俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。     

利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位

为研究介质材料二次电子发射过程中表面电位的测量手段及相关规律,以拒斥场会影响二次电子出射为基础,提出了能够原位测量介质材料表面电位的探针法。首先,利用专业电磁仿真软件对探针法原理进行了研究,计算了探针附近电位分布和探针偏压对二次电子发射系数的影响曲线,此曲线拐点处对应的探针偏压即为样品的表面电位;其次,用铜样品进行了实验研究,验证了探针法测量样品表面电位的可行性;最后,将探针法应用于介质材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),对其表面电位进行了实验测量和研究。结果表明:栅网偏压和入射电子能量对PMMA表面电位有直接的影响,PMMA表面电位总是高于栅网偏压,两者呈线性关系;随着入射电子能量的增加,PMMA表面电位呈现先升高后下降的趋势。实验结果与理论分析相一致,验证了探针法测量介质材料表面电位的可行性。该方法操作简便、成本低廉,而且实现了原位在线测量,减小了实验中的不稳定性,对介质材料二次电子发射机理的研究有一定的参考价值。     

三探针法诊断射频低压等离子体电子平均能量

研究电子能量非麦克斯威分布且存在射频干扰下，用三探针诊断低压等离子体电子 平均能量的方法．计算了三探针的理论特性曲线并求得了确定电子平均能量的表达式； 提出了估计电子能量分布特征指数的近似方法：对射频低压氮等离子体，测得了三探针 及双探针的伏安特性曲线，并由此求得了电子平均能量．理论和实验表明．在确定电子 平均能量时，考虑电子能量分布偏离麦克斯威分布的影响是十分必要的。     

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔及法氩离子束刻蚀技术制作 １２８＊１２８元面阵硅场发射器件。采用扫描电子显征购 间和表探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微阵列的表面向一结构形貌特点。     

电子回旋共振等离子体静电探针诊断技术研究

采用Langmuir静电单探针和双探针诊断技术对微波电子回旋共振(ECR)装置产生的低温低气压氮气等离子体进行诊断.测量了等离子体密度随微波功率,轴向距离,径向距离的变化关系以及电子温度随轴向距离的变化关系.采用3种不同理论计算等离子体密度;分别采用单探针与双探针测量电子温度.结果表明,由饱和电子电流计算得到的电子密度与由受限轨道理论计算得到的电子密度相一致,约为1×1010/cm3,而由饱和离子电流计算得到的电子密度在2×1010/cm3左右;由单探针测量的轴向电子温度最高可达7 e V,而双探针的测量值最大仅为4.5 e V.越靠近离子源处,这一差异性越明显.然后引入Langmuir受限轨道理论对这些差异现象进行分析,提出电流分离的思想,将电子电流与离子电流分离,证明了受限轨道理论在ECR等离子体中的适用性.通过利用电流分离思想除去离子电流的方法得到负偏压部分的电子电流,解决了使用单探针测量电子温度时直线部分不明显的问题.     

探针电流调制法在射频低压等离子体诊断中的应用

应用探针电流调制法设计的三探针用于诊断无内电极放电的射频低压等离子体中的电子能量分布函数。测量了氮气等离子体在压强为０．１３～１３Ｐａ时的电子能量分布函数。由此得到的电子平均能量，与由探针Ｖ－Ｉ特性计算得到的电子平均能量相差不超过５％，证明了本测量系统的可靠性。     

鱼类鳗弧菌6种毒力基因探针氨基玻片制作条件的初步构建

本文用玻璃作为片基,对其进行氨基修饰,将鳗弧菌6个毒力基因的寡核苷酸探针用微量移液器点样于氨基玻片表面,制备探针氨基玻片。制备好的探针玻片与6个毒力基因的地高辛标记的PCR产物进行杂交。本实验初步构建了探针氨基玻片的制备方法,同时实验结果还表明在PCR产物的标记及检测方法上仍然需要进一步的研究。     

电泳在核酸纳米探针中的研究进展

近年来,核酸纳米探针的应用日益广泛,核酸纳米探针的分离表征手段的研究也得到了迅速发展,其中发展最快、应用最多的是电泳法,该方法已成为研究核酸纳米探针表面电荷和表面形态表征的主要手段之一。文章主要介绍了凝胶电泳法分离核酸纳米探针的原理,以及表面电荷对电泳分离过程的影响,评述了电泳方法在核酸纳米探针表征中的应用,并对前景进行了展望。     

AgI-Ag_2O-B_2O_3三元系非晶银快离子导体中的银沉积

运用电子探针显微分析(EPMA)技术,能有效地研究快离子导体中的金属沉积问题。电子探针是一束聚焦很细的电子束,用以轰击试样,由于探针的电子注入到试样表面,形成负电位,使得快离子试样中的阳离子在电场作用下向电子束注入轰击点迁移、集中,与电子中和后转变为金属原子。当这些析出的原子在传输过程中受到阻碍时,可能在材料表面积累或     

