金属材料表面二次冶金对电击穿的影响

研究了合金真空击穿后,表面二次冶金过程及表面熔化层的显微组织对真空电击穿的影响．介绍了真空击穿的实验过程,测定了ＣｕＣｒ５０、真空Ｃｕ、４０Ｃｒ及ＣｒＣｕ５０中添加ＷＣ等合金的耐电压强度Ｅｂ,并对ＣｕＣｒ５０合金一次击穿和经１００次击穿后的表面组织进行了观察．研究结果表明：材料的首击穿具有选择性,电击穿老炼是电弧作用下表面发生二次冶金的过程,在ＣｕＣｒ合金中添加ＷＣ提高了Ｃｒ相的耐电压强度．     

导电复合材料电击穿行为研究进展

介绍导电复合材料电击穿现象的概念和特征,详细阐述现有电击穿研究在临界击穿电流比例模型、电阻热松弛行为、临界击穿电阻与线性电阻的比值关系、临界击穿电场与线性电阻的比例关系、动态电击穿过程电阻与时间的依赖关系、电击穿时间与电流关系等方面的研究方法和成果.简要介绍电击穿机理的研究现状,并对导电复合材料电击穿现象中关键难点问题的研究内容和方法进行探讨和展望.     

中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响

本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。     

D574集成稳压器二次击穿的研究

本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。     

多断口真空开关击穿电压增益与统计特性研究

从长间隙真空开关的击穿特性出发,理论推导得到双断口及多断口真空开关的击穿电压最大可能增益倍数Kn,同时引入"击穿弱点"概念和概率统计方法,分析建立了双断口及多断口真空开关的静态击穿统计分布模型,发现无论是双断口真空开关还是n个断口串联起来,其击穿的统计概率都要比单断口的击穿统计概率要小.为了进行实验论证,建立了三断口真空开关实验模型,对单断口真空灭弧室模型和三断口真空开关实验模型进行了大量的冲击击穿特性实验.研究表明,三断口真空灭弧室相比单断口真空灭弧室具有更低的击穿概率.试验数据与理论分布曲线基本吻合,证明理论研究结果正确.     

脲醛树脂基高分子材料改性研究

本文简要介绍了脲醛树脂基高分子材料的基本生产工艺流程,探索玻璃纤维、纳米蒙脱土、丁腈橡胶粉以及玉米淀粉种类和用量对脲醛树脂基高分子材料耐电击穿性能的影响。实验结果表明,选用玻璃纤维作为增强剂对脲醛树脂基高分子材料的耐电击穿强度影响最为明显,纳米蒙脱土次之,玉米淀粉的加入对脲醛树脂基高分子材料的耐电击穿强度影响不明显,而丁腈橡胶的加入对脲醛树脂基高分子材料的耐电击穿强度有明显的下降趋势,改性后的脲醛树脂基高分子材料的耐电击穿强度能超过17KV/mm,最佳耐压时间在100s以上。     

非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究*

PZT95/5型铁电陶瓷的抗电击穿强度对材料的实际应用至关重要,实际应用中PZT95/5型铁电陶瓷较低的抗电击穿强度限制了它的应用;选择了PZT95/5型铁电陶瓷材料为研究对象,以提高材料的抗电击穿强度为目的,从材料的制备工艺、材料的微观结构的优化以及电击穿性能等方面,探索提高PZT95/5型铁电陶瓷抗电击穿强度的途径;采用了传统固相法、非均相沉淀法制备出了不同微观结构和性能的PZT95/5型铁电陶瓷;研究表明,采用非均相沉淀法制备了PZT95/5型铁电陶瓷,其介电、压电、铁电性能和抗电击穿性能都优于传统固相法所制备陶瓷的性能;根据弱点导致电击穿的理论,采用韦布尔分布表征和研究了所制备的PZT95/5型铁电陶瓷的电击穿性能。     

脉冲电压下介质膜的击穿寿命

该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加，实验结果与模型预期的相符     

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。     

介电弹性体驱动器动态电压下的变形特征及击穿行为研究

针对介电弹性体(DE)驱动器驱动性能难以预测的问题,以VHB4910薄膜为待测DE材料,圆形DE驱动器作为研究对象,针对低频条件下(0.1～10Hz)DE驱动器的动态变形与击穿行为展开了实验研究。搭建了力电耦合实验测试平台,通过实验归纳了驱动电压参数对DE驱动器动态变形和击穿的影响规律。实验结果表明:DE驱动器的动态变形平衡位置受到电压幅值的影响,动态变形的振幅则受到电压频率和幅值的共同制约。动态击穿电压的数值分散性强,难以得到明显的规律特征,因此不能准确对动态击穿行为进行表征,而通过实验发现DE驱动器能承受的电压循环周期数会受到多种驱动电压参数的显著影响,故提出采用电压循环周期数对动态击穿行为进行分析。借鉴机械循环载荷下的经典疲劳曲线方程,提出利用名义静电应力幅值代替机械应力幅值、对DE驱动器在动态电压下的电致疲劳寿命曲线进行拟合的方法,以期为动态电压作用下DE驱动器的寿命预测提供一种新思路。