聚甲苯胺蓝修饰碳纤维微柱电极的制备及其电化学性质

在pH 7.0的磷酸缓冲液中,用循环伏安法制备了聚甲苯胺蓝修饰碳纤维微柱电极.自制的碳纤维微柱电极分别在+2.5V恒电位极化30s,-1.0V恒电位极化30s后,电极活性得到明显改善,于 -0.8V～+0.8V的电位区间内循环扫描,即得到致密的聚甲苯胺蓝膜修饰碳纤维微柱电极.研究了聚甲苯胺蓝膜修饰碳纤维微柱电极的电化学性质和电催化性能,该膜对神经递质多巴胺有良好催化作用,催化峰电流与多巴胺浓度在3.0×10     

稀土掺杂普鲁士蓝化学修饰电极上过氧化氢的伏安性质研究

研究了过氧化氢在稀土掺杂的类普鲁士蓝化学修饰电极（ＲｅＭＰＢＣＭＥｓ）上的电化学行为．结果表明,该修饰电极对过氧化氢的还原有稳定的催化作用．过氧化氢在修饰电极上有较低的过电位,其还原峰电位为－０９Ｖ,在１５×１０－４～２０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ范围内峰电流与浓度呈线性关系,电极稳定可靠．     

头孢氨苄在悬汞电极表面吸附行为的研究

报道了头孢氨苄在悬汞电极表面的吸附行为。使用恒电位方波扫描法,测量了不同浓度的头孢氨苄在悬汞电极表面的微分电容曲线。结果表明：头孢氨苄在悬汞电极表面的吸附电位范围为＋０．０８～－ １．３５Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）,吸附类型服从Ｆｒｕｍ ｋｉｎ 吸附,吸附因数为０．８４,吸附平衡常数为８．５×１０４,吸附自由能为－ ３７．４ＫＪ／ｍ ｏｌ．     

电聚吡咯固定化酪氨酸酶电极的制备及性能

用恒电位法在电化学聚合吡咯的同时，将酪氨酸酶固定在导电聚吡咯膜内，制成一种灵敏、稳定的酪氨酸酶电极。讨论了溶液ｐ Ｈ 值和聚合电位对酶固定化的影响，对酶分子嵌入前后吡咯膜的 Ｓ Ｅ Ｍ 图和 Ｃ Ｖ 曲线进行了分析和比较。该电极响应对甲苯酚的线性范围为５ ．０ ×１０ － ８ ～１ ．０ ×１０ － ６ ｍｏｌ· Ｌ－ １ ，最适ｐ Ｈ 值为６ ．６ ，酶反应表观上遵循 Ｍｉｃｈａｅｌｉｓ＿ Ｍｅｎｔｅｎ 动力学，表观米氏常数为２ ．２ ×１０ － ５ ｍｏｌ· Ｌ－ １ 。     

溴离子在铂电极上的电化学反应

用电位扫描和环盘电极等方法研究酸性介质中溴离子在铂电极上的多步氧化反应行为，证实在１．１Ｖ电位处发生的反应是：Ｂｒ－－ｅＢｒａｄ，（１）Ｂｒａｄ＋ＢｒａｄＢｒ２（ａｑ）．（２）在电位１．５Ｖ处发生的反应是：Ｂｒ２（ａｑ）Ｂｒａｄ＋Ｂｒａｄ，（２′）Ｂｒａｄ＋Ｈ２Ｏ－ｅ＝ＨＯＢｒ＋Ｈ＋．（３）其中反应（１）具有典型的可逆性．实验测得Ｂｒ－离子的扩散系数为１．８×１０－５ｃｍ２·ｓ－１，反应（１）的标准速率常数为２．０×１０－３ｃｍ·ｓ－１．     

2，2＇─联吡啶在金电极表面吸附行为的研究

本文使用恒电位方波慢扫描法，测量了不同浓度的２，２＇─联吡啶在金电极表面的微分电容曲线，从而得到２，２＇─联吡啶在金电极表面的吸附电位范围为＋０．６５～－１．２０Ｖ（ＶＳ．ＳＣＥ）、吸附类型服从Ｆｒｕｍｋｉｎ型吸附、吸附自由能为－３５．８６ＫＪ·ｍｏｌ－１。     

血清白蛋白在裸银电极上的直接电化学行为

本文研究了牛血清白蛋白在裸银电极上的直接电化学行为，在ＰＨ＝７．０的ＫＨ２ＰＯ４－Ｋ２ＨＰＯ４缓冲 溶液中，ＢＳＡ在裸银电极上有一对淮可逆的氧化还原峰，当扫描速度为２０ｍＶ／ｓ．ＢＳＡ浓度为１．２＊１０＾＆－７ｍｏｌ／Ｌ时，峰电位分别为＋０．２０Ｖ和＋０．０５Ｖｖｓ．ＳＣＥ。     

