蒙特卡罗方法在中子测井屏蔽中的应用

利用蒙卡罗方法模拟研究了在套管中子测井条件下，铜、银、含硼聚乙烯（含10％B4C聚乙烯）、钨、镉、铝不同厚度对中子的屏蔽效果．以及中子源到屏蔽层距离对屏蔽效果的影响。结果表明：用不同屏蔽材料对中子进行屏蔽，得到的中子能量分布相差很大。相同厚度下，银做屏蔽材料时．总中子和小于0．1MeV能量范围内的中予计数最小，钨在14MeV～0．1MeV中子能量区的计数最小.     

抑制计算机信息泄漏的屏蔽技术

电磁辐射是造成计算机信息泄漏的重要因素，如何提高电磁屏蔽效能是解决电磁辐射的重要技术之一．本文中根据屏蔽技术理论分析了常用屏蔽材料的电磁性能特性，经对金属铁和锡的屏蔽效能的分析计算，选择了对电磁波具有良好反射损耗性能的金属锡薄膜和具有高吸收损耗特性的金属铁，制做了铁镀锡薄膜屏蔽机箱以进行屏蔽试验，试验在广州市国家日用电器检测所EMC认证中心的微波暗室进行．结果表明，厚度仅为0．18mm的铁镀锡膜屏蔽机箱，就能高效抑制计算机电磁辐射，有效防止计算机的信息泄漏．     

屏蔽氢离子模型的理论研究

本文对屏蔽氢离子模型作了探讨，对国内外常常采用的Mayer屏蔽模型、R．More屏蔽氢离子模型、以及作者在R．More模型基础上给出的改进的屏蔽氢离了模型作了比较。     

关于两个屏蔽常数σ及s的讨论

两个屏蔽常数σ及s引入的过程和表示的物理意义不同．它们分别反映了原子内部的电相互作用和磁相互作用．并体现了“内屏蔽”和“外屏蔽”的不同效应，因而对原子内部能量的贡献也就不同。     

用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料

阐述了用磁控溅射法制作电磁波屏蔽复合材料的工艺过程，对所制作的材料进行了屏蔽性能的测试和理论分析，给出了屏蔽效果与材料结构、膜厚等关系的定量说明．     

基于有源屏蔽层的高精度电阻检测电路设计

以聚焦离子束攻击和微探针攻击为主的侵入式物理攻击对芯片信息安全造成了严重威胁，有源屏蔽层作为安全芯片抵御侵入式物理攻击的第1道防线，由金属屏蔽层和完整性检测电路组成．金属屏蔽层用于遮盖安全芯片的关键模块及连接关系，完整性检测电路用于检测金属屏蔽层是否遭受攻击，二者相互配合来达到保护芯片内部敏感信息的目的．针对数字检测电路无法对重布线攻击进行检测的问题，基于GSMC130 nm1.5 V4P7M工艺设计了用于检测大面积金属屏蔽层固有电阻变化的电阻检测电路．该电路采用全差分处理架构提高了电阻检测精度，消除了温度漂移误差，同时实现了较低的功耗．基于特定的金属屏蔽层布线方案设计了电阻-电压转换电路，将金属屏蔽层固有电阻变化量转换为电压变化量，并设计了Delta-Sigma调制器和数字处理电路等，对电压变化量进行采样、量化、编码与比较．该电路实现了对包括重布线攻击在内的各类正面侵入式物理攻击的有效检测，提升了有源屏蔽层的防护能力．后仿真结果表明，该电路能对5 mm×5 mm的大面积金属屏蔽层进行电阻检测，能准确识别75 kΩ的金属屏蔽层电阻上发生的低至4Ω的微小变化，并产生高电平报警信号对芯片关...     

基于环路法的三维细孔缝电磁分析算法

导体屏蔽箱上的孔缝对屏蔽效能有非常重要的影响，而细孔缝的模拟一直是电磁屏蔽分析中的难点．研究了时域有限差分（FDTD）法的三维细孔缝模拟问题，推导出基于环路（CP）法的三维细孔缝仿真算法．在不同孔缝宽度模型下，分别利用细化网格和容性细孔缝（C-TSF）2种算法验证三维CP细孔缝模型的精度和适应性．结果表明该CP模型在缝宽较大时精度较好，和C-TSF算法相结合在分析细孔缝电子机箱屏蔽问题时避免使用细化网格．     

地磁场对彩色显像管的影响及减小方法

根据世界地磁图,计算了单个运动电子的全球受力分布,得出地磁场对彩色显像管具有不可忽视的影响;为减小地磁的影响,提出了一种有效的屏蔽措施,其屏蔽机理是利用铁磁材料的高磁导率对地磁场进行磁分路．此外,就屏蔽效果与现有的屏蔽方式作了对比分析．结果表明,采用该措施,地磁场影响明显减小．     

稀薄等离子体对多极子的屏蔽

本文分析了稀薄等离子体对多极子的屏蔽，导出了多极子的电势在稀薄等离子体中的屏蔽因 子，并给出了多极子势在无界的稀薄等离子体中的格林函数．最后，就稀薄等离子体对偶极子势 和四极子势的屏蔽作了讨论．     

