计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法

论述了某一个能区入射电子对金属平均射程的能量幂次与入射能量、金属的有效真二次电子发射系数的关系,并简化推导了表达式.用实验数据分别算出了属于两个能区的较高能的原电子对金或铝的平均射程的能量幂次.最后对结果进行了讨论.结果显示计算较高能原电子对金属射程的能量幂次的新方法是可行的.     

高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系

根据金属二次电子发射的主要物理过程和有效真二次电子发射系数的定义,从理论上论述了高能原电子斜射入金属发射体内的金属的有效真二次电子发射系数的表达式,然后又根据高能原电子斜轰击金属并激发产生二次电子发射的特点,推导出金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度和高能原电子入射角度的关系式.对结果进行了讨论并得出结论:当高能原电子斜射入金属发射体内时,金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子的入射角的余弦函数近似成反比,金属的有效真二次电子发射系数与金属逸出深度近似成正比.     

高二次电子发射系数材料砷化镓的理论设计

根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点,提出延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计,设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓.通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析,得出:当原电子入射能量较低时,两种材料的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高时,两种材料的二次电子发射系数差值较大,而且随着原电子入射能量的升高,两种材料的二次电子发射系数差值也在增大.     

测量氧化镁的二次电子发射系数

介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科技工作者所测的氧化镁的最大二次电子发射系数的范围内,表明用磁控溅射法制备的氧化镁的二次电子发射系数较低.     

不同加速电压对不导电样品扫描电镜图像的影响

利用蔡司Ultra55场发射扫描电镜观察原子力显微镜探针和聚苯乙烯微球在不同加速电压下的二次电子图像和能量选择式背散射电子图像.结果发现:在合适的低加速电压下,样品可以直接观察,不需喷金处理,而且二次电子图像所呈现的样品表面细节更丰富,更清晰;能量选择式背散射电子图像样品成分衬度明显,可以有效消除荷电现象和各种假象.     

铝和覆盖有烟黑的铝表面对5—1000eV电子的反射

实验模拟了电子在电极间的反射状况，测量了初始能量为５—１０００ｅＶ的电子在铝表面和铝表面覆盖有苯烟黑、甲苯烟黑以及胶体石墨情况下的表观反射系数．实验表明烟黑样品在减小电子反射和二次电子发射作用上优于其它样品．这是由于烟黑样品的蜂窝状结构所致．本文还讨论了表观反射系数与真实反射系数和二次电子发射系数之间的关系     

利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位

为研究介质材料二次电子发射过程中表面电位的测量手段及相关规律,以拒斥场会影响二次电子出射为基础,提出了能够原位测量介质材料表面电位的探针法。首先,利用专业电磁仿真软件对探针法原理进行了研究,计算了探针附近电位分布和探针偏压对二次电子发射系数的影响曲线,此曲线拐点处对应的探针偏压即为样品的表面电位;其次,用铜样品进行了实验研究,验证了探针法测量样品表面电位的可行性;最后,将探针法应用于介质材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),对其表面电位进行了实验测量和研究。结果表明:栅网偏压和入射电子能量对PMMA表面电位有直接的影响,PMMA表面电位总是高于栅网偏压,两者呈线性关系;随着入射电子能量的增加,PMMA表面电位呈现先升高后下降的趋势。实验结果与理论分析相一致,验证了探针法测量介质材料表面电位的可行性。该方法操作简便、成本低廉,而且实现了原位在线测量,减小了实验中的不稳定性,对介质材料二次电子发射机理的研究有一定的参考价值。     

电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理

以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。     

采用收拢式表面的二次电子发射抑制策略

针对二次电子谐振倍增引起的微放电效应导致微波部件传输性能降低的现象,提出了一种能显著抑制二次电子的收拢式微陷阱表面结构。首先,通过分类处理弹性背散射、非弹性背散射以及真二次电子出射概率得到平整表面的总二次电子出射特性;然后,采用粒子模拟的方法跟踪二次电子在收拢式陷阱结构内的级联再入射过程,获得收拢式陷阱结构对二次电子的抑制特性,从而得到收拢式表面结构对不同类型出射电子的抑制效果和二次电子能谱变化趋势,以及表面结构参数对二次电子发射特性和微放电品质因子的影响规律。仿真结果表明:收拢式表面使得二次电子产额在各个能量段整体下降,对应的二次电子能谱呈现更集中的趋势。收拢式结构中的矩形宽度对二次电子的影响呈先减小后增加趋势,而矩形深度能呈线性地提高微放电的品质因子。这种收拢式结构的椭圆水平轴长在最优的情况下比相同孔隙率和深宽比矩形陷阱结构对二次电子发射的抑制效果提高21.2%,同时使微放电品质因子提升24.97%。     

