰击对石墨薄膜场发射特性的影响。片层石墨被N 轰击成较整齐排列的锥尖阵列,尖端密度~108cm-2。XPS谱证实有许多N原子注入薄膜,膜内存在大量sp2杂化轨道键。场发射测试表明,经过N 轰击,整个薄膜在场发射的均匀一致性方面有较明显的改善,场发射电流密度从0·3增大到1·65mA/cm2。     

直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子（N^＋_２,N ^＋）混合的蒙特卡罗模型, 模拟研究了 e^－+ N_２___N^＋+N+2e和N ^＋_２+N_２___N^＋+N+N_２ 过程离子N^＋的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布 . 结果表明, 两种 离解过程中氮原子离子（N^＋）的产生率均随气压和电压的增加而增大, 随 放电气体温度的升 高而降低; 但N^＋_２-N_２离解碰撞主要发生在 阴极附近. 在电压较高时, 阴极处的N^＋主要由N^＋ _２-N_２离解过程产生; 在电压较低时, N^＋ _２-N_２离解过程可忽略.     

图 K2∧Km,n 的 优 美 性

对于正整数m,n∈N⁺(N⁺为正整数集合), 给出一类图K₂∧K_m,n, 通过构造标号函数的方法, 论证了 该图的优美性.     

胶体石墨涂层的平面场发射特性研究

研究了胶体石墨涂层的场发射特性。测得其相应于10μA/cm²场发射电流密度的开启场强为5.4V/μm,相应于1mA/cm²场发射电流密度的阈值场强为8.8V/μm。扫描电子显微镜观察表明场发射应该来自细小石墨碎片的尖锐边缘。通过计算估计出这些尖锐边缘处的场强比阴阳极之间的平均场强增加了大约4×10²倍。     

极大局部边连通和超级局部边连通二部有向图的邻域条件

本文主要证明了对于n阶二部有向图D，当最小度δ≥3,对任意同部顶点x，y,有min{|N⁺(x)∪N⁺(y)|，|N^-(x)∪N^-(y)|}≥(n+3)/4]时,D为极大局部边连通的；当最小度δ≥4,对任意同部顶点x，y,有min{|N⁺(x)∪N⁺(y)|,|N^-(x)∪N^-(y)|}>(n/4)+1时,D为超级局部边连通的。我们证明了条件的最好可能性及结果与原有结果的独立性。     

图St(m)∪Kp,q的k优美性及算术性

对于正整数m,p,q,k∈N⁺(N⁺为正整数集合),给出一类非连通图St(m)∪K_p,q, 论证了当k>1, 且min{p,q}≥2时, 该图是k优美图; 当k>(q-1)d+1(d>1, d∈N⁺)时, 图St(m)∪K_p ,q是(k,d)算术图.     

快原子轰击下NaCl,LiCl水溶液浓度对乙酰化松三糖质谱碎裂影响的研究

利用快原子轰击源研究了乙酰化松三糖的阳离子化分子和碎片离子的相对强度随底物中Na⁺或Li⁺浓度变化的趋势。表明在适当的Na⁺或Li⁺浓度下,可得到结构信息较全面的质谱图。     

基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法， 真空室中充入高纯N_{2(99.99%)和高纯Ar（99.99%）的混合气体， 在n型（100）Si基底上沉积了六角氮化硼（h-BN）薄膜. 在超高真空（<10^-7 Pa）系统中测量了BN薄膜的场发射特性， 发现 沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜， 阈值电场为12 V/μm， 电场升到34 V/μm， 场发射电流为280 μA/cm². 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线， 表明电子是通过 隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.}     

热处理调控氧化石墨烯薄膜层间距与离子筛分

采用热处理方法,通过改变热处理时间和温度来调控氧化石墨烯(GO)薄膜的层间距,并考察了Cs~+、K~+、Na~+、Li~+、Sr²⁺、Mg²⁺和Al³⁺离子在不同层间距的GO薄膜中的渗透性.结果发现:热处理后得到的GO薄膜在湿润状态下的层间距范围为0.57～1.31 nm,当薄膜层间距在0.55 nm左右时,水分子很难在薄膜中输运;此外,在不同层间距的GO薄膜中离子渗透性除了与离子水合直径有关之外,还与离子所带电荷以及离子脱水作用有关.该方法实现了Li~+/Mg²⁺和Na~+/Sr²⁺的分离,为离子的精确筛分、促进如盐湖提锂以及核废液处理等提供了参考.     