丁二酮肟碳糊化学修饰电极直接电位法测定微量镍的研究

研究了一种以丁二酮肟（Ｃ４Ｈ８Ｎ２Ｏ２，ＤＭＧ）为修饰剂的碳糊化学修饰电极（ＣＭＥ）。该电极在ｐＨ＝８．８的ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ缓冲溶液中，对Ｎｉ２＋浓度的负对数有线性电位响应。线性范围是５．０×１０－７～１．０×１０－３ｍｏｌ／Ｌ。电极修饰简单、性能稳定，每修饰一次可稳定测试１０个标准系列。对钢铁试样中的微量Ｎｉ进行了测定，效果良好     

铜在8－羟基喹啉修饰铅笔芯电极上的伏安特性

本文用８－羟基喹啉修饰的铅笔芯电极研究了铜的阶梯阳极溶出伏安特性，并将此法用于人发中微量铜的测定。实验指出，在此修饰电极上，铜的阶梯溶出峰有两个，１＃峰电位在－０．０３Ｖ，２＃峰电位在０．２７Ｖ处。同样的试液和条件下，１＃峰总比２＃峰的峰电流大。实验研究了测定铜的最佳条件，并测得铜的浓度在４．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内，１＃峰的峰高与浓度呈良好的线性关系，最低检测限为２×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１。２＃峰高与铜的浓度在６．０×１０－８～１．６×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１范围内也有较好的线性关系，也可用于测定铜。本文还分析了铜在修饰电极上的反应机理     

苄基紫精在金,铂电极上的伏安特性

用循环伏安法研究了磷酸盐缓冲溶液（ＰＨ６．８）中苄基紫精（ＢＶ＾２＋）在金铂电极上的伏安特性。考察了电位扫描下限（ＥＬ），扫描速度（Ｖ），ＢＶ＾２＋浓度等因素对ＢＶ＾２＋电极过程的影响。在－０．４～０．９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）电位区，ＢＶ＾２＋的还原表现为两个阴极峰。当ＥＬ正于第二个还原峰电位Ｅ＾Ⅱｐｃ时表现为可逆的ＢＶ＾２＋／＾＋氧化还原过程。当ＥＬ负于Ｅ＾Ⅱｐｃ时，生成完全还原产物一中性紫精ＢＶｏ     

电聚吡咯固定化酪氨酶电极的制备及性能

用恒电位法在电化学聚合吡咯的同时,将酪氨酸酶固定在导电聚吡咯膜内,制成一种灵敏、稳定的酪氨酸酶电极。讨论了溶液ｐＨ值和聚合电位对本科固定化的影响,对酶分子嵌入前后吡咯膜的ＳＥＭ图和ＣＶ曲线进行了分析和比较。该电极响应对甲苯酚的线性范围为５．０×１０＾－８～１．０×１０＾－６ｍｏｌ·Ｌ＾－１,最适ｐＨ值为６．６,酶反应表现上遵循Ｍｉｃｈａｅｌｉｓ－Ｍｅｎｔｅ动力学,表观米氏常数为２．２×１０＾－５ｍ     

金膜电极电位溶出分析法测定锗

利用玻碳镀金膜电极电位溶出分析法测定锗，在ｐＨ９．８的硼砂—氢氧化钠缓冲溶液中，采用同步镀金膜，富集电位—１．３０ｖ（对Ａｇ／ＡｇＣｌ），以溶液中溶解氧为氧化剂，在－０．２０Ｖ和－０．８５Ｖ处出现两个溶出信号，取－０．８５Ｖ的溶出信号进行定量分析，锗的浓度在１．０×１０￣－５～１．０×１．０￣－７ｍｏｌ／Ｌ范围内与溶出信号有良好的线性关系，检出限为５．０×１０￣－８ｍｏｌ／Ｌ。该方法用于有机锗、康寿茶、蘑菇、牡蛎等样品分析，并用分光光度法作对照，标准回收率为９５．８％～１００．０％。     

铁氰酸钴膜修饰微电极的研究及其应用

用电化学法在玻碳基体上制备出性能稳定的铁氰酸钴膜修饰微电极（ＣＨＣＦ／ＧＣ），该电极可在－１．０Ｖ－１．０Ｖ（ｖｓＳＣＥ）之间进行连续多次的电位扫描。表征了该电极的电化学多种行为，研究了影响ＣＨＣＦ膜电极性能的多种因素和该电极对抗坏血酸（ＡＡ）测定的催化作用。     

