几类特殊图的典型强因子图

给出了一个图是强不可收缩图的充要条件． 讨论了Ｔ〔Ａ１ ,Ａ２ ,…,Ａｎ〕, Ｋｍ１ ,ｍ２ ,…,ｍｒ , 树以及二分图的典型强因子图． 最后, 从典型强因子图的角度给出了Ｋｎａｕｅｒ 定理的一个证明     

背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

强远红外源中CO(1-0)谱线的新观测

利用紫金山天台１３．７ｍ射电望远镜对２０个强ＩＲＡＳ远红外源（Ｆ１００μｍ〉５００Ｊｙ）进行了ＣＯ（１－０）的谱线观测，全部观测到ＣＯ发射，其中６个源为第１次观测到ＣＯ（１－０）谱线，在新观测的源中，５个可能有分子外向流，这些观测源的红外性质暗示出它们是仍深埋在分子云中的年轻星，显示出远红外源与分子云有关。     

关于矩阵迹的几个不等式

设Γ＿１为对角线元素按减序排列的非负对角形矩阵，Ｕ＿１是酉矩阵，ｉ＝１，２，…，ｍ，则有当Ａ＿１，Ａ＿２．…，Ａ＿ｍ为半正定Ｈｅｒｍｉｔｅ矩阵时，有其中Γ＿１＝ｄｉａｇ（σ＿１（Ａ＿１），σ＿２（Ａ＿ｉ）．……σ．（Ａ＿ｉ））．ｉ＝１，２．…，ｍ。     

外磁场对Fe-Cr-Co系永磁体磁性的影响

研究了稳恒和交变磁场对５种Ｆｅ－Ｃｒ－Ｃｏ系永磁体磁性的影响，得到了磁场强 度及其作用时间对磁性的影响规律。结果表明：含Ｖ和Ｔｉ的三种试样的磁稳定性 比不含Ｖ和Ｔｉ的好。还探讨了磁稳定化处理问题。含Ｖ和Ｔｉ的试样的稳定化 处理，其稳恒场为３１．８４ｋＡ／ｍ，交变场为 ３．９８～７.９６ｋＡ／ｍ；不含Ｖ和Ｔｉ的试 样的稳定化处理，其稳恒场为７．９６ ｍＡ／ｍ，交变场为１.９９～５．９７ｋＡ／ｍ．     

铁电极活性粉的制备及其高倍率放电性能的研究

采用无机合成技术，通入Ｏ２及滴加ＮａＯＨ溶液，加热硫酸亚铁与ＮＨ４ＮＯ３的混合溶液使部分二价铁被氧化成三价，沉淀物经过滤和干燥后，在氩气氛下６７０℃焙烧１ｈ得到铁电极活性粉．经Ｘ射线衍射分析，该活性粉的成分是单相四氧化三铁．利用该活性粉所制备的铁电极，在不添加任何添加剂的条件下，以１００ｍＡ／ｇ放电的容量为２４５．５ｍＡ·ｈ／ｇ．该电极的高倍率放电性能好，以１２０ｍＡ／ｇ放电的容量为２１６ｍＡ·ｈ／ｇ．     

2－酮基－L－古龙酸流加发酵过程的在线控制

开发了用于生产２－酮基－Ｌ－古龙酸（２ＫＧＡ）流加发酵过程的在线控制系统。该系统可在线检测和控制发酵温度、ｐＨ、ＤＯ、罐压等环境参数，并可控制糖液、碱液等补料的流加。经７０ｍ３环隙气升式发酵罐内的试验表明，该控制系统工作可靠，抗干扰能力强，控制品质好，便于操作，能满足生产工艺要求。     

甘蓝型油菜萝卜质不育系恢复材料Ad-6(F4)测交二代恢复株TCF2的快繁及生根

油菜萝卜胞质不育系恢复材料Ａｄ－６（Ｆ４）测交二代恢复株ＴＣＦ２,在ＭＳ附加５ｍ ｇ／Ｌ６－ＢＡ＋ ０．５ｍ ｇ／Ｌ ＮＡＡ,３ｍ ｇ／Ｌ ６－ＢＡ＋ ０．２ｍ ｇ／Ｌ ＮＡＡ,３ｍ ｇ／Ｌ ６－ＢＡ＋ ０．３ｍ ｇ／Ｌ ＮＡＡ＋６００ｍ ｇ／Ｌ水解乳蛋白以及５ｍ ｇ／Ｌ６－ＢＡ＋ ０．３ｍ ｇ／ＬＮＡＡ＋ ５ｍ ｇ／ＬＡｇＮＯ３ 的不同培养基上诱导丛生芽,结果表明５ｍ ｇ／Ｌ６－ＢＡ＋ ０．３ｍ ｇ／ＬＮＡＡ＋ ５ｍ ｇ／ＬＡｇＮＯ３ 对ＴＣＦ２ 诱导丛生芽有较好的效果．小芽生根培养基为１／２ＭＳ效果最好．     

关于矩阵的偏迹不等式

本文给出了复矩阵的ｋ──项复合矩阵的偏迹不等式：其中Ａ，Ｂ为ｎ阶半正定Ｈｅｒｍｔｅ矩阵，Ａ＿１，Ａ＿２，…，Ａ＿ｍ．（ｍ≥２）为ｎ阶复矩阵，ｉ＝１，２，…，ｒ为自然数．     

安息香衍生物对LEPB丙烯酸羟基酯的光固化反应

通过ＤＳＣ法研究了大分子的丙烯酸酯化ＬＥＰＢ及其与三羟甲基丙烷三丙烯酸酯在不同安息香衍生物存在下的紫外光固化行为．通过诱导期与光强倒数的线性关系，光固化反应热等实验结果对不同光致引发体系进行了比较详细的讨论，并对安息香衍生物的引发效果进行评价，含ＤＭＰＡ２％的Ｂ体系在４．０６６×１０~－５／ｍ~２光强下．其聚合反应热焓为１５４．８Ｊ／ｇ．而将ＤＭＰＡ改换为安息香丁醚时．则同样的反应热焓要求光强达到８．０×１０~－５Ｗ／ｍ~２．因此，ＤＭＰＡ具有更好的引发活性．     

一种数控直流电流源的设计

方案以微控制器为核心,设计一数字式直流电流控制系统,实现了可控的恒定直流电流源设计.该系统由单片机、D/A转换器和功率放大器等组成.核心恒流模块采用负反馈电路连接大功率场效应管,使得该系统输出电流误差＜10 mA,并且在10 mA允许误差下输出电流范围为20 mA-2 A,电流纹波≤2 mA.     

