点缺陷对表面生长行为的影响

采用动力学重整化群方法,研究生长表面中存在的点缺陷对表面生长行为的影响,得到了相应的粗糙度指数X和动力学指数z,结果表明,点缺陷的存在会使生长表面粗化,并缩短达到稳定生长阶段的驰豫过程。     

反常弛豫的CuCl（110）表面电子态研究

采用考虑 d电子相互作用的spd紧束有闪矿结构的半导体（CuCl的体能带，用形势散射理论方法计算了驰豫的CuCl(110)表面电子结构，给出了表面投影带结构和表面波矢分辨的层态密度，计算结果表明，表面驰豫主要是表面层p-p和p-d的重新杂化而引起的。     

表面驰豫效应对界面区域CBED的影响

对Ａｌ２Ｏ３颗粒增强铝复合材料与Ｋ２ＴｉＯ１３晶须增强铝复合材料中的增强相／金属界面区域点阵位移场进行ＣＢＥＤ研究，并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算，结果表明：表面驰豫效应对晶须／铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著，而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决ＣＢＥＤ法测量界面应变场时遇到的表面驰豫效应问题是有意义的。     

存在弛豫效应时表面生长的重整化群研究

用重整化群方法分析了存在表面弛豫效应时表面生长的动力学行为,得到了相应的标应指数x与Z、弛豫时间＊的函数关系．结果表明,随着弛豫效应的增强,会使生长表面平滑化并有利于稳定生长阶段的形成．     

衬底表面生长Pb膜的量子尺寸效应及驰豫结构研究

项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响.这是当前凝聚态物理中两个重要方向———量子尺寸效应和薄膜驰豫结构的交叉点.到目前为止,还没有发现有人开展这样的工作.因此,该项目的研究必将会对凝聚态物理的发展产生一定的影响.     

铅超薄膜在砷化镓衬底上生长量子尺寸效应研究

用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Pb(111)超薄膜在GaAs(111)极性衬底表面上的生长过程中所表现的量子尺寸效应.研究了包括Ga截断和As截断的两种情况.研究结果发现薄膜体系的表面能、功函数和晶格驰豫随着Pb(111)超薄膜的厚度变化出现了强烈的双层振荡现象.和自由铅薄膜比较,其转折点的位置和周期的大小随着衬底及极性的不同有所变化,说明衬底电子遗漏可以在调控铅薄膜生长方面具有重要的作用.     

氯化铁［FeCl＿3·6H＿2O］样品的穆斯堡尔谱驰豫效应研究

本文利用穆斯堡尔谱技术，研究了ＦｅＣｌ＿３·６Ｈ＿２Ｏ样品的温度驰豫过程。随温度升高，驰豫频率加快，不对称双峰逐渐对称。四极劈裂逐渐减小，表明这一过程主要是由于顺磁自旋驰豫过程的作用，它不同于Ｇｏｌｄａｎｓｋｉｉ一Ｇａｒｇａｇｉｎ效应，由此可以区分电子顺磁自旋驰豫过程和ＧＯｌｄｓｋｉｉ一Ｇａｒｇａｇｉｎ效应。不对称线宽也可能由于样品厚度影响所致，但在本实验中可忽略这种效应。随温度升高，由Ｑ·Ｓ值突变可以判断相转点及物相转变点温度。     

铝(210)表面的LEED,AES研究

采用低能电子绕射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)的方法,研究了铝(210)表面的弛豫和表面结构。按多童散射理论,使实验测得的和计算的LEED谱有较好的吻合。结果表明:铅(210)表面的弛豫仲展至表面五个原子层,且垂直于表面的驰豫较平行于表面的弛豫显著得多。最后用静电模型对这些结果进行了讨论。     

铁电——驻极体复合材料的传导性和热电驰豫效应

研究了未极化的0—3模式、不同体积比的 TGS—PVDF 复合膜0℃至75℃的传导性和极化后的复合膜在0℃和30℃下的热电驰豫效应。发现复合膜中 TGS 与 PVDF 的耦合对复合膜的传导性和热电驰豫有影响,体积比约1∶1时影响较显著。复合膜的热电驰豫遵从 t~(1/2)规律,是空间电荷的驰豫效应。复合膜中耦合相实质上是组成复合材料的两相物质界面附近被束缚的局域空间电荷效应。     

