电场、磁场对二维无序系统电子输运的影响

研究了电场、磁场作用下,二维无序杂质系统电导的物理性质.电场的作用削弱了系统电导的"台阶"量子效应,随着中间散射区域尺寸的增大,系统电导随电子能量的变化振荡加剧;系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,其振荡的剧烈程度随外部电压的增大而变小;受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量分数的增大而减小.     

边缘势效应对电子输运性质的影响

研究了磁场及无序杂质存在条件下,边缘势效应对磁场下二维无序杂质系统中的电子输运性质的影响.边缘势越小,电子输运通道越容易打开,电导"台阶"越易向能量小的区域平移;边缘势较大,电子需要较大的费米能才能打开一个量子通道,电导"台阶"越向右平移;边缘势一大一小时,"台阶"有先左后右的平移趋势.系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,系统电导的极值也随边缘势的变大而减小.受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量百分数的增大而减小.     

多散射杂质对二维电子系统输运特性的影响

利用散射矩阵理论研究了含有多个矩形散射杂质二维系统中电子输运问题.绝对零度下,电导随入射电子能量增大,呈台阶式上升形式;杂质宽度的减小使得电导的量子化现象增强;杂质长度的增大,使得电导在最初阶段急剧减小,而后呈现周期性振荡;随着散射杂质数量的增加,电导由急剧减小也呈现周期性振荡.温度的升高使得电导台阶倾斜,量子化现象逐...     

与二维电子气耦合的双量子点中的自旋极化输运

研究磁场作用下与左右两个二维电子气耦合的双量子点系统中的自旋极化输运过程.结果发现当两个量子点靠近时,电导中会出现Dicke效应导致的不对称尖峰.随着量子点间的距离增大,Dicke尖峰变宽并向低能级方向移动.当磁场只施加在二维电子气中时,量子点中的电导是自旋无极化的;但是当量子点的能级发生塞曼分裂时,电导中自旋朝上和朝下电导的尖峰在能量空间向相反方向移动,但保持大小不变.计算结果还发现两个量子点能级的差会在电导的Dicke尖峰附近产生额外的谷,并降低尖峰的高度.所研究的结构有望用于自旋过滤或分离装置.     

磁场下量子点中二电子系统的自旋振荡

研究了磁场下量子点中二电子系统的低激发态能谱 ,考察了电子 -声子相互作用对能谱的影响 .以 In Sb半导体材料为对象进行了数值计算 ,并将结果与他人的二维简化模型的结果进行了对比 .发现在此三维系统中仍可出现自旋振荡现象 ,但能级随磁场的增大要比二维结果变化缓慢 ,且基态能级交替点向强磁场方有向明显移动 .     

自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化

研究了二维Rashba自旋轨道耦合电子系统中的电流导致的自旋极化。对于δ函数形式的短程电子杂质散射,得出了和文献一致的结果。在远处杂质散射下,自旋极化将会强烈地依赖于电子密度,这个结果完全不同于短程势散射的情况。并且随着杂质距离的变大,自旋极化增强。在这种散射势的情况下,不再能够通过测量纵向电导和磁化强度的方法来确定样品的 Rashba 自旋轨道耦合系数。     

磁场和杂质对二维3电子量子点基态的影响

使用少体物理方法，计算了在不同的磁场，杂质作用下二维3电子量子点基态的能量和角动量，获得了它们受磁场和杂质影响的结果，并且从动力学和对称性两方面对结果进行了分析。     

磁场下GaAs/AlGaAs异质结中载流子动力学行为研究

基于实空间电荷转移模型研究了磁场对载流子在GaAs/AlGaAs异质结中的动力学行为的影响.系统静态下的伏安特性曲线展现出负微分电导,该电导区域受磁场的影响而变化.其动态下的伏安特性显示出在直流电场的作用下系统中存在电流的自维持振荡,随着电压增加和减小,系统表现出回滞现象.受磁场作用,系统的稳定性发生改变,随着磁场的增加电流的自维持振荡消失,回滞区域也相应的展宽.在交流电场和磁场的共同作用时,随磁场的改变系统经倍周期分叉通向混沌.系统展现出锁频、准周期和混沌等有趣的非线性动力学行为.     

磁场对量子阱中类氢杂质性质的影响

本文在弱场极限下应用微扰变分法,在强场极限下应用绝热微扰法,计算了位于,量子阱中心的一个类氢杂质在磁场中基态的束缚能和电子跃迁能量。结果表明:电子的基态束缚能随磁场的增加或量子阱宽的减小而增大;电子跃迁能量随量子阱宽的减小而变大;在强场极限和弱场极限下,电子跃迁能量随磁场变化的规律不同。在强场极限下,电子跃迁能随磁场的增加变大。在弱场极限下,当电子初态有横向激发,末态是基态时,跃迁能量随磁场的增加变大;当电子初态只有纵向激发,末态有横向激发时,跃迁能量随磁场的增加变小,当电子初态与末态横向激发的程度相同时,跃迁能量不随磁场变化。     

无序对准一维矢势束缚中无质量Dirac电子的影响

通过有限差分的方法,数值计算了一个相对论性质的Dirac电子在磁场和无序同时存在时的能谱结构,并讨论了不同磁场强度和无序强度时电子密度分布的变化情况.结果发现:随着无序强度的增大,无序势削弱了磁场对电子的捕获,使局域化现象减弱,使得无质量Dirac电子出现了有别于Anderson局域化的现象.     