核酸的分子静电势（Ⅱ）──阳离子屏蔽对B－DNA静电势的影响

本文讨论了Ｂ－ＤＮＡ双螺旋中磷酸根受Ｎａ、ＣＨ３ＮＨ３、Ｍｇ２＋等阳离子屏蔽时，对其分子防电势所产生的影响．将这些因离于屏蔽Ｂ－ＤＮＡ而引起的嘧啶、嘌呤碱基的亲电位置上势极小值的影响进行了比较．通过与未受屏蔽的情况的对比，发现阳离子的屏蔽可影响势极小值．     

木星轨道卫星深层介质充电电势仿真研究

采用GEANT4-RIC方法, 对处于木星轨道的星用电路板FR4 (环氧玻璃布层压板)介质和电缆PTFE (聚四氟乙烯)介质的充电过程进行模拟研究, 计算不同接地状态、不同介质厚度和不同屏蔽层厚度条件下, 介质内部的充电电势。研究结果表明, 介质充电电势与介质接地方式密切相关, 双面接地可以大大降低介质的充电电势; 使用薄介质以及增加屏蔽层厚度也是降低介质内部充电电势的有效方法。     

有介质圆柱时线电荷的电势及镜象电荷

首先给出真空中线电荷电势的级数表示，然后求出有介质存时空间的电势分布，并找出介质柱面下的镜象线电荷。     

平面介质靶周围离子体鞘的特征

该文研究了在等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）中介质材料（高聚物、半导体等）为被注入对象时,其周围离子体鞘的扩展厚度和电势特征。在常规应用中,薄介质材料的厚度和相对介电常数对离子体鞘的厚度和离子集群势能分布及大小影响不大。因此在现有的等离子体处理、沉积、聚合、刻蚀等设备中都能方便地引入ＰＩＩＩ方式。     

高介电常数CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料的研究现状

CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料因具有反常的高介电常数以及优异的温度稳定性而显示出广泛的应用前景.介绍了CCTO陶瓷材料的晶体结构、制备方法、介电性能和微观介电机制,综述了CCTO陶瓷材料的介电性能改性方面的研究现状.     

掺杂对YNbO4介电常数的影响

铌酸钇（YNbO4）是一种潜在的微波介电陶瓷材料。文中研究了CaF2掺杂量对YNbO4陶瓷介电常数的影响。研究发现，烧结温度和CaR掺杂量过高或过低都不利于陶瓷介电常数的提高，只有在烧结温度和CaF2掺杂量适中时才可能得到较高的介电常数。     

介质球模型中2n极子电位的解析解

根据脑电图EEG的低频特性和生物组织的电特性,利用电介质的介电常数的色散与元电流角频率的关系,得出介质球模型中极子电位的解析解,对脑电问题的研究提供了基础。     

介电量子阱中激子的Stark效应

在考虑像势影响的情况下，利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能，得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线，我们发现：考虑像势影响对激子结合能及其Ｓｔａｒｋ效应的修正是很有意义的，而且自像势和互像势对Ｓｔａｒｋ效应的影响是相反的。     

涂覆石墨烯的电介质纳米盘的表面等离激元回音壁模特性

提出涂覆单层石墨烯的电介质纳米盘结构,并利用有限元方法数值解析这种纳米结构的表面等离子激元回音壁模的电磁场特性.计算并分析品质因子(Q值)、模式体积随着电介质纳米盘半径大小、石墨烯化学势和谐振频率的变化规律.结果表明:当纳米盘的半径为5 nm,石墨烯化学势为0.9 eV时,其品质因子高达195,对应模式体积小于2×10^-7(λ₀/2n)³.     

Effects of heavy metal on dielectric properties of E. coli revealed by dielectric spectroscopy

Dielectric spectroscopy of E. coli cell before and after exposure to heavy metals Cd^2＋ , Cu^2＋ , Zn^2＋ and Ca^2＋ was investigated. The results indicate that changes in dielectric spectra reflect effects of heavy metal on the structure and function of E. coli cells. Heavy metal can change membrane capacitance as well as pennittivity and conductivity of the cytoplasm. Changes in volume fraction suggested that dielectric measurement could monitor the growth of E. coli cells. These results demonstrated that dielectric spectroscopy was a potential effective technique for studying electric properties of biological cells.     

Soft-mode hardening in SrTiO3 thin films

Understanding the behaviour of the dielectric constant in ferroelectric thin films remains a challenging problem. These ferroelectric materials have high static dielectric constants, and so are important for their applications in high-storage-density capacitor structures such as dynamic random access memory (DRAM). But the dielectric constant tends to be significantly reduced in thin films, thereby limiting the potential benefit of ferroelectrics for memory devices. Extensive studies have shown that this phenomenon could be caused by a 'dead layer' of very low dielectric constant between the ferroeletric film and the electrode. And, although very few direct measurements are in fact available, it has been recognized that the lattice dynamical properties in the thin films should also play a key role in the reduction of the dielectric constant. Here we report far-infrared ellipsometry and low-frequency dielectric measurements in SrTiO3 thin films, which demonstrate that the Lyddane-Sachs-Teller relation between the optical-phonon eigenfrequencies and the dielectric constant is fully maintained, as is the case in the bulk material. This indicates that the dramatic reduction of the dielectric constant is a consequence of a profound change of the lattice dynamical properties, in particular of the reduced softening of its lowest optical-phonon mode. Our results therefore provide a better understanding of the fundamental limitations of the dielectric constant values in ferroelectric thin films.