金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．     

PTPD/Alq3异质结电致发光二极管及其稳定性

采用新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合物（PTPD）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／Alq3（8-羟基喹啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件，考察了其电致发光特性．结果表明，当Alq3厚度很薄（小于或等于10nm）时，器件仅为PTPD层特征发光；当Alq3厚度达到50nm时，器件仅为Alq3层特征发光．将所制得的器件与典型的ITO／TPD／Alq3／Mg：Ag器件进行了比较，发现稳定性明显提高，其原因是盯PD的热稳定性高、成膜质量好．     

TPD/Alq3发光特性及其界面状态的XPS分析

对结构为ITO/TPD/Alq3/A1的有机电致发光器件电致发光光谱分析,发现与Alq3的荧光峰相比发生了约5 nm红移,从而推断是由于TPD/Alq3界面处形成的激基复合物发光所致.通过x射线光电子能谱(XPS)分析,发现了器件的激基复合物起源于Alq3分子和TPD分子的相互作用.     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

双量子阱结构有机电致发光器件

报道了采用双量子阱结构制备的一种新型的黄光有机电致发光器件.器件结构为:ITO/CuPc/NPB/Alq3/Alq3:Rhodamine B/Alq3/Alq3:RhodamineB/AlqJLiq/Al,当Rhodamine的掺杂浓度为1.5wt%时,得到最大电流效率1.526cd/A,最大发光亮度为1300cd/m2的黄光有机电致发光器件.     

Alq3及其衍生物电子传输性质的理论研究

采用密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G方法对三-（8-羟基喹啉）铝（Alq3）及3种二氟取代衍生物进行了计算研究,分析比较了4种配合物的前线分子轨道组成、轨道能级、电离能、电子亲和势及重整能等性质的同异.结果表明,各配合物的电子跃迁主要发生在不同配体之间的π→π＊跃迁.苯酚环上6,7-二氟取代使电子跃迁能力降低,而5,6和5,7-二氟取代使电子跃迁能力提高.二氟取代均可较显著地使得最低空轨道的能级降低,电子亲和势升高,有利于电子注入.此外,5,7-二氟取代后配合物的电子重整能和空穴重整能显著增大,材料稳定性降低.因此,综合比较各因素的影响,Alq3在6,7位置吸电子基团取代有望成为优良的电子材料.     

有机掺杂红色发光二极管的特性研究

研究了不同掺杂浓度掺杂Alq3：DCM体系有机发光二极管的电致发光（EL）特性,根据实验结果,指出器件的EL发射峰值跟作为受体的DCM在给体Alq3中的掺杂浓度有关,应用Forster能量传递理论对其机理进行了解释。     

Alq提纯的改进及其性质研究

在单温区温度梯度升华法的原有设备基础上加以改进，制备了双温区同加热的温度升华设备，并以8－羟基喹啉铝（Alq)为原料进行了多次提纯，实验结果表明原料的提纯时间大大缩短，对提纯后的8－羟基喹啉铝（Alq)的X射线衍射光谱，紫外－可见吸收光谱，原子力显微光谱进行了详细研究，研究结果表明使用双温区同时加热的温度梯度升华设备多次提纯的Alq的提纯效果显著，其薄膜状态的光学性质及微观表面形貌的形态结构有所改善。     

乙醇溶液中8-羟基喹啉铝光谱研究

对8－羟基喹啉铝（Alq3)在乙醇溶液中的荧光谱进行研究发现，其发光性质与溶液浓度有关，随着浓度的降低，其荧光光谱的峰位发生蓝移，发光强度降低，而半高宽则一直在增大，但由于在浓度较高时，乙醇溶液中Alq3分子大部分以范德瓦尔斯力相结合，只出现少量的聚体，所以峰位移动幅度不大；但当浓度降低到某一数值后，峰位将不再变化，另外，在浓度很大时，观察到有荧光淬灭现象。     

Eu3+:(TTA)m复合体系的电致发光研究

以稀土螯合物Eu3+:(TTA)m复合体系和小分子材料Alq3作成双层结构器件,研究A lq3层厚度不同时电致发光光谱的变化.当Alq3层的厚度减小到某一厚度时,在双层器件结构中可得到高亮度、窄谱带的红色发光.     

