A1/Ge双层膜退火过程中多中心晶化生长的模拟

对 a-Ge/Al 双层膜在退火过程中出现的分形晶化现象进行了模拟研究。结果显示,各团簇的生长呈现出各向异性。分形晶化是随机相继触发形核的结果。这种多中心分形晶化图形显示出多重分形特征,用盒计数法得到了模拟图形的多重分形谱。     

Al—Ge共蒸膜晶化现象的TEM研究

本文对三种不同Al原子百分比的Al—Ge共蒸膜进行了透射电镜观察研究,实验表明:a—Ge的晶化行为敏感地依赖于共蒸膜中Al原子百分比及退火温度,分形结构的出现是由于温度场控制的随机逐次成核机制作用的结果。     

a—Ge/Au双层膜中单分形团族的Monte—Carlo模拟

本文用 Monte-Carlo 方法模拟了 a—Ge/Au 双层膜中单中心分形生长过程。模拟图形与实验结果一致说明实际的晶化生长是由随机逐次成核过程决定的。多重分形谱能定量地表征单生长中心晶化图形。     

Al—Ge共蒸膜晶化过程的计算机模拟

本文对Al—Ge共蒸膜中分形晶化的过程进行了计算机模拟研究。结果表明:分形晶化过程中晶核长大效应明显影响分形体结构。在较高Ge原子百分比共蒸膜中晶化时释放出的较多的晶化潜热以及在较高的退火温度时具有的较高热激活能都促使晶核长大。     

a-C∶H/KCl复合膜晶化凝聚模型及凝聚物标度不变性的计算机模拟研究

基于红外分析结果,本文提出一个 a-C:H/KCl 复合膜 a-C:H 层非平衡晶化凝聚的模型,并做了计算机模拟研究。模拟图形为具有良好的标度不变性的链环状分形,其分数维值为1. 81±0. 03。模拟结果表明,当图形密度变化时,所得分雏值不变,但标度区的范围随密度增大而变宽。     

非晶碳氢膜晶化学分形体密度簇模拟

在非晶碳氢膜非平均凝聚分形计算机模拟的系列工作基础上，模拟了密度族，这有益于对非晶碳氢膜晶化机制的进一步和开发利用。     

在Fe-Zr-B-Nb非晶合金中B含量对晶化温度的影响

用快冷法制备了Fe91-xZr5BxNb4（FZBN）合金，当5≤x≤30时，样品为非晶态，研究了B含量对非晶合金晶化的影响，当x≤20时，FZBN非晶以一次品化的模式晶化；当20〈x〈30时，以共晶模式晶化；当x=30时，以多晶模式晶化，晶化产物为具有立方结构的Fe-Zr-B-Nb合金相，随着x的增加，FZBN非晶的晶化温度（Tx）增加，当x〉20时，由于晶化模式的改变，Tx突然迅速增加。     

纳米SiTi3材料的制备及相演变过程

利用机械合金化方法制备Si－Ti合金时，发现样品经历了一个固溶→非晶→晶化的过程；X射线衍表明，晶化后的样品为首次发现的新相；利用计算机进行理论模拟，确认这个新相是具有立方结构的金属间化合物SiTi3，给出了其结构示意图，对SiTi3的相演变过程及反应机制进行了探讨。     

机械诱发非晶Finemet合金的纳米晶化

利用X射线衍射（XRD）研究了高能球磨条件下非晶Fe73．5Cu1NB3Si13．5b9合金的机械诱发纳米晶化过程，并根据化学成分偏聚、局域高压、局域高温以及Johnson-Mehl-Avrami（JMA）晶化动力学模型解释了纳米晶化的过程和机制．研究结果表明：非晶Fe73．5Cu1Nb3Si13.5B9合金机械诱发纳米晶化的产物为复杂的α-Fe固溶体和稳定的Fe2B金属间化合物，α-Fe固溶体相晶粒尺寸为2．0-6．5nm，其纳米晶化过程和晶化产物是由化学成分富集、碰撞引起的局域高压和局域高温共同作用的结果；机械诱发纳米晶化过程中的Avrami指数n=1．59，动力学反应速率常数k=0．1287h^-1，表明机械诱发纳米晶化过程中形核机制为均匀形核，晶粒生长机制为从小尺寸晶核开始的三维生长．     

Al_(88.5)Y_(6.5)Ni_5非晶的晶化过程研究

本文采用单辊法制成了Al_(88.5)Y_(6.5)Ni_5(at-％)合金非晶薄带,用DSC法及X-射线衍射法研究了该非晶合金的晶化过程,测定了晶化过程中各种反应的温度,计算了各阶段反应的激活能。研究表明,加热速率为20K/min时,该非晶合金的起始晶化温度及晶化峰值温度分别为453K及469K;起始晶化激活能及晶化峰值激活能分别为168kJ/mol及163kJ/mol。由于该非晶合金具有较高的晶化温度及晶化激活能,表明其具有较高的热稳定性。