影响X射线探伤试验结果评定的因素

作为无损检测的主要方法之一的射线检测技术由于具有可自我监控检测工作质量和检测技术正确性的特性,已成为重要和广泛应用的无损检测技术。为了对材料缺陷进行正确客观的评价,对射线底片的处理和分析尤为重要。为此我们需要对影响X射线探伤试验结果评定的因素进行了解。     

某公司X射线探伤室辐射防护屏蔽计算

为防止工业X射线探伤作业过程中对探伤操作人员及不接触射线工作人员(公众)造成不必要的照射,针对具体项目情况阐述辐射防护屏蔽设计及计算,从探伤室的平面布局、排风、电缆走线等不同侧面构筑了探伤室完整的防护体系。本文以新建X射线探伤室辐射防护设计为主要内容并结合项目情况具体分析。     

X射线机40-300kV管电压下对绝缘油带电倾向性影响的研究

为了将X射线数字成像技术应用在电力充油设备无损检测领域,需要对该项技术的安全性进行可行性研究,以确定X射线辐射对充油设备中的绝缘油有无影响以及具体影响程度。因此提出了利用不同管电压下的X射线对变压器绝缘油进行定时间的照射试验。给出了该项试验的具体方法和试验后得出的重要结论。试验分析结果表明X射线对变压器油的带电倾向性具有较为明显的影响。该项研究对今后X射线数字成像技术在电力充油设备检测领域的应用提供技术支撑。     

压力容器射线探伤新技术探究

压力容器在制造过程中有大量的焊缝,射线探伤是压力探伤最权威的方法,具有穿透力强、可以实现产品的非接触式无损探伤等优点,因而被广泛地应用与压力设备的无损检验。本文从计算机数字技术角度分析现代压力容器射线探伤的新技术,对发展射线探伤的新技术进行研究。     

X射线无损探伤技术在检测输电线路压接金具中的应用

从理论上分析了X射线无损探伤技术应用于输电线路中的可行性,并通过现场X射线检测和拉力试验,明确了不同的缺陷情况,为采用X射线检测金具压接质量提供了可靠依据.研究结果较好地解决了输电线路中耐张线夹压接金具质量检测手段单一且不直观的问题,证明X射线无损检测可以很好地应用于输电线路压接金具的质量检测中,可为输电线路耐张压接金具的缺陷处理提供指导意见,对输电线路的安全稳定运行有着十分重要的意义.     

脉冲电视热成像无损探伤装置的研制

介绍我们研制的国内首台脉冲电视热成像无损探伤装置及该技术的基本原理和检测方法．利用该装置，对不同材料的试件进行了探伤研究，给出了探伤结果     

对电缆内部缺陷无损探伤的研究

用Ｘ射线透射原理来探测高压电力电缆内部缺陷，在国内是一种新的尝试，试验证明，这种探伤对电缆本体不存在任何破坏，属无损探伤，可以有效地发现电缆中的集中性缺陷，而以地分散性缺陷，尚不易判断，随着Ｘ射线对电缆不同材料不同厚度穿透率的掌握，以及实验技术的不断完善，这种无损伤解决范围将日益扩大，其在电力系统中将会有广阔的应用前景。     

重视X射线的卫生防护

X射线它具有波长短、穿透力强、莹光作用、摄影作用及生物效用等特征.根据特性工业上用于探伤检测金属焊接质量及金属结构情况:医学上用于特征:通过透视、摄片、照射等手段方法,对人体内部器客进行诊断及治疗工作.因此,X射线在工业及医学上所起到的作用是巨大的.但是,X射线射入人体后被吸收产生的生物效应对人体有损害,损害的程度随吸收剂量而定.一般来说,过小剂量对人体无大损害,大剂量可导致组织细胞破坏及血液系统方面的病变.因此做好X射线的卫生防护工作是医务工作者至关重大的研究课题.本文就工业X射线探伤的卫生防护,医用X射线正确使用及防护以及X射线辐射可能引发的临床症状及诊断进行了分述.目的是减少和避免射线对人体的损害,使其发挥更好效能.     

某企业新建工业X射线探伤室的辐射防护评价

根据辐射防护基本原则及相关国家标准,对某企业新建工业X射线探伤室的屏蔽厚度进行了计算,得出其设计的屏蔽厚度满足辐射防护的要求。并通过现场检测,得出该企业X射线探伤室屏蔽墙外30cm处空气吸收剂量率满足《工业X射线探伤放射卫生防护标准》（GBZ117-2006）中不大于2.5μGy/h的要求。从而给出了一种工业X射线探伤室的辐射防护评价方法。     

基于无损探伤的高精度电路板缺陷检测系统

为了实现电路板焊盘、焊点焊接情况的快速缺陷分析,采用无损探伤技术结合大比例成像结构设计了高精度电路板缺陷检测系统.系统由X射线机、MV-M1000型高分辨率图像采集卡以及MN39750PA型CCD探测器构成,在分析了无损探伤基本原理的基础上,设计了大比例电路板成像结构,并提出了累计采样降噪算法.针对存在焊接问题的电路板进行实验,实验结果显示:通过无损探伤系统可以清楚地观察电路板的焊接情况.经光学系统计算分析可知,对缺陷的检测精度可达30 μm,可以有效地满足工业应用等的设计要求.     

