由Co^2＋和OH^—形成的移动化学反应界面实验的报道

进行了由Ｃｏ＾２＋和ＯＨ＾－形成的“移动化学反应界面”的实验。实验中，观察了界面移动速度（μｔｈｅ＾αβ）对比。通过改变Ｃｏ＾２＋和ＯＨ＾－的浓度和反应管中电场强度等参数，总共完成了２６次实验。统计分析表明：μｏｂｓ＾αβ和μｔｈｅ＾αβ的相关系数是０．９９７，μｔｈｅ＾αβ和μｏｂｓ＾αβ之间的线性回归方程是μｔｈｅ＾αβ＝１．０４４μｏｂｓ＾αβ＋０．１３６。结果显示：实验观察的界面移动速度（     

Hn^＋离子的产生和鉴别

作者从高频离子源产生的离子束中，分析证实存在Ｈ４＾＋和Ｈ５＾＋的团族离子，对１．８ＭｅＶ的Ｈ４＾＋和Ｈ５＾＋信号的能谱测量表明，它们极容易分解成Ｈ４＾＋，Ｈ３＾＋，Ｈ２＾＋（Ｈ２）和Ｈ＾＋（Ｈ）等产物，并从实验事实出发，对Ｈ４＾＋和Ｈ５＾＋的形成和分解反应作了分析讨论。     

5,10,15,20—四苯基卟啉二酸吸附在AgI溶胶上的吸收光谱

本文研究了５,１０,１５,２０－四苯基卟啉二酸Ｈ４ＴＰＰ＾２＋吸附在ＡｇＩ溶胶上的吸收光谱,发现Ｈ４ＴＰＰ＾２＋分子吸附在ＡｇＩ溶胶上,发生去质子化现象,随样品放置时间的延长,进一步发生络合反应。     

球面全脐子流形的Pinching常数

本文证明如下结果，设Ｍ＾ｎ为ｎ＋ｐ维单位球面Ｓ＾ｎ＋ｐ中具有平行平均曲率向量的紧致子流形，其第二基本形式长度平方∥σ∥＾２≤２ｎ（１＋Ｈ＾２）／２＋√ｎ－２，则Ｍ＾ｎ或者是全脐子流形，或者是位于Ｓ＾ｎ＋ｐ中某个曲率为１＋Ｈ＾２的全脐四维球面Ｓ＾４（１＋Ｈ＾２）中的Ｖｅｒｎｏｅｓｅ曲面，其中Ｈ是平均曲率。     

二种硼化物的电子自动旋共振波谱研究

用ＥＳＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｐｉｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）波谱研究（Ｃ２Ｈ５）４ＮＢ１０Ｈ１０Ｃｕ和（ＣＨ３）４ＮＢ１２Ｈ１２Ｃｕ的结构和化学键。结果表明该系列化合物中＾１１Ｂ和＾１４Ｎ核与Ｃｕ＾２＋之间不是以共价键或者离子键形式直接连接,很可能存在着Ｃｕ－Ｈ－Ｂ桥键,但Ｃｕ＾２＋和＾１Ｈ之间的作用比较弱。（ＣＨ３）４ＮＢ１２Ｈ１２Ｃｕ中Ｃｕ＾２＋位于Ｂ１２Ｈ１２＾２－轴对称性配位场中,因而有较高的对     

复盐D2Ni（IO3）4.2H2O的热化学研究

用溶解量热法,以水为量热溶剂,根据Ｈｅｓｓ定律设计了一个热化学循环,用新型的具有恒定深度环境的反应热量计分别测定了以下两个过程的溶解热：２ＫＩＯ３＿Ｎｉ（ＩＯ３）２＋Ｈ２Ｏ→Ｋ＾＋（ａｐ）＋Ｎｉ＾２＋（ａｑ）＋ＩＯ３＾－（ａｑ）;Ｋ２Ｎｉ（ＩＯ３）１２．２Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ→Ｋ＾＋（ａｑ）＋Ｎｉ＾２＋（ａｑ）＋ＩＯ３＾－（ａｑ）并根据相关数据求得Ｋ２Ｎｉ（ＩＯ３）．２Ｈ２Ｏ在２９８．２Ｌ 标准生成焓,     

H+和SO2-4离子对PbO2电极上ClO-4阳极形成过程的影响

用分解极化曲线法研究了Ｈ＾＋和ＳＯ＾２－４离子对ＰｂＯ２电极上Ｏ２和ＣｌＯ＾－４阳极形成过程的影响,分解得到的稳态极化曲线φ～ｌｇｉＣｌＯ４＾－和φ～ｌｇｉｏ２上均有一电位突跃,在２５℃下前一突跃生在１．９～２．０Ｖ;后一突跃发生在２．０５～２．１５Ｖ左右,两者在突跃区前后的Ｔａｆｅｌ斜率均接近于２．３０３ＲＴ／βＦ（其中β约为０．５１～０．５４）,在突跃前当（Ｈ＾＋）减小时,使ＣｌＯ＾－４形成或     

酸性媒介黄GG与[Coen2（OH）（OH）2）]^2＋的取代反应动力学…

用分光光度法研究ｃｉｓ－［Ｃｏｅｎ２（ＯＨ）（ＯＨ２）］（ＣｌＯ４）２（ｅｎ为乙二胺）与酸性媒介黄ＧＧ染料（２－羧基－５－［（４－苯磺酸基）偶氮基］苯甲酸）的取代反应动力学。用ｐＨ电位滴定法测定了［Ｃｏｅｎ２（ＯＨ）２］＾＋、［Ｃｏｅｎ２（ＯＨ）（ＯＨ２）］＾２＋６０℃时的加质子反应平衡常数。用分光光度法测得６０℃时染料的酸解离常数。６０℃，离子强度为０．１ｍｏｌ／ｋｇ ＮａＣｌＯ４时，各络合质点     