二环已基－18－冠－6钾涂丝电极研究与应用

研究以二环已基－１８－冠－６钾为电活性物质的ＰＶＣ涂丝电极测定钾离子的方法．该电极对Ｋ＋的Ｎｅｒｎｓｔ响应范围为１０－２～１０－５ｍｏｌ·Ｌ－１，级差为５６ｍＶ／ｐＫ＋，检测下限为８．９１×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１（ＫＣｌ），转换系数为９６．３％，适用ｐＨ范围为４．０～８．０，电极的再现性、选择性、响应时间均较好，且用于血清中Ｋ＋含量的测定，结果与用火焰光度法测定相一致．     

钯在脱乙酰壳多糖化学修饰电极上的电化学行为及分析应用

提出用脱乙酰壳多糖化学修饰电极为工作电极，阳极溶出伏安法测定痕量钯。在ｐＨ＝２的ＫＣｌ－ＨＣｌ底液中，＋０．０Ｖ富集２ｍｉｎ，以０．１Ｖ／ｓ扫速阳极溶出，峰电位在０．６７Ｖ（ｖｓ／ＳＣＥ），Ｐｄ在０．０７５￣９．９ｍｇ／Ｌ范围内与峰高呈良好的线性关系，相关系数ｒ＝０．９９９３。在富集１０ｍｉｎ时，可检测１．５μｇ／Ｌ Ｐｄ，大大提高了测定灵敏度。样品测定结果满意。同时研究了该体系的电化学性质和电极     

硫氮氧杂大环汞修饰电极的研究

利用合成的新型硫氮氧杂大环化合物为载体制备了ＰＶＣ膜汞（Ⅱ）修饰电极．该电极对汞（Ⅱ）的线性响应范围为８×１０－６～６×１０－３ｍｏｌ·ｌ－１，对大多数金属离子的选择性系数小于１×１０－３．还研究了修饰电极的各种性能，讨论了修饰电极的响应机理，并将修饰电极应用于直接电位法和电位滴定法的测定中．     

壳聚糖包埋Ru(bpy)2+3/SiO2复合膜电极电化学发光特性

制备了壳聚糖包埋Ｒｕ（ｂｐｙ）＾２＋３／ＳｉＯ２复合膜电极,对其电化学发光特性的研究表明：铂和玻碳复合膜电极循环伏安曲线的阳极峰分别在１１５０和１３７０ｍＶ,阴极峰分别在１０５０和１２６０ｍＶ;复合膜电极的荧光发射光谱位于５８５ｎｍ;电极的响应时间为１０ｓ,对基质具有电位和ＰＨ选择性;对５．５＊１０＾－４－１．０＊１０＾－２ｍｏｌ．Ｌ＾－１的草酸和抗坏血酸分别有相关系数为０．９９５和０．９９２的线     

组合式微型三电极体系的制作及应用

以碳纤维束为工作电极,铂丝为辅助电极,银丝作为参比电极,制作组合式微型三电极体系和微型电解池,并应用于测定微升级试液,采用线性扫描溶出伏安法测定血清及汗液中的铜,其电积电压为－０．５Ｖ,电积时间２ｍｉｎ,扫描电位０．０－０．５Ｖ,扫描速度２００ｍＶ．Ｓ＾－１,工作底液为０．１０ｍｏｌ．Ｌ＾－１的ＨＣｌ溶液。铜的溶出峰电流ｉｐ与铜离子的浓度Ｃ在０．０５－１．５０ｇ．Ｌ＾－１范围内呈良好的线性关系,线     

H2SO4介质中Ce（Ⅲ）在铂电极上的氧化及其对Mn（Ⅱ）催化氧 …

在１ＭＨ２ＳＯ４，Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化－还原伏安图表明，电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ＾－１时氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ，△Ｅｐ＝０．２８Ｖ，能峰电位随扫描速度而变化，峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方根√ｖ不成线性关系：Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程，生成的Ｃｅ（ＩＶ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均能催化氧化作用，催化电流峰电位在１．２６Ｖ处，催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）。     

砷钼杂多阴离子薄膜修饰电极的电化学特性及？…

用电化学沉积法制备了Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子修电极，在０．３ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４溶液中及０．７０Ｖ～０．００Ｖ电位范围内，该电极具有三对可逆氧化还原表面波，它们分别对应于Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子中Ｍｏ的三个２电子氧化还原过程，这三对表面波分别对ＮＯ２＾－ＩＯ３＾－及ＡｓＭｏ１２Ｏ＾３４０离子具有电催化活性，文中给出了其催化机理及浓度响应范围。