不同气氛下激光幅射对硅基Alq_3薄膜光致发光特性的影响

在真空中、氮气中、大气中和氧气中分别测量了生长的硅片上的8—羟基喹啉铝(Alq3)薄膜光致发光(PL)谱及其在不同激光功率密度下的PL强度衰减谱.发现氧气和较强激光幅照共同作用会导致Alq3薄膜表面PL的衰减与淬灭.     

DCJTB掺杂Alq体系的发光特性研究

研究了以ＤＣＪＴＢ掺杂Ａｌｑ作为发光层的红色电致发光器件的发光特性,通过分析Ａｌｑ与Ａｌｑ：ＤＣＪＴＢ的激发光谱与发光光谱,得出了存在着从Ａｌｑ到ＤＣＪＴＢ的能量传递。同时给出并分析了不同ＤＣＪＴＢ掺杂浓度对器件发光特性的影响。     

掺杂的有机薄膜电致发光

用DCM染料和香豆素染料掺杂,成功地实现了有机薄膜电致发光颜色的改变,得到了从蓝绿到红色的发光,同时提高了器件的发光亮度,用不同区域掺杂方法,分析讨论了电致发光的机理,探讨了激子的产生区域和复合区域。     

CaCl2/LiCl改性中孔硅胶的吸附/脱附性能

使用不同的金属盐溶液对中孔硅胶进行改性，并采用间歇式吸附方法研究了水蒸气在硅胶上的吸附动力学实验，利用程序升温脱附技术测定了水在改性硅胶上的程序升温脱附（TPD）曲线并估算了水的脱附活化能，讨论了表面改性对硅胶吸湿性能以及水的脱附活化能的影响．实验结果表明：与C型中孔硅胶相比，经CaCl2或LiCl改性的中孔硅胶，孔容变小而平均孔径变大，在相对湿度（RH）小于80％的范围内，其吸湿性能明显增加，水的脱附活化能也增大；由于Ca^2＋的极化势大于Li^＋的极化势，水分子在经CaCl2改性的硅胶上的脱附活化能要大于其在经LiCl改性硅胶上的脱附活化能．     

Study on temperature characteristics of organic light-emitting diodes based on tris-（8-hydroxylquinoline）-aluminum

Both single-layer and double-layer organic light-emitting devices based on tris-（8-hydroxylquino- line）-aluminum （AIq3） as emitter are fabricated by thermal vacuum deposition. The electroluminescent characteristica of these devices at various temperatures are measured, and the temperature characteristics of device performance are studied. The effect of temperature on device current conduction regime is analyzed in detail. The results show that the current-voltage （I-V） characteristics of devices are in good agreement with the theoretical prediction of trapped charge limited current （TCLC）. In addition, both the charge carrier mobility and charge carrier concentration in the organic layer increase with the rise of temperature, which results in the monotonous increase of AIq3 device current. The current conduction mechanisms of two devices at different temperatures are identical, but the exponent m in current-voltage equation changes randomly with temperature. The device luminance increases slightly and the efficiency decreases monotonously due to the aging of AIq3 luminescent properties caused by high temperature. A tiny blue shift can be observed in the electroluminescent （EL） spectra as the temperature increases, and the reduction of device monochromaticity is caused by the intrinsic characteristics of organic semiconductor energy levels.     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

8-羟基喹啉铝及其高分子膜的瞬态荧光研究

对有机发光材料８羟基喹啉铝（Ａｌｑ３） 及其高分子复合物薄膜的瞬态荧光特性和跃迁机理进行了研究, 发现复合物薄膜的荧光寿命比Ａｌｑ３ 样品的寿命明显缩短, 认为荧光的产生和对激发光的吸收主要由８羟基喹啉基团引起． 而高分子基质引起的淬灭过程可能是导致复合物薄膜寿命降低的主要原因