Tb3+和Gd3+掺杂的纳米TiO2薄膜的制备及发光性能与发光机

以钛酸正丁酯［Ti(OBu)₄］为前驱体, 采用溶胶 凝胶法制备Tb³⁺和Gd³⁺共掺杂的纳米TiO₂发光薄膜, 并探讨了Gd³⁺对Tb³⁺的增敏作用机理. 通过X射线衍射(XRD)、 TG/DTA综合热分析仪、 傅里叶变换红外仪(FTIR)、 透射电子显微镜（TEM）和光致发光(PL)光谱分别对不同制备条件下的TiO₂薄膜进行了表征. 结果表明, TiO₂薄膜具有一定的择优取向, 晶相为锐钛矿相, 形成了良好有序的晶体结构, 且样品粒径分布均匀, 颗粒大小约为15 nm; 以230 nm作为激发光, Gd³⁺的共掺对纳米TiO₂发光薄膜中Tb³⁺的发光有显著增强作用.     

Field emission of SiCN thin films bombarded by Ar<Superscript>+</Superscript> ions

SiCN thin films were synthesized by a radio frequency chemical vapor deposition (RFCVD) system on P-type Si (1 0 0) wafers using C₂H₄, SiH₄ and N₂ as raw materials, In order to get rid of the oxygen absorbed on the surface and improve the characteristics of electron field emission, Ar⁺ ions of low energy were used to bombard the samples. The field emission characteristics of SiCN thin films before and after Ar⁺ bombardment were studied in the super vacuum environment of 10⁻⁶ Pa. It was showed that the turn-on field (defined as the point where the current-voltage curve shows a sharp increase in the current density) decreased from 38 V/μm before bombardment to 25 V/μm after bombardment. And the maximum emission current density increased from 159.2 to 267.4 μA/cm². The composition before and after Ar⁺ bombardment was compared using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Our results illustrated that the field emission characteristics were improved after the bombardment of Ar⁺. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (19975035) Biography: Ma You-peng (1978), male, Master candidate, research direction: novel functional materials film and ion beam modification of materials.     

Field Emission of SiCN Thin Films Bombarded by Ar~+ Ions

0　IntroductionInthefieldofvacuummicroelectronicdevices,coldcathodeelectronfieldemittersarepotentiallyusefulforfieldemissiondisplays (FED) .FEDareimportantelementsoftheflatpaneldisplays.Comparingwithliquidcrystaldisplays (LCD)andcath oderaytube (CRT)displays,ithasacompactsize ,alargeview ingangle ,excellentbrightnessandhighpicturequality[1 ] .Muchresearchhasbeenperformedtounderstandandimprovethefieldemissionpropertiesofthinfilmsandthinfilmstructures.Withthedevelopmentsofvacuummicroelectro…     

氮化碳薄膜的应用研究

探讨了氮化碳(CNx)薄膜在空间领域中的应用．用电子束蒸发离子束辅助沉积的方法制备的氮化碳薄膜，对其结构和成分进行了分析，并用地面模拟设备进行了耐原子氧腐蚀和防冷焊试验，结果表明氮化碳薄膜具有较好的防冷焊性能，掺有Ti和Sn的碳氮膜具有很好的防原子氧性能．     

