| 非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究* |
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| 引用本文： | 杨〓洪,杜〓力,朱朝宽,张云红,王晶晶.非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究*[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2018,35(2):78-86. |
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| 作者姓名： | 杨〓洪 杜〓力 朱朝宽 张云红 王晶晶 |
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| 作者单位： | 重庆工商大学制造装备机构设计与控制重点实验室;重庆长安汽车股份有限公司; |
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| 摘 要： | PZT95/5型铁电陶瓷的抗电击穿强度对材料的实际应用至关重要,实际应用中PZT95/5型铁电陶瓷较低的抗电击穿强度限制了它的应用;选择了PZT95/5型铁电陶瓷材料为研究对象,以提高材料的抗电击穿强度为目的,从材料的制备工艺、材料的微观结构的优化以及电击穿性能等方面,探索提高PZT95/5型铁电陶瓷抗电击穿强度的途径;采用了传统固相法、非均相沉淀法制备出了不同微观结构和性能的PZT95/5型铁电陶瓷;研究表明,采用非均相沉淀法制备了PZT95/5型铁电陶瓷,其介电、压电、铁电性能和抗电击穿性能都优于传统固相法所制备陶瓷的性能;根据弱点导致电击穿的理论,采用韦布尔分布表征和研究了所制备的PZT95/5型铁电陶瓷的电击穿性能。
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| 关 键 词： | PZT95/5型铁电陶瓷 非均相沉淀法 抗电击穿强度 韦布尔分布 |
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