大功率LED封装结构的仿真设计

设计针对大功率LED的光学结构进行分析,建立大功率LED的光学仿真模型,模拟LED光强分布曲线,对实测数据和仿真结果进行了比较,重点说明LED封装结构设计方法和思路,最后总结了仿真设计的意义。     

LED光衰色偏与伏安特性的关系

研究了大功率白色LED的伏安特性与光衰和色偏之间的关系。选择同一生产者、同一型号、光色性能较一致的大功率白色LED,在恒温环境下,进行350 mA恒流老炼实验;并用光色电综合分析仪测量初始、1周、2周和5周时的伏安曲线、光通量和色坐标。然后由初始时的伏安曲线计算LED的内阻和理想因子,并分析它们与光衰和色偏之间的关系。研究表明:老炼1周、2周和5周后的光衰与内阻、理想因子均正相关,但与理想因子的相关度大于内阻。老炼1周、2周和5周后的色偏与内阻的相关度大于0.8,与理想因子相关性较弱。因此,LED光衰可以用理想因子或内阻来表征,但理想因子优于内阻,而色偏只能用内阻来表征。     

新型大功率照明LED开关电源研究

大功率照明LED是新一代光源,它光转换效率高,也称作绿色光源。由于大功率照明LED本身的伏安特性,所以大功率LED的开关电源的研究从一开始就遇到了困难。而发展LED照明是现在节能环保的大趋势,所以研究开发一种新型的大功率照明LED开关电源是很有必要的。本文对大功率LED及其开关电源的发展作了介绍,然后对一种新型的可调光的开关电源做了原理性分析。     

反向电流对用光电效应测定普朗克常数的影响

本文提出了在“用光电效应测定普朗克常数”的实验电路中,实际上存在着阳极反向电流,并讨论了它的影响。因而阐明了实测伏安特性曲线和理论上的伏安特性曲线的偏离现象     

一种用于深亚微米电路模拟的高精度MOST宏模型

提供了一种新的方法,用于建立深亚微米电路中MOST的伏安特性方程.该方法根据深亚微米MOST的数值模拟结果或实测结果,直接将小尺寸MOST特性方程用函数拟合技术,在M atlab中用程序实现,所建立的伏安特性方程没有非饱和区、饱和区的间断点,是一个不分区间的统一表达式.对所得到的结果进行了计算验证,证明了建模方法和结果的正确性.     

基于4242G的大功率LED控制方案的设计与实现

根据大功率LED的恒流驱动特性,讨论了大功率LED的驱动控制方法,设计并实现了一种功能较全面的驱动控制方案.该方案不但能够实现大功率LED的调光功能,进行实时的短路和故障检测,而且具有短路自关断功能,是大功率LED驱动控制较理想的解决方案.     

微盘电极上线性扫描伏安法动力学研究(英文)

研究微盘电极上中等扫速下，准可逆电化学反应的伏安行为。推导适合于多种电化学技术的一般方程。该方程可用于线性扫描伏安法，循环伏安法，阶梯扫描伏安法以及脉冲伏安法等。运用该方程详细地研究了微盘电极上准可逆、不可逆波线性扫描伏安曲线特性     

非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟

在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.     

正交曲线坐标下Boussinesq方程的初步研究

从质量守恒方程和Euler方程出发,推导出包含底摩擦耗能、波浪破碎效应和亚格湍流效应的改进型Boussinesq方程,并对该方程以及边界条件进行了正交曲线转换;建立了正交曲线坐标系下的二维波浪模型并用实验地形对该模型进行了验证,计算结果与实测数据吻合很好,这说明该模型可以较好地模拟波浪传播过程中的浅水变形、折射、绕射和反射等现象。     

LED照明应用和驱动电路

本文简要分析了LED的特性,以及LED的原理和市场前景,同时对LED的驱动方式进行了探讨,并举例说明了小功率恒压驱动,大功率恒流驱动的典型案例。     

发光二极管照明供电方式的研究

近年来高光效、高亮度的白光LED的开发成功,使得LED在照明领域的应用成为可能。LED将发展成第四代光源,即半导体照明。进入半导体照明时代一方面要加强LED的机理工艺的研究,提高LED的效率,降低成本,另一方面由于LED的伏安特性,光电特性的复杂性、非线性对发光二极管照明系统的供电方式也应进一步地进行研究,才能够达到能的合理利用,使整个照明系统的效率达到最高,前者研究的人较多而后者目前还很少有人研究,本文针对LED照明的供电问题进行了研究对提高LED的供电效率及稳定性提出了相应的解决方法。     

基于MATLAB的普朗克常数测定的数据处理

利用Matlab的图形处理功能,拟合出光电效应中的伏安特性曲线,从曲线中实时采集抬头点,快捷、准确的求出普朗克常数。     

大功率LED的散热封装

如何提高大功率LED的散热性能,是LED器件封装及其应用的关键技术.提出了一种LED薄膜集成封装结构,利用磁控溅射技术制备了实验样品,依据动态电学法,采用金相显微镜和扫描电镜对样品的热阻和膜层性能进行了测试,通过对传热模型的仿真以及实验,分析了样品的散热性能.与现有的PCB封装结构相比,薄膜封装结构的散热性能远优于PCB结构,而且薄膜封装结构的工艺简单、成本低廉,适合于大规模的工业化生产,具有良好的应用前景.     

