磁性金属多层膜的新颖特性-巨磁电阻效应

介绍了磁性金属多层膜中巨磁电阻效应的发现过程、特点和成因，并展望了巨磁电阻材料的应用前景。     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

金属-金属颗粒膜巨磁电阻效应的尺寸效应

按照颗粒尺寸将颗粒膜中磁性颗粒分为3类:单畴超顺磁颗粒、单畴铁磁性颗粒和多畴磁性颗粒.不同尺寸的磁性颗粒对巨磁电阻效应作用的研究存在着争议.为此,该文假设颗粒膜中磁性颗粒尺寸呈对数正态函数分布,利用二流体模型和有效媒质理论对颗粒膜的巨磁电阻效应进行了研究.计算结果表明,以单畴铁磁性颗粒为主导作用的理论计算结果与相关各类实验相符,表明单畴铁磁性颗粒对颗粒膜的巨磁电阻效应起主导作用.     

磁性金属多层膜的新颖特性——巨磁电阻效应的发现

本文回顾了磁性金属多层膜巨磁电阻效应的发现和对其成因的微观解释的发展历程。     

从物理发现到成功应用——兼谈2007年度诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻效应发现者

法国科学家Albert Fert和德国科学家Peter Grünberg因发现巨磁电阻效应(GMR)而获得2007年度诺贝尔物理学奖。通过介绍他们的突出贡献及该领域的其他相关重要工作,梳理了近20年时间里,巨磁电阻效应和隧穿磁电阻效应(TMR)从物理发现到人工制备和优化多种纳米磁性多层膜、磁性隧道结(MTJ)材料,以及被成功应用于计算机磁读头、磁随机存储器和多种磁敏传感器的发展历程,展现了该领域现阶段有重要应用前景的一些热点课题。     

NiFe／Cu多层膜的巨磁电阻效应

采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积NiFe／Cu多层膜．在室温下测量到其巨磁电阻随cu层厚度振茴的第一峰和第二峰，相应的峰值分别为19%和11%．研究了巨磁电阻隧NiFe层厚度及多层膜总周期数Ⅳ的变化规律。     

颗粒膜的巨磁电阻效应

介绍了颗粒膜巨磁电阻效应的国内外研究现状及研究意义。由于颗粒膜巨磁电阻本身的科研价值和在磁记录、磁性传感器、磁随机存储器等方面的广泛应用前景，近十几年来国内外学对此进行了大量的研究。指出了颗粒膜研究的目标。     

多层薄膜的巨磁电阻效应及其应用

本文介绍了多层薄膜的巨磁电阻效应。由铁磁材料与非磁材料相间构成的厚度在几纳米的多层膜超晶格结构,具有特殊的磁电效应,在磁场作用下呈现电阻剧烈下降现象,即所谓巨磁电阻效应。该效应在硬盘磁头读出器、弱磁探测等方面具有广泛应用价值。     

Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.     

M-M型纳米颗粒膜的巨磁电阻效应

探讨了M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的物理机制，指出了影响颗粒膜巨磁电阻效应的因素，推导出M-M型纳米颗粒膜巨磁电阻效应的计算公式。     

一种新型多层膜结构的法拉第旋转器

采用多层薄膜结构的特殊结构，在稳恒磁场中可达到较大的旋转角度，可用于制作光隔离器用法拉第旋转器。通过特征矩阵的办法可对其传输特性进行计算，并由此推导出几种可行的结构，厚度只有数10μm，插入损耗约0.5dB。     

超磁致伸缩力传感器及其实验研究

基于磁致伸缩逆效应原理,以超磁致伸缩棒为敏感元件研究了一种具有高灵敏度的新型超磁致伸缩力传感器,通过集成在结构内部的霍尔传感器测量磁通密度来实现静态力的测量.同时,为了提高传感器的测量灵敏度,提出了一种安装在霍尔传感器周围的不锈钢钢环的特殊结构.给出了超磁致伸缩力传感器的测量原理和设计过程,并通过实验研究确定了偏置磁场、预紧力和超磁致伸缩棒的尺寸等因素对传感器输出特性的影响规律,分别得到了传感器工作的最佳偏置磁场和预紧力,为超磁致伸缩力传感器的深入研究和精确控制提供了一种技术途径.     

巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性

用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ｔａ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率ＭＲ〉２％，自由层矫元力Ｈｃｌ〈１６０Ａ／ｍ，自由层零磁场漂Ｈｆ〈８００Ａ／ｍ和钉 扎层交换场Ｈｅｘ≈２０×１０＾３Ａ／Ｍ。     

Tunnel magnetoresistance (TMR) in ferromagnetic metalinsulator granular films

We review the recently discovered tunnel-type giant magnetoresistance (GMR) in ferromagnetic metalinsulator granular thin films, which is the magnetoresistance (MR) associated with the spin-dependent tunneling between two ferromagnetic metal particles. The theoretical and experimental results including electrical resistivity, magnetoresistance and their temperature dependence are described. Limitations to the applications of the ferromagnetic metalinsulator granular films are also discussed. Additionally, a brief survey of another two magnetic properties, high-frequency property and giant Hall effect (GHE) associated strongly with the granular structures is also presented.     

磁性薄膜磁电阻效应的测量

本文阐述了各向异性磁电阻效应测量原理,介绍了四探针及六探针法测量磁性薄膜的磁电阻率的方法,并讨论了探针因子Ｍｒ的值与探针相对位置的关系,提出采用对称电流六探针来改善测量误差