用转移电导计算BJT放大电路的电压放大倍数及对该问题的思考

BJT放大电路在静态电流较小时可以用转移电导计算其电压放大倍数。文中通过理论分析给出几种基本组态的BJT放大电路用转移电导计算电压放大倍数的公式,并通过实验实测出的电压放大倍数与理论计算出的电压放大倍数完全一致。因此可以引出在一定条件下把BJT也能看成是电压控制器件的结论。     

环形腔吸收型光学双稳器件的静态研究

本文以二能级均匀展宽原子系统的 Maxwell—Bloch 方程的静态解为基础,对环形腔吸收型光学双稳器件作了较全面的静态研究。推导出了此器件具有光放大性的条件和光放大区的范围,求出了此双稳器件差分增益的最大值,及此时的归一化入射光强和透射光强,并推导出了此器件差分增益最大值随合作参数的变化规律。同时,证明了这一器件不可能作为光强稳定器。     

PSD在汽车悬架稳定度主动控制中的应用

介绍了一种采用新型位敏器件 PSD、专用集成电路和由单片机控制的智能型汽车车身主动减震控制装置。该装置能大大提高汽车行驶过程中的平稳性 ,同时又具有较高的抗干扰能力和易实现等优点。该装置具有很大的市场应用前景     

PSD在汽车悬架稳定度主动控制中的应用

介绍了一种采用新型位每器件PSD、专用集成电路和由单片机控制的智能型汽车身主动减震控制装置.该装置能大大提高汽车行驶过程中的平稳性、同时又具有较高的抗干扰能力和易实现等优点.该装置具有很大的市场应用前景.     

高增益S波段相对论速调管的3D研究

在相对论速调管放大器的研究，非工作模的激发是影响器件正常工作的一个重要因素，尤其是高增益情况，这些非工作模在实际结构中还包含非对称模式．同时在相对论速调管放大器的结构中，其输入和输出部分不可避免地要引入3D结构，因此依据2D理论或2DPIC模拟得到的结果不能满足实际结构的实验需要．论文依据2DPIC设计的高增益s波段相对论速调管放大器模型进行3D研究，研究了输入、输出部分中3D结构对束波互作用的影响，通过3DPIC模拟排除了2DPIC模拟中不能反映的非对称模式的影响，验证了3D冷腔分析结果，实现了2DPIC的模拟结果：电子束参数为流强5kA、电子能量600kV，注入微波功率0．88kW、模拟微波输出功率0．57GW，相应增益为6．48×10^5．     

VDMOS器件击穿特性研究

本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在ｎ／ｎ＾＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结果，进行比较，二者吻合的很好。     

小尺寸MOS场效应管弱反型饱和特性

考虑到小尺寸ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）场效应管耗尺区电荷和空间电荷的减少，推导出了小尺寸ＭＯＳ场效应管弱反型漏极电流的解析表示式，用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象，理论与实验符合得较好，本文结果可用于集成电路的计算机模拟设计中。     

平板型荧光显示基元伏安特性理论计算的探讨

研究平板型荧光显示器件的伏安特性对于器件的正确使用和合理设计具有重要意义。分析电子管伏安特性３／２ 方定律的立式条件而明确其适用范围。针对采用丝状阴极的结构特殊性，对３／２次方定律的基本关系式修理，得出等效二极管阳极电压、极间实际电压、渗透率、阳极有效面积等计算公式。     

基于MEMS的细长体非对称涡控制机理研究

目前，微机电系统（MEMS）作为致动器和传感器已被广泛应用于航空航天领域中。MEMS器件具有很好的功能性、集成性、可控性和鲁棒性等等。根据MEMS器件的特性，采用NS数值计算技术，对细长体在大迎角飞行状态下的非对称涡进行了气动控制。分析了MEMS器件控制流场的机理和将非对称涡转变为对称涡的流场控制机理，获得了MEMS器件控制流场特性的宏观效果。研究表明：MEMS器件对控制大迎角细长旋成体非对称涡和复杂流场具有良好的控制能力。     

结型器件基区少子有效寿命测量

从电荷动力学方程导出P~ NR或N~ PR窄基区和长基区非对称结在小注入电流脉冲结束后开路电压随时间衰减的关系式。此函数关系是窄基区杂质任意分布的普遍解。与以往的测量电路比较,在此工作中改进的测量电路扩展了少子有效寿命测量下限。     

与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

无触点开关在补偿装置上的运用研究

通过对电力电子器件组成的无触点开关组件在电路结构、开关特性以及构成等方面的分析,阐述了由无触点开关组件组成的低压电力无功补偿装置的主电路、保护电路、投切方式、电容的组合方式及负载特性.根据无触点开关组件的特点,对低压无功补偿装置的运用进行了分析研究.     

新型功率器件MCT的模拟与制造

介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4μs。     

利用GAL器件与ABEL语言实现 交通信号的自动控制

讨论了GAL器件的输出特性及ABEL源文件的基本结构.利用GAL器件输出特性和ABEL语言实现了在交通信号控制中的应用,并给出设计系统实例.     

3mm宽带波导结型隔离器

报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。     

波导E面T型耦合器的矩量法分析

用矩量法和并矢格林函数理论研究矩形波导E面缝隙T型耦合器的耦合特性。给出耦合参数随缝隙长度及倾角变化的数值结果。     

基于PLD功率因数补偿控制器的设计

随着大规模集成电路的发展,可编程逻辑器件(PLD,Programmable Logic Device)得到越来越广泛的应用。早期的功率因数补偿控制器多采用模拟电路来实现,在本设计中采用PLD和单片机组合方式实现功率因数补偿控制器,提高控制器的控制精度,重点设计了PLD的功能模块,借助MAX PLUSⅡ开发工具完成PLD部分的设计。通过各部分的功能仿真,以及最后系统的整体调试,验证了本设计是可行的。     

一种新型汽车前照灯参数全自动检测仪

介绍一种新型的以CCD 面阵器件作为探测器的汽车前照灯参数全自动检测仪.利用计算机数字图像处理技术,对远光灯的对准,近光灯的光型检测和照度测量分别进行了理论和实践探讨     

用光探针法测量表面复合速率

通过系统的研究分析,建立了应用光探针的光电（ＰＣ）测量方法,应用镜像法和点源产生近似原理建立了物理模型,并进行了系统的理论分析．导出了光电流与表面复合速率相应关系的计算公式,确定了可进行电量测量的实验装置．采用此方法,测量了台面型高压硅半导体器件的无机钝化和有机保护界面的表面复合速率．通过测量结果和计算结果的归一化比较,获得了其表面复合速率．