Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y超导体的DSC研究

新型高T_c氧化物超导体Bi—Sr—Ca—Cu—O系,在100K以上呈现超导性,存在高T_c(～110K)相和低T_c(～80K)相,其零电阻转变温度(T_(c0))总是低于85K.适当掺Pb可以增强高T_c相,抑制低T_c相,降低烧结温度,提高零电阻转变温度.用固相反应法制得组分为Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y的超导体,零电阻温度为107K,稳定性较好。现以此样品作示差扫描量热(DSC)分析,并配合XRD分析,试图了解该体系的结构相变及其与超导电性的关系.     

MgB2超导膜：几种制备方法和样品性质表征

分别利用化学气相沉积、脉冲激光沉积和电泳技术在氧化物单晶基片MgO(111)和c-Al2O3上制备了MgB2超导薄膜和厚膜.所制备的样品均为c轴取向生长或c轴织构生长.三种方法制备的样品的零电阻转变温度分别为38,38.4和39 K.薄膜的临界电流密度在15 K,0 T时高达107A/cm2,达到了目前国际报道的最好水平.薄膜的微波表面电阻Rs在10 K,18 GHz下约为100μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟.     

石墨微晶粉末系统磁阻研究

用加压的方法制备了石墨微晶粉末样品,利用Quantum Design公司的Squid测量提供的磁场和低温,在温度为1.8 K～300 K和4.5 T的磁场范围内测量了样品的电阻,某些样品的电阻与温度关系符合涨落引起的隧穿导电机理,即满足R∞exp[T1/(T1+T2)],样品磁阻(MR)为正值.其它样品的曲线符合R∞1/Tα这一指数规律,其中α接近于数值1,提出声子激发的束缚态电子隧穿导电机制,其电输运特性取决于势垒有效宽度,含有负磁阻成分.研究表明样品的负磁阻是由于磁场中费米面附近电子能级的分裂,增强了声子激发的束缚态电子隧穿导电效应.     

Y-Ba-Cu氧化物高TC超导电性

我们制得了高Tc的YBaCuO超导体。样品用名义组分为YBa_2Cu_3O_x的原料经高温陶瓷烧结工艺获得。电阻测量采用标准直流四引线方法。获得零电阻温度Tcf为96K,中点转变温度Tc为100K,起始转变温度Tci为101K,转变宽度△Tc为2.3K的超导体。研究了烧结、热处理工艺对超导温度的影响。     

石墨微晶粉末系统磁阻研究

用加压的方法制备了石墨微晶粉末样品，利用Quantum Design公司的Squid测量提供的磁场和低温，在温度为1．8K～300K和4．5T的磁场范围内测量了样品的电阻，某些样品的电阻与温度关系符合涨落引起的隧穿导电机理，即满足R oc exp[T1／(T1 T2)]，样品磁阻(MR)为正值．其它样品的曲线符合RoC1／T^α这一指数规律，其中α接近于数值1，提出声子激发的束缚态电子隧穿导电机制，其电输运特性取决于势垒有效宽度，含有负磁阻成分．研究表明样品的负磁阻是由于磁场中费米面附近电子能级的分裂，增强了声子激发的束缚态电子隧穿导电效应。     

钇钡铜氧系统单相高T_c超导体的研究

采用固相反应法制样,使用两组初始原料BaO—CUO—Y_2O_3和BaO—Cu_2O—Y_2O_3合成出超导中点转变温度93.6K,零电阻温度92·OK,转变宽度△T_c=1.2K,起始抗磁转变温度92.9K单相陶瓷超导体.讨论了不同烧结条件与物相形成关系等问题.     

高温超导材料Bi_(0.8)Pb_(0.2)SrCaCu_2O_(8+x)电阻率及AC磁化率的研究

在高温超导材料BiSrCaCu_2O_x中加入20％铅代替铋后,使超导材料的零电阻温度从82 K提高到102 K,起始超导转变温度约为112 K,晶界对超导材料的超导性能有很大的影响,起始转变温度T_c随外加磁场的变化率在低场范围内约为0.0005 Km/A。     

过渡金属锡化物RhSn_3的磁电阻研究

具有大磁阻效应的材料广泛运用在实际生活中,因此对这些材料的研究具有重要的科学意义和现实意义.该论文通过实验发现,与一般金属不同,二元过渡金属锡化物RhSn3单晶样品具有很大的磁电阻效应.在T=2K,B=9T时,磁电阻达到近400%.并且,与一般金属中B2的电阻-磁场依赖关系不同,RhSn3的磁阻与磁场的关系近似满足线性行为.这一线性磁阻与Dirac半金属或Weyl半金属中的线性磁阻具有很多相似性.进一步的分析表明,该样品的磁阻在很大的磁场和温度范围内都很好的符合Kohler定理.综合以上实验结果,我们认为RhSn3样品中的载流子具有很高的迁移率,并且载流子浓度并不随温度显著的变化.至于该样品中是否也存在Dirac电子,还需要进一步的实验和理论研究.     

稀土掺杂钙钛矿锰氧化物(La_(0.975)Gd_(0.025))_(4/3)Sr_(5/3)Mn_2O_7的磁性和电性研究

采用传统的高温固相反应法,制备了钙钛矿锰氧化物(La0.975Gd0.025)4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品,利用X射线衍射(XRD)仪、物性测量系统(PPMS)和超导量子磁强计(SQUID)研究了样品的结构、磁性和电性,结果表明:该多晶样品为Sr3Ti2O7型四方结构,空间群为I4/mmm;样品的三维铁磁有序转变温度T3 DC和二维铁磁有序转变温度T2 DC分别为110K和240K,在居里温度(T3 DC)附近出现明显的磁熵变,当外磁场为2.5T时,其磁熵变值为3.1J/kg·K;电性测量结果显示,T3 DC也是样品经历金属性到绝缘性转变的温度,当T3 DCT300K时,样品遵循三维变程跳跃的导电方式,说明样品中载流子的输运过程是由磁不均匀性决定的.     