InAs/InP椭圆形量子线的电子和空穴基态能量

在椭圆坐标系中采用有效质量近似和对角化方法研究了椭圆形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性,计算了无磁场时及存在磁场时电子和空穴的基态能量随偏心率ξ0及参数a的变化情况.结果表明,参数a一定时,粒子的基态能量随着椭圆截面偏心率ξ0的增大而减小;椭圆的偏心率ξ0一定时,粒子的基态能量随着参数a的增大而减小;磁场对空穴的约束作用较电子弱.     

准一维无序体系电子局域化及输运特性

在单电子紧束缚近似下,利用多对角全随机厄米矩阵算法,结合负本征值理论和无限阶微扰理论及传输矩阵方法,研究准一维多链无序体系中电子波函数局域化特性及其电子输运特性。研究结果表明:由于格点能量无序,准一维多链无序体系电子波函数呈现出局域化特性;格点能量无序度减小会导致在中间能区发生退局域化现象,表现为在中间能区电子波函数的局域长度大于体系格点数,即出现扩展态,且出现扩展态的能量区间随着无序度的减小而增大的趋势;同时,随着链数的增加,体系有向退局域化方向发展的趋势;在中间能区电子输运透射系数较大,而在低能区及高能区透射系数较小,同时,格点能量无序与维度效应对体系的电子输运存在竞争效应,当体系格点数及链数一定时,体系的透射系数随着格点能量无序度的增大而减小,而当体系格点数及格点能量无序度一定时,准一维多链无序体系的透射系数随着体系链数的增大而增大。     

4，4’二硫基二苯醚分子导线I - V特性的第一性原理研究

利用第一性原理和非平衡格林函数的方法对4,4'二硫基二苯醚分子电输运特性的研究结果表明,电流随着外加电压的增加而增加.对于一个确定的电子传导通路,电子通过分子桥的概率与电子能量是紧密相关的.随着电子能量的变化,电子通过分子桥的概率呈现震荡形式.     

磁场对Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响，利用变分法对磁场下Gal-xAlxAs／GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算，并讨论了结合能随杂质位置、电子面密度和Al组分的变化关系及磁场对结合能的影响。结果表明：杂质态结合能随磁场的增强而显著增大。     

半导体异质结中施主结合能的磁场效应

对单异质结界面系统，引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响，对磁场中的A1xGax-xAs／GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算，给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系，结果表明：杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大。     

二维无序系统无序度和本征能量对局域化长度的影响

利用蒙特卡洛模拟方法,研究了无序度和本征能量对局域化长度的影响.研究结果表明:随着无序度的增大,系统的电子态出现局域化现象,局域化长度逐渐减小,而且对应于不同的能量本征值;电子的局域化程度不同,能带中心出现准扩展态,系统内部出现类金属行为.     

复杂周期磁超晶格的电导共振劈裂

利用转移矩阵方法,研究了在非均匀垂直磁场作用下的二维电子气中弹道电导的共振劈裂.这一非均匀磁场可以通过在异质结上沉积铁磁条来实现.结果显示:对于n个周期且每个周期含有m个构筑块的复杂的磁超晶格结构,弹道电导的共振区将劈裂为m个子能窗,并且在每个子能窗中,弹道电导具有n-1重的劈裂峰.本质上,弹道电导的劈裂规则仍然是隧穿几率劈裂的反应.     

金属与聚乙炔环三端连接的电子输运性质

基于Landauer-Buttiker理论,用求解散射波函数的方法,研究了金属与环状聚乙炔链三端连接的电子输运性质.结果表明,在给定入射端的条件下,电导在正负能量上是对称的,当3个端口满足旋转对称性时,2个出射端的电导相同.电导随着导线与聚乙炔链间耦合强度的不同而呈现不同的性质,弱耦合时电导突变明显;耦合增强后,电导趋于稳定.各端的电导跟电子在该端口碳原子上的局域密度有关,随着导线与碳链间耦合强度的增大,局域密度随能量的振荡会减弱.     

量子点五电子系统在外磁场中的基态特性

利用少体物理的方法,研究了磁场中二维量子点五电子系统基态能量与角动量间的变化关系,以及磁场强度和约束势的大小对五电子系统基态的影响,数值计算表明,量子力学对称性是出现幻数角动量的重要因素     

磁场下InAs/InP矩形量子线中的电子结构

在有效质量近似下,利用微扰理论研究了矩形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑形成量子线的2种材料晶格常数不同带来的形变势、电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性等因素,在矩形长度不变时,计算了电子和空穴的基态能量随磁场以及矩形宽度的变化情况.结果表明,粒子的基态能量随着磁场的增大而增大,随着矩形宽度的增大而减小;磁场增大时,不同尺寸量子线中电子的基态能量随磁场的变化曲线间距减小的趋势比空穴明显得多;在较高磁场下,电子的基态能量随量子线尺寸增大下降的趋势比低磁场时明显,而空穴的这种特征不明显.