组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.     

多色发光CsPbX_3(X=Cl,Br, I)钙钛矿量子点及其LED器件研究进展

CsPbX_3(X=Cl, Br, I)全无机钙钛矿量子点具有高发光量子效率、制备工艺简单、发光光谱可调、较窄的半峰宽、较高的缺陷容忍度等优点,受到了研究人员的广泛关注,已经在太阳能电池、发光二极管、柔性显示和光电探测等领域展示出了广阔的应用前景。目前,CsPbX_3量子点主要通过卤素组分调控,表面改性和掺杂稀土离子、过渡金属离子等手段来实现量子点的多色发光,然后实现多色发光LED器件的制作。总结了近年来多色钙钛矿量子点CsPbX_3(X=Cl, Br, I)的制备、光学性质及其在LED器件中的应用进展。     

纳米材料改性纯丙乳胶漆的研制

近年来,纳米材料的研究和应用成为各行各业的热点。纳米材料所具有的小尺寸效应、表面和界面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等,使纳米材料具有了抗菌杀毒、防雾防露、防污自洁、超强疏水、屏蔽防老化等特殊性能。采用纳米技术与建筑涂料进行有机结合提高涂料的抗水性、杀菌性和自洁性、涂膜具有较强的吸附力和良好的耐候性,对建筑涂料向高质量、高档次、环保型、多功能化等方向发展,将会起到极大的推动作用。一、实验部分主要原料和设备纳米级SiO2、纳米级ZnO、纳米级TiO2,深圳市多贝化工建材有限公司产品;纯丙乳液,罗门-哈斯公司…     

基于 In$_{{\bf 1}-x}$Ga$_{x}$P 梯度合金核无镉量子点的制备及 LED 应用

低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot, InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料, 已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力. 然而, 合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield, PL QY)的InP QD 仍然具有挑战性. 因此, 提出了以乙酰丙酮镓作为镓源, 在高温下通过乙酰丙酮基对表面配体的活化作用, 生成具有梯度合金核的 In$_{1-x}$Ga$_{x}$P/ZnSe/ZnS 量子点, 有效解决了原有的 InP 与 ZnSe 之间晶格失配的问题; 同时减少核壳界面缺陷, 使量子点的荧光量子产率高达 82%, 所制备量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode, QLED)的外量子效率(external quantum efficiency, EQE)达到 3.1%. 相比传统的 InP/ZnSe/ZnS 结构量子点, In$_{1-x}$Ga$_{x}$P/ZnSe/ZnS 量子点荧光量子产率提高了 25%, 器件的外量子效率提高了近一倍. 该方案为解决 InP 量子点荧光量子产率低、发光器件性能差等问题提供了新的思路.     

量子效应的分解

研究了Hilbert空间上一个量子效应分解成几个sharp量子效应和almost sharp量子效应之和的问题.得到了一个量子效应是sharp效应与almost sharp效应之和的充要条件及是两个sharp效应之和的充要条件,给出了一个效应是almost sharp效应的充要条件.作为应用,证明了当H的维数是无限的或者维数是偶数时,一个量子效应可以分解成两个almost sharp量子效应之和;当H的维数是奇数时,一个量子效应可以分解成至多三个almost sharp量子效应之和.     

InxGa1-xN/GaN量子点中的激子态

近年来,三元半导体合金InGaN由于在光电器件(高亮度的蓝、绿光发光二激管、激光二极管)上的应用而备受人们的关注．由于InN和GaN之间比较大的晶格失配导致在InxGa1-xN／GaN量子阱的InxGa1-xN激活层中自发形成一些纳米量级的富In类量子点．这些富In量子点就像三维陷阱一样,     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响简

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件（QD-LEDs）。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛（TiO2）作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速（800～1100 r/min）,制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件（QD-LEDs）。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900 r/min时,此时的量子点层厚度为30 nm,所制备的量子点发光二极管器件（QD-LEDs）的发光性能最好,开启电压最低,只有5．5 V。     

MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型

在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.     

量子点发光二极管研究获进展

<正>日前,在国家自然科学基金重点项目等的支持下,浙江大学化学系彭笑刚课题组与材料系金一政课题组合作在量子点发光二极管研究领域取得了重要进展。相关研究成果发表在《自然》上。该文报道了一种以量子点为电致发光材料的新型LED器件。其性能远远超过了目前相关文献报道的其他量子点LED,并且该新型器件可以通过简单的溶液加工路线制备而得。LED作为下一代照明与显示的核心器件已被业界认可。Ga N外延生长量子阱的LED器件则     

有机-无机混合阳离子钙钛矿发光二极管研究进展

 有机-无机杂化钙钛矿具有制备方便、光学带隙可调、电荷传输性能优异等特性,正成为新一代革命性的半导体光电材料。随着研究的不断发展,钙钛矿材料的量子产率已经超过90%。材料合成的快速发展促进了其在光电子器件上的应用,包括太阳能电池、发光二极管、光电探测器和晶体管等。本文回顾了有机-无机混合阳离子钙钛矿发光二极管的最新研究进展,包括材料晶体结构、纳米晶合成过程、器件制备及其光电特性表征。有机-无机混合阳离子为高量子产率钙钛矿纳米晶的合成开辟了一种新的途径,同时也为制备高亮度、高效率发光二极管器件提供了新的思路。     

The effect of multi-quantum barrier structure on light-emitting diodes performance by a non-isothermal model

A multi-quantum barrier structure is employed as the electron blocking layer of light-emitting diodes to enhance their performance.Using the non-isothermal multi-physics-field coupling model,the internal quantum efficiency,internal heat source characteristics,spectrum characteristics,and photoelectric conversion efficiency of light-emitting diodes are analyzed systematically.The simulation results show that:introducing multi-quantum barrier electron blocking layer structure significantly increases the internal quantum efficiency and photoelectric conversion efficiency of light-emitting diodes and the intensity of spectrum,and strongly ensures the thermal and light output stability of light-emitting diodes.These results are attributed to the modified energy band diagrams of the electron blocking layer which are responsible for the decreased electron leakage and enhanced carrier concentration in the active region.     