ZrⅪ—RuXV离子4s^2—4s4p,4s4p—4s4d跃迁谱线和振了强度的计算

用ＨＸＲ方法了ＺｒⅪ－ＲｕＸＶ了子４ｓ＾２，４ｓ４ｐ，４ｓ４ｄ组态能级，通过对各有值随Ｚｃ（Ｚｃ＝Ｚ－Ｎ＋１）沿等电子序列变化规律分析，找出了△Ｅ随Ｚ变化的一种新的拟合关系，运用该关系和笔者设计的ＦＯＲＴＲＡＮ程序对上述组态能级进行了拟合计算，用类插的方法预测了ＴＣＸⅣ离子的上述组态能组值，给出了ＺｒⅪ－ＲｕＸＶ离子４ｓ＾２－４ｓ４ｐ，４ｓ４ｐ－４ｓ４ｄ组态跃迁谱线波长和相应的振子强度。     

Cs2ZnCl4标准生成焓

用新型的具有恒定温度环境的反应热量计，以０．０３ｍｏｌ．Ｌ＾－１Ｈ２ＳＯ４溶液为量热溶剂，分别测定了［２ＣｓＣｌ（ｓ）＋ＺｎＣｌ２（ｓ）］和Ｃｓ２ＺｎＣｌ４（ｓ）的溶解焓，设计了一个热化学循环，求出了Ｃｓ２ＺｎＣｌ４的标准生成焓，     

常见共存离子对镍离子浮选的影响

通过浮选、沉淀、沉降等实验,查明了常与镍离子共存的Mn~(2+),Ca~(2+),Na~+,Cu~(2+),Fe~(2+),SO_4~(2+),Cl~-,CO_3~(2-)等对镍离子浮选的影响和影响机理。指出,电解质对镍离子浮选的影响因捕收剂不同而异;Na~+,Ca~(2+),Mn~(2+)等阳离子因促进沉淀物聚结对丁基黄原酸镍浮选有利,Cu~(2+)与镍离子竞争捕收剂,Fe~(2+)含量超过30ppm时因氧化生成氢氧化铁沉淀产生抑制作用;Cl,SO_4~(2-)对浮选没有影响;CO_3~(2-)将减弱阳离子对丁基黄原酸镍聚沉作用的发挥。     

Penning离子阱中H+,H2+/H,H2反应的研究

用Penning离子阱经碰撞反应H ,H 2/H,H2产生稳定的H n(n=3,4,5,6).高分辨离子谱中除了H ,H 2,H 3和H 5之外,还探测到H 4,H 6.根据Wright和Borkman预言n=4,6的偶数氢团簇离子与对应的n=5,7的奇数离子具有可比较的结合能,由该实验结果可以推断,n=4,6与n=5,7的离子在反应动力学方面具有相近的性质,都能够经碰撞合成反应获得.还分析了H 4,H 6的生成机制.     

多功能宽离子束形成的研究

本文讨论了多功能宽离子束形成的物理过程,给出了均匀束、会聚束及球状发散束的设计原则和方法,并列举了实例和测试方法.其中球状发散束则为首次提出的.这些宽离子束均已应用于离子束直接淀积、离子束溅射淀积及离子束辅助镀膜技术等薄膜工艺,效果良好.     

MEVVA源引出离子束流分布均匀性的初步研究

通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角，从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构──仅用阳极筒──从而改变弧放电路径这３种方法，对改善ＭＥＶＶＡ源引出离子束流密度分布的均匀性进行了初步的研究。第３种方法从根本上改变了ＭＥＶＶＡ源引出束分布的高斯分布特性，在合适的条件下可能得到更为均匀的束流密度分布。     

离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高

研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。     

强流离子束中单离子运动规律的模拟研究

运用多粒子模拟程序（PIC）,对初始分布为K-V分布的离子束中的单离子在束晕控制前后进行模拟跟踪,结果发现,单个离子的运动虽然复杂,但大体可以分成两种类型.其中一类与束晕的形成关系密切.采用非线性反馈控制法,可以将这类离子的运动限制在核区内,因而使束晕得到有效控制.     

50型MEVVA源离子注入机

详细介绍了50型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能.50型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的"八六三"计划项目"先进离子束注入技术的工业应用"所取得的成果,是专用于工业生产的MEVVA源离子注入机.     

Penning阱离子谱分辨率的优化

根据Penning阱中存储和探测离子的原理,研究改善离子谱分辨率的有效措施,发现离子谱的分辨率与LC振荡回路的Q值、阱中离子的密度及LC回路的谐振频率有关.在本实验中,采用谐振频率为480kHz的LC回路,当Q在120左右,电子束流在40μA左右时,得到了较高分辨率的离子谱,为深入开展H+n (n≥3)离子的形成机制等问题的研究创造了更好的条件.     

一台400keV离子注入机的光路设计

本文给出了一台400keV离子注入机的物理设计总体方案。根据设计指标,详细计算了该机主要部件的参数。经调试,各项指标达到设计要求。     

离子注入材料改性用强流金属离子源

为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高密度金属等离子体,经一多孔三电极系统引出得到强流金属离子束.该源脉冲工作方式,已引出Al,Ti,Fe,Cu,Mo和W等离子,脉冲离子束流强度为0.6～1.26A,Ti的平均束流强度已达10mA.引出束流大小与源的工作参数、引出结构和电压以及阴极材料有关。该源没有气体负载,工作真空度为3×10~(-4)Pa。