高压下碱式聚苯胺芳环扭角与能隙的缩减

利用Ginder-Epstein模型计算了碱式聚苯胺在不同模型参数V2,0下的自洽变分基态,并通过芳环扭角估算聚合物压强.结果表明芳环扭角和能隙随压强的增大而缩减,当压强增大到7.66 GPa时芳环扭角趋零,能隙则减小至0.74 eV.这一理论与实验上观察到的随压力增大聚苯胺电导率增高的现象相吻合.     

氢键链中离子缺陷和键缺陷孤子的稳定性

以双参数双周期势的二分量孤子模型为基础，利用Ｌｉａｐｕｎｏｖ函数方法，证明了氢键链中的离子缺陷和键缺陷孤子具有稳定性．     

非相干耦合空间孤子族的一般理论

提出了一个适用于非相干耦合空间孤子族的一般理论．从这一理论可以很方便地得到亮、暗、灰孤子族的波形．研究表明这些孤子族的形成条件直接依赖于折射率改变与入射光光强的关系,而不是折射率的正负．另外,利用调制失稳理论研究了这些孤子的稳定性．当这一孤子族只包含两个分量成分时,它自动退化到非相干耦合孤子对的情况．利用这一理论,理论上证明了非相干耦合亮、暗、灰孤子族也可以在角烧孔效应的光致异构非线性聚合物中形成．     

高压下翠绿亚胺聚合物的理论吸收谱

利用改进的Ginder-Epstein模型计算了翠绿亚胺聚合物在参数V4,0取值于1.8～35.8eV的自洽变分基态并通过芳环扭角的变化来估算聚合物压强,给出了V4,0、芳环扭角及能隙与理论压强之间的变化关系,并作出了不同理论压强下的理论吸收谱.结果表明,随此参数的增大芳环扭角和能隙都缩减而理论压强升高.当理论压强由零压增至饱和压强3.0GPa左右时,翠绿亚胺聚合物π-π*吸收峰由2.01eV蓝移至最小值0.87eV.此理论谱供压力定标参考.     

氢键系统中Bjerrum孤子偶缺陷的运动

以一个新的二分量孤子模型为基础,讨论了氢键系统中Bjerrum孤子缺陷在外场作用下的运动特性,研究了Bjerrum孤子偶缺陷对于电磁波的散射,得到了Bjerrum孤子偶缺陷对电磁波的散射截面和迁移率的表达式。     

光晶格调制中的偶极物质波孤子

文章采用虚时间传播方法,研究了光晶格中势阱和缺陷在形成偶极物质波孤子中的作用.基孤子和偶极孤子都稳定地存在于晶格的中间位置.两种孤子的宽度都随着势阱深度的增加而急剧下降,并随着势阱深度超过某个阀值而趋向于一常数.增加系统的原子数目和增大势阱深度都可以让孤子更加稳定.我们还研究了缺陷对基孤子的影响.当缺陷的幅值超过某个临界值的时候,孤子被偏移晶格的中间位置,并且随着势阱的增大,缺陷的临界幅值也跟着增大,不过增大的幅度却逐渐减缓.     

光晶格调制中的偶极物质波孤子（英文）

文章采用虚时间传播方法,研究了光晶格中势阱和缺陷在形成偶极物质波孤子中的作用。基孤子和偶极孤子都稳定地存在于晶格的中间位置。两种孤子的宽度都随着势阱深度的增加而急剧下降,并随着势阱深度超过某个阀值而趋向于一常数。增加系统的原子数目和增大势阱深度都可以让孤子更加稳定。我们还研究了缺陷对基孤子的影响。当缺陷的幅值超过某个临界值的时候,孤子被偏移晶格的中间位置,并且随着势阱的增大,缺陷的临界幅值也跟着增大,不过增大的幅度却逐渐减缓。     

氧化形式聚苯胺的双值跳跃模型

引入双值跳跃积分，对Ｇｉｎｄｅｒ－Ｅｐｓｔｅｉｎ模型加以扩展，使之适用于氧化形式的聚苯胺．计算了聚对苯亚胺（ＰＮＢ）基态的电子能谱及其光吸收系数α（ω）．数值计算的环扭角与量子化学结果一致，能隙和带宽与该聚合物的光吸收观测值吻合．     