小分子有机电致发光材料研究进展

 有机电致发光器件（OLED）具有效率高、亮度高、驱动电压低、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点,因其在平板显示和高效照明领域具有极大的应用前景而引起广泛关注。在OLED的制备及优化中,有机电致发光材料包括小分子和聚合物的选择至关重要,其中有机小分子发光材料具有确定的相对分子质量、化学修饰性强、选择范围广、易于提纯、荧光量子产率高以及可以产生红、绿、篮等各种颜色光等优点,一直受到国内外学者的广泛重视。本文综述了近年来国内外有机电致发光小分子发光材料的研究状况,对有机小分子电致发光材料进行分类和评述,并简要介绍了小分子OLED的应用前景和发展趋势。     

Advantage of dual wavelength light-emitting diodes with dip-shaped quantum wells

Dual-wavelength light-emitting diodes (DW-LEDs) with dip-shaped quantum wells have been studied by numerical simulation.The emission spectra,light output power,carrier concentration in the quantum wells and internal quantum efficiency are investigated.The simulation results indicate that the DW-LEDs with dip-shaped quantum wells perform better than conventional LEDs with rectangular quantum wells in terms of light output power,leakage current and efficiency droop.These improvements in the electrical and optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the dip-shaped quantum wells.     

基于苝的非掺杂荧光白色有机电致发光器件

采用两种经典传统荧光材料作为发光层,制备了非掺杂白色有机电致发光器件(WOLEDs).在器件中两层苝(perylene)以薄层的方式分别置于双极性主体材料CBP(4,4’-di (N-carbazole)biphyenyl)两侧作为蓝光发射体,一层超薄的红荧烯(rubrene)插入CBP中作为橙光发射体.通过改变rubrene在CBP中的插入位置获得了高效率白色荧光器件,最高电流效率为6.6 cd/A(外量子效率为2.6%),最高亮度为18 480 cd/m²,且其中一种器件在200 mA/cm²的高电流密度下,CIE(commission internationale de l’eclairage)色坐标可达理想白光平衡点(0.33,0.33).     

基于蒽基的稠环芳香烃蓝光主体发光材料的合成及其电致发光性质的研究

合成了3种基于蒽基的稠环芳香烃（PAH）主体蓝光发光材料,详细研究了材料光电特性及热稳定性.结果发现,3种PAH材料具有较高的发光量子效率以及良好的热稳定性.通过真空镀膜方法,制备了以3种PAH材料为发光层的非掺杂蓝光电致发光器件.结合高斯09软件对材料进行量化计算,从分子结构、材料性能及电致发光特性几方面进行了比较和讨论.     

Flexible organic light-emitting diodes with poly-3, 4-ethylenedioxythiophene as transparent anode

The flexible oragnic light-emitting diodes (OLEDs) fabricatedon poly-3, 4-ethylenedioxythiophene/polystyrenesulfonate (PEDOT/PSS) coated substrates were demonstrated. How the fabricating processes and the device structure will affect the device performance was studied and the atomic force microscopy was employed to analyze the mophorlogy of the conducting polymer anode. Under optimized conditions, flexible OLEDs with PEDOT anode showed the brightness up to 2760 cd/m² and maximum external quantum efficiency of 1.4%. These data are comparable to those of conventional flexible OLEDs with ITO anode.     

High efficient light-emitting diodes using polystyrene as matrix

High efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) were obtained by using a blend of conjugated polymer G-PF, a copolymer of fluorene and thiophene, and polystyrene (PS). The maximum electroluminescent (EL) efficiency of the device is 12 cd/A when G-PF/PS weight ratio is at 80/20, while that of pure G-PF device is 6.5 cd/A. Studies on photoluminescence and electroluminescence of the blends indicate that inter-chain interactions were tremendously suppressed due to the dilution effect. However, after PS concentration exceeds 20% the EL efficiency of the devices decreases with further increase of PS concentration. This may be due to the decrease of the recombination probability of electrons and holes with the excessive addition of PS insulator.     

高荧光CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的水相合成与表征

以巯基丙酸（MPA）为稳定剂,CdSe量子点为核,在水相中合成了具有较高荧光量子效率和化学稳定性的Ⅱ型核壳半导体量子点．通过荧光光谱、紫外-可见光吸收光谱和X-射线衍射方法对该CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的光谱性质和结构进行了表征,证明：CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的荧光发射光谱在500—573nm连续可调,半峰宽为40～50nm,荧光量子产率高达6．8％;粒型为球形,粒径约3．2nm,且粒径分布均匀;晶体结构为立方晶型．