小尺寸MOS场效应管弱反型饱和特性

考虑到小尺寸ＭＯＳ（金属－氧化物－半导体）场效应管耗尺区电荷和空间电荷的减少，推导出了小尺寸ＭＯＳ场效应管弱反型漏极电流的解析表示式，用来描述漏极饱和电流随漏极电压上升而增大的现象，理论与实验符合得较好，本文结果可用于集成电路的计算机模拟设计中。