聚集态铑纳米粒子的制备及表征的初步研究

在水溶液中用抗坏血酸还原三水合氯化铑得到了形状较均一的聚集态铑纳米粒子．高分辨扫描透射电镜结果显示，该聚集态铑纳米粒子尺寸约为20nm，是由数十个平均粒径为4nm的小纳米粒子聚集构成．将聚集态铑纳米粒子分散到玻碳电极表面上，进行了电化学和表面增强拉曼散射（SERS）表征．以CO作为探针分子的SERS实验结果显示该聚集态的铑纳米粒子具有较高的SERS活性，并且聚集态铑纳米粒子的电子性质与粗糙Rh电极存在差异．     

离层充填减缓地表下沉效果评价的神经网络模型

在覆岩离层范围内高压注浆可减缓地表沉降程度。本文采用人工智能中的神经网络方法，进行了地表减沉效果评价的根据实测资料，验 地表下沉效果评价神经网络模型分析的结果。     

用剩余反射计算法推导双球腔黑体的辐射率公式

本文利用剩余反射计算方法推导出了双球腔黑体炉的等效反射系数和辐射率计算公式,根据计算结果,设计了JD-5型双球腔黑体炉,其黑体的黑度大于0.999。     

当归属及其邻近属果实特征的数量分析

本文用数学方法分析了当归属及其邻近属15个种的果实特征.方差分析表明,果实的形状。如果(?)的相对厚度和果棱的相对宽度,尽管存在着种内差异,在属和一些种的分类中很有价值.典型变量分析同时分析各类群的各个变量,本文用此法分析了双悬果的六个外部形态特征(均为数量性状),结果比单个变量分析更令人满意,根据果实的12个形态解剖特征,分别为各种绘制了多边图.结果表明,山芹属、柳叶芹属、古当归属(包括高山芹属)和狭义当归属的果实相互间差别比较明显.高山芹属和古当归属的果实几不压扁,中果皮发达但部分解体,故与当归属不同;但这两个分类群之间的界限并不明显.     

菱形性质◇的推广

本文把集合论中著名的菱形性质◇做了两种推广,即(?)和(?)．用力迫方法证明了它们分别相对于ZFC协调．还证明了,(?)在Godel可构成模型L中也成立。     

S-粗决策及其F-干扰生成

针对动态决策系统具有的干扰特性和决策的不确定性,利用双向S-粗集提出了F-干扰粗决策与F-干扰粗决策规律的概念,并对F-干扰粗决策生成与F-干扰粗决策规律生成的特性进行了讨论,给出了F-干扰粗决策规律不可分辨定理与识别准则和应用.通过讨论和应用,说明利用F-干扰粗决策规律有助于在动态决策系统中分辨-识别出异常干扰,修正系统做出的决策,保证决策的安全.     

电位移矢量■与电荷分布的关系

本文从矢量场■的散度,旋度相联系的矢量恒等式导出电位移矢量■不仅与激发电场强度■的自由电荷分布有关,而且与束缚电荷的分布有关。并得出电位移矢量■=ε■的适用范围。     

K-Suslin树同ZF+┐AC的协调性问题

本文研究K—Suslin树(K>ω_1)同ZF+┐AC的相对协调性问题。证明了这样的结论:“存在K—Suslin树+ZF+┐AC”(K>ω_1且为后继基数)相对于ZF系统是协调的。证明方法是在ZFC的一个可数传递模型M(M中存在K—Suslin树T)和其generic扩张M[G]之间构造一个模型N,即M(?)N(?)M[G],使得在N中T仍为K—Suslin树且N(?)+ZF+┐AC,于是便有N(?)存在K—Suslin树+ZF+┐AC。该问题的证明过程中主要采用了力迫法。     

组合Kdv方程的强对称、对称及其Lie代数

本文给出了mKdv 方程与组合Kdv 方程之间的一个变换,并利用变换与对称的关系得到了组合Kdv 方程的一个强对称(?),四组对称(?),(?)和(?),(?),以及(?),(?)所满足的Lie 代数关系。     

刀具加工中机床调整精度分析

本文通过对万能工具铣床加工可转位刀具刀片槽的理论分析和计算机辅助分析，总结出由于加工过程中理论计算和实际调整过程中的舍入误差，三向回转工作台的制造和调整随机误差的存在而导致的刀具角度实际加工后的误差变化规律，同时指出了刃倾角、前角和主偏角选择对实际刀具角度的误差影响，给出了计算机辅助分析的数据和图形，供有关方面参考。     

半序模的 O-张量积与自由 f-模

在假定R是全序Ore环,M_1、M_2是R 上的半序模,M_1■M_2 是模M_1、M_2的张量积,M_1■M_2是平凡序半序模M_1与半序模M_2的O-张量积,F_(M_1■M_2)是平凡序半序模M_1■M_2上的自由f-模的情形下,本文证明了F_(M_1■M_2)=M_1■_0M_2.