滞环电流控制型大功率LED恒流驱动芯片的设计

基于标准CMOS工艺,采用滞环电流控制模式,设计了一款新型大功率LED恒流驱动芯片。在标准CMOS工艺范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能。结果表明,电源电压从3到5V变化时,输出电流保持良好的一致性,其最大值和最小值之差仅为0.075mA;随着温度的升高,输出电流先增大后减小,在电路工作的整个温度区间内,输出电流仅仅变化0.165mA;在电感为理想电感情况下,当芯片驱动7个LED灯时,效率最高可达97.8%。     

SoC在数控直流电流源设计中的应用

设计了一种基于SoC芯片C8051F120的数控直流电流源,该系统以闭环负反馈放大电路为恒流源模块,C8051F120为控制核心,利用SoC片上资源DAC和ADC,实现了数控输出步进为1mA、范围为20mA-2000mA的电流,设置和实际输出的电流都由LCD显示,软件采用线性补偿算法提高控制精度。该设计最大限度地降低了系统硬件电路和软件编程的复杂度,电源稳流效果好,控制精度高,系统可靠性较高。     

一种机车霍尔电流传感器的研究与设计

现有机车车辆段的电流检测多使用零磁通式霍尔电流传感器,为了解决该传感器受环境温度影响大,线性度低等缺点,设计了一种温度特性较好的高性能霍尔电流传感器,由坡莫合金材料的圆环磁芯以及具有温度补偿功能的信号调理电路组成。实验测试表明,该电流传感器的总精度在0.8%之内,具有高达150kHz的频带宽度,不超过0.5mA的零点偏移电流以及不高于2.5%的输出电流温度漂移等性能。     

物理化学综合实验设计——纳米MnO_2作为超级电容器电极材料的研究

探索了将纳米 Mn O2 电极的电容性质研究作为物理化学综合实验的可行性 .循环伏安和恒电流充放电实验表明 ,纳米 Mn O2 电极具有较为优良的电容性质 ,用 10 m A和 5 0 m A恒流充放电时 ,Mn O2 电极的比电容分别为2 0 3.6 F/ g和 15 0 F/ g;分别连续充放 5 0周和 2 0 0周后 ,容量保持率仍分别为最初的 91.2 %和 90 .5 % .     

SnO2@C锂离子电池负极材料的制备及其性能

通过回流法制备了SnO2纳米小球，再以-环糊精作为碳源通过水热法制备得到SnO2纳米小球/C复合材料. 扫描电子显微镜和粉末Ｘ射线衍射仪测试结果表明，所合成复合材料为直径约为30~40 nm的纳米小球，在SnO2的外表面可以看到一层均匀的碳层的包裹. 通过碳的包裹，材料的结构稳定性和导电性增加. 在100 mA/g的电流密度下，200次循环后，放电比容量稳定在749 mAh/g，而在大电流充放电后（100 ~ 800 mA/g），再次回到100 mA/g的电流密度时，放电比容量仍能保持在620 mAh/g.     

高精度宽范围数控直流电流源设计

采用SPCE061A单片机,设计了一个高精度宽范围的数控直流电流源。硬件部分通过SPCE061A单片机的D/A输出控制压控电流源,该电流源的实际输出电流通过采样电阻转换成电压送A/D转换器,并与预设值进行比较;若有误差再调整D/A转换器的输出,从而改变压控电流源的输出电流,使该电流输出值与预设值相等。软件部分通过闭环控制、PID算法以实现高精度、高量程的电流输出。电流源输出电流最大值200 mA,电流步进精度>0.2 mA。     

高精度带隙可编程基准电流源的设计

提出了一种新的CMOS高精度带隙可编程基准电路,设计了高精度运放电路和可编程基准电流源电路结构。整个电路采用的是0.18μm标准的CMOS工艺,仿真结果表明,温度在-40～120℃范围内时,基准电压变化为3.2mV。该电路已成功应用于14位高速DAC中,所设计的DAC转换器的输出电流范围为8～32mA。在应用中可根据实际需求,通过调节改变输出电流大小。     

基于单片机的半导体激光器恒流源设计

介绍了采用集成运放反馈型结构的恒流驱动源设计,用于确保半导体激光器功率输出恒定。基于单片机的控制系统实现电流控制精度为0．1mA;采用大功率达林顿管作为调整管,输出电流连续可调整范围较大。该电源还具有限流保护、延时软启动等功能。     

电化学合成纳米FeOOH电流效率的研究

本研究以金属铁为＂牺牲＂阳极,以不锈钢片为阴极,在无隔膜电解槽中,对电化学一步法合成纳米FeOOH过程中电流效率的影响因素进行了探讨。其结果表明：要获得较佳的电流效率,其适宜的工艺条件为：电流密度为12mA·cm-2;电解质浓度为0.08mol·L-1;电解温度为50℃;两极板间距为5.0mm。其中电流强度对电流效率的影响最大。