扭力轴预扭临界角度的理论分析及数值模拟

根据强度理论推导了计算扭力轴预扭临界应变角的公式,并以45CrNiMoVA钢为例,用有限元软件Mare模拟了扭力轴的预扭、释放、加载过程。研究表明：对于45CrNiMoVA钢,用公式γ=2τ,IG=2σ,(1 v)C确定预扭应变角等于0．026rad。因而目前一些扭力轴使用的预扭应变角偏小(某些仅为0．011rad),远未发挥出材料的潜能,即使是采用现在国内外比较先进的预扭工艺,扭力轴表面材料的应力也未达到其拉伸曲线上的最高点。根据材料拉伸曲线,用数值模拟的方法可以找出任何尺寸、任何金属材料制作的扭力轴的临界预扭应变角,为制定先进合理的预扭工艺提供依据。     

TPV模与TPV环

在遗传扭论中定义并刻划了ＴＰＶ模与ＴＰＶ环,证明了交换ＴＰＶ环是Ｔ正则环．     

函数变换及非线性演化方程的精确解

Cole-Hopf变换在孤子求解中具有重要的,本文将Cole-Hopf变换推广并应用于Burgers-KPP方程u1 AuuxBuxx Euxx Eu Du^2 Fu^3=0中，获得了Burgers-KPP方程很多类型的孤子解，其中包括扭状孤子解和双孤子解。当A，B，E，D，F取不同的值时，该方程约化为不同类型的方程，因此也可得到相应方程的解，另外论证了解的性质。     

氢键链中离子缺陷和键缺陷的孤子统计理论

以双参数双周期势的二分量孤子模型为基础，利用理想气候唯象近似的方法，研究了氢键链中离子缺陷和键缺陷的统计问题，得到了离子型和取向型孤子偶密度，并计算了两类孤子偶的核化率。     

双Sine—Gordon势氢键分子链中孤子的运动

双Ｓｉｎｅ－Ｇｏｒｄｏｎ势氢键分子链模型可以同时描述离子型缺陷孤子和取向型缺陷孤子的协同运动。在此模型的基础上，利用能量分析方法研究这两类孤子在外场中的运动，并计算出它们的迁移率、散射截面和核化率。     

碱式聚苯胺的小尺寸效应

利用改进的Ginder-Epstein模型计算了碱式聚苯胺在不同链长的自洽变分基态,结果表明:体系的几何结构和电子结构不仅与链长N有关,而且与体系单体数目的结构有关.4n+2体系与4n体系有不同的电子态;当N<40,苯环扭角和能隙随N的减小而增大,醌环扭角和键序波幅却随N的减小而减小;当N40,这些差异都消失,体系趋于稳定.     

相对V模与相对V环

把Ｖ模、Ｖ环推广到遗传扭论中,定义并刻划了τＶ模、τＶ环以及ＦＶ模、ＦＶ环．讨论了它们与Ｖ模、Ｖ环的关系以及Ｔ平模的内射包,证明了可换的Ｔ正则环是τＶ环．     

切流向列相液晶孤子的挠曲电效应

本文详细讨论了均匀切变流动下,向列相液晶中孤子所引起的挠曲电效应,给出了A型孤子和B型孤子产生的板极电压,面电荷及体电荷的数值。A型孤子的挠曲电效应比B型孤子要大,其原因是A型孤子的指向角θ随z的变化比B型孤子要快。我们选用一种测量挠曲电系数e_1的实验方法,並作出相应的计算。     

A—DNA和B—DNA局部螺旋扭角的经验预测及其理论解释

提出了Ａ－ＤＮＡ和Ｂ－ＤＮＡ局部螺旋扭角的经验预测规则，考虑了非紧邻相互作用。对此结果大沟和小沟中的大尺度环外基团的空间障碍作了阐述。     

氢键链哼子缺陷和键缺陷孤子的稳定性

以双参数双周期势的二分量孤子模型为基础,利用Ｌｉａｐｕｎｏｖ函数方法,证明氢键链中的离子和键缺陷孤子具有稳定性。     

势形式破裂孤子方程dromion孤子解结构

使用改进的齐次平衡方程,研究了破裂孤子方程的孤子解结构,发现它具有单孤子解,单曲线孤子解,单dromion孤子解,多dromion孤子解．     

在非均匀氢键链中取向孤子缺陷的运动

讨论了一种氢键链中取向缺陷的孤子模型，并在这个模型的基础上利用集合坐标法研究扭结孤子与杂质的相互作用，得到了杂质区孤子的有效势能和入射孤子的临界速度表示式。最后，我们讨论了杂质模。