二次电子发射对无碰撞等离子体鞘层的影响

建立了包括器壁发射二次电子的等离子体无碰撞鞘层的基本模型,讨论了一维稳态等离子体鞘层中二次电子发射对鞘层结构的影响．结果表明：器壁电势随着二次电子发射系数的增加而增加．在发射系数小于临界发射系数时,鞘层电势随发射系数增加而增加,鞘层是离子鞘;在发射系数大于临界系数时,电场出现反转,电势在鞘层空间出现一最小值,鞘层不再是离子鞘．并且就稳态等离子体推进器器壁材料不同,简要分析了二次电子发射给其鞘层带来的影响．     

计算高能原电子对金属射程的常数的新方法

介绍计算同一个能区高能原电子对金属平均射程的常数的方法,然后用实验数据分别算出了属于两个能区的高能原电子对金的平均射程的常数,并用实验数据算出了属于同一个能区的高能的原电子对铝的平均射程的常数,最后对结果进行了讨论并得出结论:计算高能原电子对金属射程的常数的新方法是可行的.     

低维电子气的费密能量与温度的关系

在探索新型材料的过程中 ,人们发现金属材料的一系列实验现象不能由三维电子气的费密能量与温度的关系来解释 ,但它们具有明显的低维特征 ,为此 ,该文研究了低维电子气的费密能量与温度之间的关系。研究结果表明 ,在低温情况下 ,低维电子气费密能量随着温度的变化关系与三维电子气是不相同的 ,尤其在一维情况下 ,电子气费密能量的变化量随着温度的变化规律与三维时恰恰相反。     

价电子平均吸引能拓扑指数mP及其应用

构建了价电子平均吸引能拓扑指数^mP用6mP的0，1阶指数分别与16种碱金属卤化物的熔点m.P．、磁化率Xm，键长Bet以及20种碱金属卤化物的晶格能U、解离能ΔfHm、离子水化能ΔfGm^θ关联，拟合的回归方程的相关系(指)数分别为0．9433，-0．9854，-0．9933，0．9977(0．9979)，0．9775(0．9779)，0．9767(0．9792)，基本上满足优级或良级标准．结构选择性达到唯一性表征，预测取得较好的结果．     

高能电子与磁场波纹共振作用的研究

托卡马克装置中逃逸电子的产生伴有很高能量的释放,有损装置第一壁材料的性能和寿命。在高能电子和磁场波纹发生共振的作用下,可发现在弱的电场下逃逸电子可以和高阶谐波发生共振从而将逃逸电子的能量极限限制在一定的低能量安全范围内。     

柱对称超晶格中电子能谱特征探讨

建立了柱对称超晶格异质结构中电子运动满足的薛定愕方程,采用微扰法推导出电子能谱的色散关系;证明了技状超晶格中电子能话存在着容许带和禁带的交错;讨论了共轴异质层厚度以及异质系统核心半径对电子能谱的影响．     

基于能源消费的江苏省碳排放特征及规律分析

基于江苏省能源消费的统计数据,利用碳排放方法分析了2002—2010年不同能源消费类型和不同产业部门的碳排放特征．结果表明：碳排放量是随着能源消费量的增加而增加的,碳排放强度由于GDP的快速增加,呈现了快速下降的趋势．在碳排放总量中,第二产业的能源消费是主要的碳排放来源,年均增长率为14．9％,其中,工业占主导地位,年均碳排放量为51．84Mt;生活消费和第三产业碳排放次之,年均增长率分别是2．23％和3．4％．而在第二产业中,原煤是工业碳排放的主要来源,年均碳排放量为31．15Mt．江苏省能源消费碳排放总量增长速率小于GDP的增长速率,导致各年碳排放强度以年均5．2％的幅度下降,进一步表明在经济快速发展的同时,还未实现CO2绝对减排．