静电植绒法制备石墨微鳞片高导热界面材料

为了制备高导热、低热阻的大面积导热界面材料,使用静电植绒法在高电压静电场下垂直取向石墨微鳞片,取向后的石墨微鳞片阵列在平面方向上呈现无规且紧凑的结构。通过微粉灌注法向石墨微鳞片中填充高密度聚乙烯（HDPE）或聚氨酯微粉,或者通过液态刮涂法填充低黏度硅橡胶前驱体,加热固化后,形成大面积高导热界面材料。导热性能测试结果表明：石墨微鳞片阵列（粒径1 000 μm）与柔性聚氨酯微粉复合形成的导热膜在68.95 kPa和689.5 kPa的压力下测得的垂直方向导热率分别为4.3 W/（m·K）和8.7 W/（m·K）;与柔性硅橡胶复合形成的导热膜在68.95 kPa和344.75 kPa的压力下测得的垂直方向导热率分别为2.0 W/（m·K）和4.1 W/（m·K）;与硬质HDPE微粉复合形成的导热膜由于表面过于粗糙和坚硬,无法测得可靠的导热率。实际散热效果显示,柔性硅橡胶导热膜与石墨纸贴合的散热结构能够将热聚集点的热量快速传递到石墨纸表面,并通过石墨纸层均匀散开。     

多孔质石墨静压气体推力轴承静态特性

为了研究多孔质石墨静压气体推力轴承的静态特性,建立了相对应的理论计算模型.基于该模型分析了多孔质石墨密度、表面限制层、供气压力以及气体质量流量等因素对多孔质石墨静压气体推力轴承静态特性的影响.理论计算结果表明,轴承承载力与石墨密度成负相关、与供气压力成正相关,并在有表面限制层时较大;气体质量流量与石墨密度成负相关、与供气压力成正相关,并在有表面限制层时较大;轴承的刚度与石墨密度、供气压力成正相关,并在有表面限制层时较大.进一步设计实验台,绘制出多孔质石墨静压气体推力轴承的气膜厚度与承载力的静态特性曲线图.对比发现,实验结果与理论结果吻合较好,从而验证了数值计算方法的可靠性.     

The ultraviolet and blue luminescence properties of ZnO:Zn thin film

The ultraviolet (UV) and blue luminescence of Zn-rich zinc oxide thin film deposited by electron-beam evaporation have been investigated at room temperature (RT). We observed that the UV and blue electroluminescence (EL) emission band centered around 480 nm which is blue shifted in comparison with that of the ZnO thin film prepared by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP MOCVD). The UV emission is much stronger than blue emission in the photoluminescence (PL) spectra. The field-induced ionization of excited luminescent centers of ZnO:Zn thin film at high electric field and the difference between PL and EL are discussed. The experiments show that the ZnO:Zn thin film provides a hopeful new mechanism to obtain UV and blue emission.     

O2吸附对纳米石墨片的场发射性能影响

采用（CVD）法制备了纳米石墨片,用场发射扫描电镜（FESEM）和Raman光谱对其形貌和结构进行表征,发现其为花瓣片状结构,边缘具有突出尖端。利用二极结构分别测试了有无O2氛围下纳米石墨片场发射电流,发现O2吸附在纳米石墨片表面时,场发射电流明显减小,开启电场增大。在冷阴极方面有较好应用前景。     

Silicon Field Emission Arrays Coated with CN_x Thin Films

0　IntroductionThefieldemissiondisplay (FED) ,whichhasthebenefitsofbothliquidcrystaldisplays (LCDs)andcathoderaytube(CRT)display ,isregardedasaperfectchoiceforthefuturedis plays.Ithasacompactsize,alargeviewingangle,excellentbrightnessandhighpicturequality[1 ] .Thefieldemissionarrays(FEAs) ,whichareformedofarraysofmicro tips,arewidelyusedasthesourceofelectroninFED .Thetopofthetipiswherethestrongestelectricfieldis.Itisalsowheremostoftheemissionelectronscomefrom .Thismadeitpossibleto putel…     

消失模铸造AZ91镁合金材料特性

对消失模铸造AZ91镁合金的表面成分进行了测定和分析,研究表明,在消失模铸造镁合金表面形成了复杂的MgO-Al2O3-SiO2-无定型C粒子等组成的薄膜.由于该薄膜的存在,铸件的耐腐蚀能力与普通重力铸造或其他铸造方法得到的镁合金铸件相比有较大提高.同时对消失模铸造镁合金的力学性能的变化进行了研究,发现消失模铸造条件下的AZ91镁合金拉伸性能比金属型、石墨型铸造的低,比树脂砂型的略高.并通过进行热处理强化,消失模铸造镁合金的抗拉强度、硬度和延伸率大大提高,其中高温时效对于提高合金的屈服强度、抗拉强度及加工硬化率非常有效.