三种植物绝缘油的理化与电气性能的比较

植物绝缘油是一种闪点高、环保型的液体电介质,是矿物绝缘油优良的替代品.试验采用转基因菜籽油、转基因花生油和棉籽油等3种基础植物油制取植物绝缘油,研究了植物绝缘油制取方法,深入分析了植物绝缘油的物理、化学性能以及工频击穿电压、介损、介电常数、体积电阻率等电气性能.通过对油品的各项性能指标进行比较,认为三种植物绝缘油中单不饱和脂肪酸支链含量最高的菜籽绝缘油的综合性能最佳.     

氧化铜陶瓷的高介电性

采用固相反应法制备了氧化铜(CuO)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定CuO陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明CuO陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。     

亚硝酸钠多晶与粉末中铁电相变的研究

对NaNO 2粉末与多晶材料的复介电常数随温度的变化情况进行了讨论,并研究了其铁电相变过程.结果表明：1）高温（420K以上）低频（100Hz以下）条件下,NaNO2粉末及多晶材料复介电常数的变化主要是由离子扩散引起的.而高频（105Hz,106Hz）复介电常数实部的值在相变温度附近基本与频率无关,能够反映材料的极化和结构信息.2）在443K～450K范围内, NaNO 2粉末样品的激活能U为0.70eV,NaNO 2多晶的激活能U为1.58eV,NaNO 2多晶的激活能要大于NaNO2粉末的激活能,这说明NaNO2粉末与多晶中离子扩散可能起源于材料的本征缺陷.3） NaNO2粉末中铁电相变在复介电常数曲线上的表现比NaNO2多晶明显;临界温度Tc以上437K至440K范围内,NaNO 2多晶的复介电常数实部随温度的变化曲线偏离居里-外斯定律,说明该铁电相变过程中存在反常现象,这一现象与NaNO 2单晶的结果相吻合.     

非铁电性巨介电材料CaCu3Ti4O12的研究进展

目的综述介电材料CaCu3Ti4O12(CCTO)研究的新进展,提出本研究领域需要进一步深入的方面,并在此基础上分析其发展前景。方法在介绍CCTO相结构的基础上,对其巨介电机制模型、制备方法、掺杂改性及其复合材料的研究进展进行总结。结果根据CCTO巨介电机制模型,设计新的巨介电材料或者复合材料,进一步降低其介电损耗,开发该类巨介电材料的应用新领域。结论 CCTO陶瓷具有巨介电常数及优异的温度稳定性,进一步降低其介电损耗将有很好的应用前景。     

绝缘油击穿电压实验研究

利用第3代SY型便携式绝缘油耐压试验仪,测定在不同温度、水分和机械杂质下,绝缘油介电强度的变化。结果表明：温度的升高能使绝缘油的击穿电压增大,当温度达到一定的时候,击穿电压开始下滑;而油中水分、机械杂质的增多,会使油液击穿电压有较明显的下降,因此在绝缘油运行前应该注意防潮、去杂。     

无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

金属粒子/绝缘油体系的力学性质

推广基于多极展开原理的Rayleigh 方程研究具有绝缘外层的金属粒子和绝缘油所组成的理想电流变体系的力学性质,计算了体系的有效介电常数. 基于颗粒链模型, 研究体系剪切应力随剪切角的变化关系,计算了体系的剪切模量.     

介电常数对一维等离子体光子晶体色散关系的影响

为深入研究介电常数对等离子体光子晶体性质的影响,本工作从Maxwell方程出发,采用类似于量子力学Kronig-Penney模型求解周期势的方法,对一维等离子体光子晶体介质层介电常数对能带结构的影响进行了讨论.研究发现:介电常数的大小对等离子体光子晶体的禁带宽度和能级位置均具有重要影响.随介电常数的增加,等离子体光子晶...     

相同放电面积不同边界介质阻挡放电

利用对介质阻挡放电装置,在放电电极上覆盖上相同面积不同边界的绝缘介质,观察它的放电的特性,对其放电模式及放电产生的等离子体重要参数电子激发温度进行了记录与计算.实验结果表明:由于放电具有相同的面积,导致间隙间的电容值相同,所以导致击穿电压、放电的模式、放电产生等离子体中的电子激发温度基本相同.     

Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.