驰豫型铁电体中极性微区之间的静电耦合与弹性耦合

根据静电场理论和弹力场理论，对驰豫型铁电体中相邻性微区之间的静电耦合能和弹性耦合能进行了计算，并以此为依据，分析了邻近性微区可能的极化取向。静电耦合效应与弹性耦合效应可以很好地解释在ＰｂＴｉＯ３固溶体中，随着Ｐｂ－ＴｉＯ３含量的增加，驰豫现象逐渐消失的原因。     

多原子分子材料的激光感生热致折射率光栅

从理论上研究了在多原子分子材料中,由激光感生的热致折射率光栅及其驰豫效应。并利用简并四波混频实验,观察了多原子分子液晶的热致折射率光栅和它的驰豫行为,讨论了有关的物理机制     

高于胶凝临界温度的明胶水溶液驰豫谱研究

在高于胶凝临界温度条件下，半稀明胶水溶液的动态光散驰豫存在三段驰豫过程，即驰豫时间小于５０μｓ的指数衰减过程、幂律衰减过程和伸展指数衰减过程。     

无规扩散类反应表面生长动力学行为

研究了无规扩散类表面生长的动力学和标度行为，研究了两种粒子（Ａ、Ｃ）在二维衬底上的聚集．当Ｃ粒子的几率ｑ＝０时，系统表现出泊松生长．当ｑ≠０时，表面表现出粗化的形貌特性，存在着粗化转变．对Ｃ粒子扩散步长以及扩散几率对粗化转变的影响也进行了研究     

驰豫型铁电体的新玻璃模型

对于驰豫铁电体与自旋玻璃、偶极玻璃的相似性已有大量研究，并以玻璃学中的Ｖｏｇｅｌ－Ｆｕｌｃｈｅｒ关系替代传统的Ｄｅｂｙｅ关系，用于描述驰豫型铁电体的介电行为。着重讨论驰豫型铁电体与自旋玻璃、偶极玻璃的差异性。并以此为依据提出了一个能更好地表征驰豫型铁电体介电行为的新关系。     

凝聚态物质驰豫：分维时间模型

本文提出凝聚态物质驰豫的一个简单的分维时间模型，理论研究表明，凝聚态物质内的反常驰豫是由于绝热近似遭破坏的结果，且需要引入三个不同时间标度描述间断驰豫过程替代连续驰豫过程．本文提出模型不仅能很自然给出持续指数型驰豫ｅｘｐ［－（ｔ／τ）β］，而且能解释实验中观测到β的标度行为．     

PVDF长时间压电弛豫的研究

研究经拉伸及极化处理的PVDF薄膜在室温附近的压电驰豫效应,发现在施力状态下及撤力后的自由状态下样品释放的电荷均遵守自由驰豫规律,考虑到PVDF与铁电陶瓷空间电荷分布的相似性,以及结晶高聚物的多相性,上述现象可以解释。     

强子物质输运系数的一种偿试性分析

应用相对论动力论方程研究高能重离子碰撞时空演化，采用驰豫时间近拟，推导出系统的输运系数和驰豫时间关系的解析式，并讨论了这些结果的意义。     

GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究

用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 ,形成共振表面态     

BT和PT成分变化对PZN基陶瓷结构及介电性能的影响

研究了ＢＴ、ＰＴ成分变化对ＰＺＮ基驰预铁电陶瓷的结构的结构和电性能的影响；ＢＴ具有良好的稳定钙钛矿相的作用，ＢＴ使居里点反常下降及驰豫性增强，ＰＴ则使居里点上升及驰豫性减弱。     

原子位置驰豫对ZnS（110）表面电子结构的影响

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果，利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，在此基础上，讨论了晶格驰豫对表电子特性的影响。