La5/6Li1/6MnO3的低频内耗研究

研究了样品La5/6Li1/6MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.在75—245K的温度范围内,在0.3T的磁场下该样品有明显的磁阻(MR)效应.测量到两个电阻峰(Tp1=224K,Tp2=169K)和一个MR峰(T=218K).内耗(Q-1)测量中发现两个峰(PL=169K,PH=224K)和模量软化;并且内耗峰温与频率无关、内耗峰值与频率成反比.最终,提出在样品中存在相分离的观点.     

高频冶炼法制作超导材料工艺

采用高频冶炼工艺,我们已经制造出零电阻温度为90K～192K 的 Y—Ba—Cu—O 高温超导材料,其中,零电阻温度为148K 和192K 各出现一炉。取起始转变温度电阻的10—90%为超导转变宽度,普遢小于1K。高频冶炼工艺周期短,冶炼时间为10小时,降温时间为3小时。     

Ba-Y-Cu氧化物超导体的研制

本文报道 Ba-Y-Cu-O 体系超导材料研究的初步结果.采用适当的配比和制备工艺,该系列材料的起始转变温度可达118K,零电阻温度为91K.样品由 Y、Ba 和 Cu 氧化物进行固相反应制备.各元素氧化物粉末按一定配比研磨均匀后,分别在950℃和1000℃固相反应和烧结24小时,最后制成直径10mm、厚2～3mm 的片状样品.样品呈黑色.     

硝酸盐热解法制备Bi(Pb)SrCaCuO超导体

介绍了用混合硝酸盐直接热解法制备Bi系超导体的研究结果。并且通过对样品进行超导性能测量,得到所制样品的超导转变温度为98k,零电阻温度为78K。通过扫描电镜和X光衍射实验分析,看到样品呈多相结构。主相85K相含比例较大,样品为正交结构。     

YbBi_2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了YbBi2单晶的合成和电阻温度特性。实验发现YbBi2单晶具有金属特征;在1.8K以上没有表现出超导电性;其净电阻率之比高达380;电阻温度特性曲线表明:YbBi2单晶在55K左右发生了明显的相变。     

单温区管式炉气相输运生长NbSe_2超导单晶

化学气相输运(CVT)生长单晶通常采用双温区管式炉。利用普通单温区管式炉中的温度梯度实现了化学气相输运,并成功生长出了Nb Se2单晶。运用扫描电子显微镜,X射线衍射仪等方法对制备的Nb Se2单晶进行了形貌和结构的表征,并测量了低温下Nb Se2单晶的磁化率和电阻性质。结果表明,实验上生长出来的Nb Se2单晶具有金属光泽,晶体尺寸约为2 mm×2 mm,超导转变温度和转变宽度分别为7.1 K和0.3 K,超导体积分数约为79%。因此,单温区管式炉生长晶体的方法也可用于其他功能材料单晶的制备。     

Bi(Pb)SrCaCuO系超导膜的化学喷雾淀积法

介绍用化学喷雾淀积法(CSD法),制备Bi(Pb)SrCaCuO超导膜的研究情况。并对所制样品进行了超导性能的测量和电镜,x射线衍射的测试。测量结果表明:所制膜厚约为50μm,零电阻温度为74K,超导转变温度为98K。样品呈正交结构。     

蓝青铜单晶(Rb0.3MoO3)的横向电流效应

文章采用熔融电解还原法制备纯的蓝青铜单晶Rb0.3MoO3,测量了该样品的低场电阻-温度关系和非线性电输运性质.在100 K以下,纯样品的ET1随温度的升高而增大.研究了蓝青铜Rb0.3MoO3在77.1K下电荷密度波的横向电流调制效应随着横向调制电流由零逐渐变大,样品的ET1呈减小变化,在定性上符合Radzihovsky等人的理论预期.     

CrO_2/Polystyrence复合材料导电机制的研究

研究了CrO2/Polystyrence(聚苯乙烯简称PS)的复合样品的导电机制.对样品的电输运性质进行研究时发现零场电阻随PS含量增加而明显增大,电导对温度的变化表现出较强的依赖性;进一步分析发现复合样品的电导主要由两种导电通道构成:与温度呈指数关系的自旋相关的晶粒间的隧穿电导和与温度成幂指数关系的自旋无关跳跃电导.     

La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/LaMnO_3复合体系中颗粒间界对电磁输运行为的影响

将奈尔温度为145 K的反铁磁性绝缘体LaMnO_3作为第二相复合到La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3颗粒间界处,研究反铁磁性绝缘体对复合体系的电磁输运性质的影响.在(1-x)La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/xLaMnO_3复合体系中,随着x增加,样品的金属-绝缘体转变温度Tp降低,峰值电阻增加.电输运行为表明:随着反铁磁性第二相LaMnO_3的引入,电子-声子散射以及电子-磁振子散射对输运行为的影响变大.在低磁场0.3 T下,相对于纯La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3,复合样品在金属-绝缘体转变温区附近的磁电阻大大增强;在高场3 T下,所有样品都存在着磁电阻平台现象,且复合样品的磁电阻值在低温区域都明显大于纯La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的磁电阻值.     

Tl—Ca—Ba—Cu—O体系的高温超导电性及其物相

用TlNO_3在Tl-Ca-Ba-Cu-O体系中获得了超导转变温度120K以上、零电阻温度为108K的超导体。超导相可以用Z.Z.Sheng报道的2122相指标,其晶格常数是a=5.450A,b=5.447A,c=29.57A。