高功率半导体激光器阵列远场光束特性研究

为研究高功率半导体激光器阵列(HLDA)远场光束分布和传输特性,基于亥姆霍兹方程的远场解,提出HLDA的远场分布模型.实验表明:测试数据与理论模型吻合很好,在95%能量分布区域内,HLDA理论模型拟合测量数据的误差小于5%.基于该理论模型,仿真分析了HLDA光束截面光强分布、传输中心轴光强分布、光束束宽等特性.     

大功率LED驱动电源设计

介绍了大功率LED的特性,分析了市场上常见的驱动电源,研究了在路灯照明领域应用中为能更好地发挥大功率LED的优点,驱动电源必须满足大电流输出,以达到理想的发光强度,保证LED使用寿命。实验表明,采用恒流加温度补偿方式驱动LED的设计方案可行。     

硅太阳电池数学模型

太阳电池的光电特性是由原材料，电池设计结构和相应的加工工艺所决定的。建立太阳电池数掌模型对于太阳电池特性的研究以及太阳电池Ⅰ-Ⅴ曲线的描绘有着重要的意义。本文介绍了几种硅太阳电池工程用模型，这些模型考虑了电池温度和日照强度对输出特性的影响。     

THz频段圆波导传输特性的特征方程分析法

针对THz频段采用金属电导率趋肤效应模型会引入传播常数误差的问题,提出了一种非理想导体圆波导传输特性的特征方程分析法.首先基于圆波导中的场方程及电磁场边界条件得到了关于传播常数的特征方程;其次在特征方程中采用非理想导体电导率的经典驰豫模型,通过数值求解得到了圆波导的传播常数.与采用变分法计算传播常数的结果相比,特征方程法可在全频段上精确表征圆波导的传输特性.仿真结果表明:与传统变分法相比,圆波导特征方程分析法得到的衰减常数相对误差在10 THz时可减小66％;与传统的金属电导率趋肤效应模型相比,特征方程分析法采用金属电导率经典弛豫效应模型得到的衰减常数相对误差在6 THz时可减小31％.     

基于改进忆阻器的混沌电路研究

忆阻器是一种具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器,针对窗函数忆阻器模型的不足,提出了一种改进的窗函数,它通过添加一个参数来关联忆阻器的线性与非线性特性。为了对该窗函数进行验证,运用了数值分析与模拟电路分析的方法,仿真得出了忆阻器的伏安特性曲线,结果表明,使用改进窗函数的忆阻器模型更加接近实际物理状态。同时,为了进一步研究该模型的电路特性,将该模型应用于蔡氏混沌电路,通过MATLAB仿真得出其相图,并分析它的李雅普诺夫指数谱,数据表明该电路能产生混沌现象,因此,该忆阻器模型是一个能被应用的非线性模型。     

氧化锌-聚丙烯酰胺复合水凝胶的循环伏安特性

运用溶液聚合法和沉淀法制备出氧化锌-聚丙烯酰胺复合水凝胶。对复合水凝胶进行X射线衍射分析,红外光谱分析,从而确定复合水凝胶中的成分为氧化锌和聚丙烯酰胺;通过研究复合水凝胶修饰玻碳电极的电化学行为,发现修饰电极对于氯化亚铁电解液具有较好的循环伏安响应;测试不同浓度氯化亚铁的循环伏安曲线,发现随着溶液浓度的增加,修饰电极对于氯化亚铁电解液的电化学响应加强;测试不同扫描速率下的循环伏安曲线,发现随着扫描速率的增加,还原峰电流与氧化峰电流都在增大,而且氧化峰与还原峰之间电位差增大;修饰电极对于其他不同的电解液进行测试,获得不同的循环伏安曲线。     

用于大气环境中的氮等离子体枪放电特性及束流强度

为将等离子体用于材料表面局部处理的研究,对自行设计的一种用于大气环境中的辉光放电氮等离子体枪的放电特性和束流强度进行了实验测量和理论分析,得出了放电伏安特性曲线和气流量对枪炬工作电压电流的影响,分析了其原因,并给出了拟合解析方程式,发现工作电压和工作电流分别与气流量成e 指数增长和e 指数衰减关系;同时得出了该等离子体枪束流先膨胀后收缩特征分布,在束流喷出5mm处达到最大作用面积,找到了得到最佳强度气流量值0 2m3/h,给出了有关的机理分析,进而得出制备样品的最佳条件·